S频段500 W高稳相固态功放设计

介绍了一种S频段500 W高稳相固态功放的工程实现。根据实际工程需求,采用4片功率芯片进行大功率合成,在2 025 MHz～2 120 MHz频率范围内实现输出功率大于600 W的固态功率放大器。采用了低附加相移电路设计、微波板材模块化设计、功率回退等措施,实现了在0℃～30℃的环境温度条件下,输出功率在1 W～500 W功率范围内,功放输出端相位变化小于11.5°,满足了厘米级扩频测控系统对S频段固态功放的工程技术要求。     

X波段GaN基微波功率放大器的设计

给出了一种X波段GaN基功率放大器的设计方法。研究了相关的偏置电路、匹配网络以及稳定性网络,实现了6个GaNHEMT器件的功率合成。该方法在偏置VGS=-3.2V,VDS=6V,IDS=200mA,频率为8GHz时,可以仿真得到的放大器增益为20.380dB,饱和输出功率可以达到35.268dBm(约为3.36W)。     

1.65～3 GHz 500 W功率放大器设计与实现

现代发射系统对功率放大器的工作频带和功率等级提出了越来越高的要求,而基于新型GaN功率器件的功放设计可以满足这些新的需求.采用GaN HEMT进行基本功放单元设计,并创新性地采用非对称结构的5路径向功率合成器实现整机所需功率同时提高整机效率.该功率放大器工作频率为1.65～3 GHz,实测输出功率大于500 W(CW)...     

一种真空管发射机的固态化实践

某型真空管发射机在速调管故障时存在维修周期长的问题。为解决该问题,提出了对该型发射机进行固态化的方案。文中对固态化的可行性进行了分析,并介绍了一种固态功率放大器的工程实现。以40W的GaN功率MMIC为基本单元,共采用了16个功放单片,通过多级功率合成得到足够的功率输出。最终成功实现了该型速调管发射机的固态化,通过试验验证,固态化发射机满足系统要求。     

基于GaN HEMT的S波段的功率放大器设计

采用内匹配技术,使用单胞的电路结构,设计并实现了一款3.8~4.2 GHz的功率放大器。该放大器基于南京电子器件研究所自主研制的GaN HEMT管芯芯片。通过优化设计该放大器在10%的相对带宽、漏源电压28 V、连续波的工作条件下,实现了输出峰值功率P_(out)大于30 W,功率附加效率PAE大于48%,充分显示了GaN功率器件宽带、高效和高功率的工作性能,具有广阔的工程应用前景。     

射频功放非线性分析与测试

通过研究射频功率放大器非线性失真产生的理论原因,着重分析了非线性失真中的三阶互调失真(IMD_3)。基于功率晶体管AFT27S006N设计了一款应用于TD-LTE基站的功率放大器。经测试,此功放峰值功率为7 W,PAE为53%,P_(out)回退到1 W时IMD_3达到了-43dBc,符合设计指标。     

可驱动立体声耳机的BTL集成功放器件

本文介绍的立体声耳机功率放大器电路如图1所示。这种采用桥接负载(BTL)方式的对耦立体声音频功率放大器电路,使用了美国国家半导体公司第三代Boomer芯片LM4867MT或LM4867MTE,因而同时可以驱动单端连接(SE)的立体声耳机。 LM4867MT/MTE对于4Ω的负载,可分别输出2W的功率。对于图1所示的功率放大器电路,每个BTL扬声器阻抗均为8Ω,输出功率P_O为1W,总谐波失真THD=1％,频     

开槽波导功率合成技术分析

在毫米波频段实现基于固态微波器件的高功率放大器,功率合成是一项不可或缺的技术。介绍了一种基于开槽波导耦合微带1分8的功率分配合成网络。这种结构的主要优点是具有较好的集成度,较高的功率合成效率,还可以为功率单片微波集成电路（MMIC）提供效率比较高的散热。通过软件仿真分析,该结构具有较好的功率分配能力和隔离度。     

D类功率放大器的设计与实现

传统音频功率放大器主要是指线性放大器,而随着人们的居住条件的改善,传统的音频功率放大器效率低、体积大很难满足人们的要求,为了满足人们不断对高保真音乐的追求,D类功率放大器应运而生,由于它具有较高的效率、体积小、易集成化等诸多优点已经成了便携式音频市场的新宠,系统以高效率音频功率放大器为核心,输出开关管采用高速VMOSFET管,连接成互补对称H桥式结构,滤波器采用两个相同的四阶Buttenworth低通滤波器.最大不失真输出功率大于1W,平均效率可达到78％左右,兼有输出1∶1双变单电路,功率测量.     

基于SiGe HBT的38GHz功率放大器设计

功率放大器(Power Amplifier,PA)是射频前端关键的模块,基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计了一款38 GHz功率放大器。提出了HBT集电极寄生电容和传输线谐振的方法减小芯片面积,针对毫米波频段下,晶体管可获得最大增益较低,采用堆叠晶体管提高了功率放大器的增益,同时通过优化有源器件参数,提高了功率放大器的输出功率和效率。仿真结果显示,在4 V的供电电压下,工作在38 GHz的功率放大器1 dB压缩点输出功率为17.8 d Bm,功率增益为19.0 dB,功率附加效率为32.3%,功耗为252 mW。