Vishay发布新系列高性能薄膜电阻网络

Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新系列可在-55℃～+215℃宽温条件下工作的双通道薄膜电阻网络---HTRN系列。该系列电阻网络的工作温度范围比传统薄膜片式电阻扩大了近100℃,绝对TCR低至±25ppm/℃,TCR跟踪为5ppm/℃,以及±0.05%的严格比例容差。     

Vishay推出通过AEC—Q200认证的新款薄膜电阻网络

Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出新系列通过AEC—Q200认证的双路在线路薄膜电阻网络——NOMCA系列。该系列具有低至±25ppm／℃绝对TCR,5ppm／℃TCR跟踪、±0．05％的严格比例容差。在＋125℃下工作1000h后的长期比例稳定率为0．05％。为提高ESD和防潮能力,电阻网络在高纯度铝或陶瓷衬底上构造了一个自钝化的钽氮化物电阻膜。     

Vishay推出通过AEC-Q200认证的新款薄膜电阻网络

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新系列通过AEC-Q200认证的双路在线路薄膜电阻网络———NOMCA系列。该系列具有低至±25 ppm/℃的绝对TCR,5 ppm/℃的TCR跟踪、±0.05%的严格比例容差,在+125℃下工作1 000 h后的长期比例稳定     

PHP系列：薄膜贴片电阻

Vishay Intertechnology推出新的PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻。这些器件具有低至±25ppm／℃的绝对TCR,低至±0．1％的容差,在．     

Vishay推出业内首款可邦定薄膜片式电阻

日前,VishayIntertechnology,Inc．宣布,推出业内首款可邦定的薄膜片式电阻—CS44系列,电阻的占位仅有40milx40mil（1mmXlmm）,电阻值高达100MΩ。该系列具有±50ppm／℃的低TCR和±0．5％的容差。     

Vishay新款精密薄膜片式电阻功率等级达2W

日前，Vishay Intertechnology,Inc．宣布，将2512外形尺寸的FIN系列精密表面贴装薄膜片式电阻的功率等级提到2W。Vishay Dale薄膜器件采用自钝化的耐潮钽氮化物电阻膜技术，具有高功率等级和低至±25ppm／℃绝对TCR，在-55-＋125℃宽温条件下，经过激光微调的公差低至±0．1％。     

新款PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻。这些器件具有低至±25 ppm/℃的绝对TCR,低至±0.1%的容差,在-55～+125℃的宽温范围内具有1.0～2.5 W的高功率等级。     

CS44系列：薄膜片式电阻

Vishay Intertechnology推出可邦定的薄膜片式电阻CS44系列,电阻的占位仅有40mil×40mil（1mm×1mm）,电阻值高达100MΩ。该系列具有±50ppm,℃的低TCR和±0．5％的容差．     

东方集成为移动设备制造商提供正版仪器

Vishay宣布推出新的PLT系列TCR薄膜电阻。在一55℃～＋125℃的温度范围内,新器件的标准TCR为±5ppm／℃,容差低至±0．02％。     

Vishay推出业内首款可邦定薄膜片式电阻

VishayIntertechnology,Inc．宣布,推出业内首款可邦定的薄膜片式电阻——CS44系列,电阻的占位仅有40×40mil（1×1mm）,电阻值高达100MQ。该系列具有±50ppm/℃的低TCR和±0．5％的容差。     

MCW0406AT：薄膜片式电阻

Vishay将其MCW0406 AT Precision系列宽端子薄膜片式电阻的欧姆值扩展至1Q,电阻具有低欧姆值和±0．1％的精密公差,以及＋25ppm／K的精密TCR。     

Vishay新款薄膜MELF电阻具有业内最高水平的精度和稳定性

日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，推出新系列高精度薄膜MELF电阻——UMB0207。VishayBeyschlagUMB0207系列器件是针对对高可靠性和稳定性有严格要求的应用而设计的，是业内首款在标准0207外形尺寸内实现±5ppm／K的TCR和±0．02％的容差的MELF电阻。     

Visl珂推出具有极低的绝对TCR值、超低容差的新型超高精度BulkMetal（R）Z箔电阻E102Z

Vishay Intertechnology,Inc．宣布推出新型超高精度BulkMetal？Z箔电阻——E102Z。该款电阻可在-55℃到＋125℃的温度范围内提供达军品级标准的绝对TCR值（±0．2ppm／℃）,容差为±0．005％（50ppm）,在＋70oC下工作2000小时的负载寿命稳定性达到±0．005％（50ppm）。E102Z符合EEE—INST-002规格和MIL—PRF55182军用标准,设计用于非常规环境条件,漂移极小,适用于军事、航空和医疗应用。     

1280／85G系列：Accutrim微调电位器

Vishay推出两款Bulk Metal箔超高精度Accutrim微调电位器1280G和1285G。这两款长3／4英寸的直线型器件在-55℃～＋125℃温度范围内、＋250℃参考温度条件下,分别具有±5ppm／℃（1285G）和±15ppm／℃（1280G）的端到端TCR,在滑动端上的TCR为±25ppm／℃,在＋250℃、满载额定功率条件下工作2000小时后的典型负载寿命稳定率为0．1％,典型可设定值〈0．05％。     

超高精度Bulk Metal箔电阻

H和HZ系列Bulk Metal箔电阻具有0．001％的容差,5～1．84MΩ的阻值范围,在至少6年内（未受潮）的工厂寿命稳定率可达±0．0002％,上升时间小于1ns。H系列的最大TCR为±2×10^-6／℃,Z-FOil HZ系列的最大TCR仅有±0．2×10^-6／℃。     

精密高功率薄膜贴片电阻

PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻具有低至±25×10^-6／℃的绝对TCR，低至±0．1％的容差，在-55℃～＋125℃的宽温范围内具有1．0～2．5W的高功率等级。     

Vishay新款精密薄膜片式电阻功率等级达2 W

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,将2512外形尺寸的PTN系列精密表面贴装薄膜片式电阻的功率等级提到2 W。Vishay Dale薄膜器件采用自钝化的耐潮钽氮化物电阻膜技术,具有高功率等级和低至±25 ppm/℃的绝对TCR,在-55~+125℃宽温条件下,经过激光微调的公差低至±0.1%。PTN电阻的钽氮化物电阻膜使器件的耐潮水平超过MIL-PRF-55342的极限,使这款器件非常适合军工、航天、电信和工     

CrSi薄膜电阻温度系数研究

对可能影响CrSi（铬硅）薄膜电阻温度系数（TCR）的工艺参数进行研究分析,通过有针对性的多组试验,优化了工艺奈件,使电阻温度系数从±50ppm／℃降到了±20ppm／℃。     

低TCR高温薄膜电阻

PLTT精密低TCR高温薄膜电阻现可提供0805、1206、2010和2512外形尺寸,阻值范围扩大至250Ω～3MΩ,并可提供非标阻值。PLTT电阻的工作温度范围为膜电阻扩大了近100℃。器件±5×10^-6／℃的标准TCR,比传统薄具有低至容差低至±0．02％,噪声低于-35dB,     

改善钌酸铅厚膜电阻器TCR的体会

<正> 我厂担负了片状电阻器和电阻网络的试制任务。这一任务的关键是要使电阻器在10Ω～3MΩ范围内的TCR≤±100ppm/℃。我们选择了钌酸铅作导电材料,经过一段时间的试制,达到了低阻(≤10Ω/□)和高阻(≥500kΩ/□)的TCR≤200ppm/℃;中阻的+TCR<±100ppm/℃,-TCR<±200ppm/℃。还有许多工作要做,现仅将改进TCR性能的几点体会作介绍。