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相似文献
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1.
利用动态机械热分析仪研究了四种镁硅合金的阻尼性能.研究表明:铸造镁硅合金具有良好的阻尼性能.并且体现出有别于纯镁的新阻尼特征,铸造镁硅合金具有较纯镁在更大应变振幅范围内的弛豫型内耗.由于Mg2Si对晶界的钉扎作用,界面阻尼峰出现在较纯镁更高的温度.少量钙的添加改善了Mg2Si析出的形态,但对阻尼性能的影响似乎不明显.  相似文献   

2.
利用动态机械热分析仪研究了四种镁硅合金的阻尼性能.研究表明:铸造镁硅合金具有良好的阻尼性能.并且体现出有别于纯镁的新阻尼特征,铸造镁硅合金具有较纯镁在更大应变振幅范围内的弛豫型内耗.由于Mg2 Si对晶界的钉扎作用,界面阻尼峰出现在较纯镁更高的温度.少量钙的添加改善了Mg2 Si析出的形态,但对阻尼性能的影响似乎不明显.  相似文献   

3.
镁合金及镁基复合材料阻尼性能研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
简要介绍了纯镁、镁合金及镁基复合材料的位错型阻尼机理,叙述了温度、合金成分、组织结构和微观缺陷(包括晶界相界)以及热处理等因素对镁合金阻尼性能的影响.镁基复合材料较镁合金有较高的阻尼性能,是由于增加了多种阻尼机制的结果,其中最重要的是塑性区阻尼、位错密度的增大、界面滑移阻尼等.  相似文献   

4.
为了进一步提高Fe-Al二元阻尼合金的阻尼性能和力学性能,并认识在较高温度下长时间使用对其阻尼性能的影响,利用倒扭摆、拉伸、光学金相等方法测试了微量Si元素和不同时效时间对Fe-Al基合金阻尼性能、力学性能、微观组织的影响.结果表明,在Fe-Al合金中添加少量Si元素,合金的阻尼性能、力学性能优于Fe-Al合金,晶粒也得到明显细化.350℃长时间时效前后,实验合金的阻尼性能、力学性能、微观组织保持稳定.Fe-Al-Si阻尼合金具有更加全面的阻尼和力学性能,并可在350℃下长时间使用,应用范围更广阔.  相似文献   

5.
喷雾沉积含硅ZA27合金的阻尼性能   总被引:4,自引:1,他引:3  
杨留栓  庞礼军 《功能材料》1995,26(4):359-361
本文报道了喷雾沉积含硅ZA27合金的阻尼性能,它比常规铸造相同成分合金的阻尼性能提高约50%。  相似文献   

6.
阻尼技术是解决振动噪声的有效途径之一.重点介绍了镁锆合金阻尼性能的研究现状,包括化学成分、热处理、塑性变形等对镁锆合金阻尼性能及力学性能的影响,并对阻尼机制进行了探讨.展望了今后的研究方向及发展前景.  相似文献   

7.
选用挤压铸造法制备Mullite/Al-Mg-Si复合材料,采用用硬度测试(HB)、扫描电镜(SEM)、差示扫描量热仪(DSC)和透射电镜(TEM)等手段,研究了莫来石短纤维增强不同镁硅比(Mg/Si=2,Mg/Si〈2,Mg/Si〉2)成份的Al-Mg-Si复合材料及其基体合金的时效行为。结果表明:复合材料具有和基体舍金相似的时效硬化曲线,相同的析出序列;Mullite纤维的引入提高了基体合金的时效硬度,并一定程度地加速了基体合金的时效硬化过程,但对GP区的抑制不明显;Si或Mg元素的富余都加速了复合材料及其基体合金的时效硬化过程,且两类材料的时效峰明显提前。Mullite短纤维与富余的甄或Mg元素对复合材料的时效硬化过程具有交互促进作用。  相似文献   

8.
以AZ91D镁合金为基体,采用搅熔铸造法将球磨后的粉煤灰漂珠颗粒加入到熔融态基体中,设置球磨漂珠质量分数(2%、6%和10%)和搅拌时间(3min和6min),成功制备了Mg2Si/AZ91D复合材料。采用金相分析、XRD分析和动态机械热分析等方法研究了铸态和固溶态Mg2Si/AZ91D复合材料的显微组织、成分及阻尼性能。研究表明:与AZ91D镁合金相比,加入球磨漂珠颗粒后制备的Mg2Si/AZ91D复合材料中生成了Mg2Si相,而且随着漂珠质量分数的增加,Mg2Si相呈现不规则形状,固溶后Mg2Si相呈现均匀块状。随着漂珠质量分数的增加,Mg2Si/AZ91D复合材料的阻尼性能越好,搅拌时间6min制备的复合材料阻尼性能高于搅拌时间3min制备的复合材料的阻尼性能,并且固溶态的阻尼性能优于铸态。在室温下,Mg2Si/AZ91D复合材料阻尼性能可用位错理论来解释。  相似文献   

9.
镁基材料的阻尼性能研究进展与展望   总被引:1,自引:0,他引:1  
简要介绍了高阻尼镁合金及镁基复合材料的研究进展,叙述了应变振幅、频率、温度、热处理以及合金成分对镁合金阻尼性能的影响,分析了镁基复合材料的阻尼机制及阻尼设计.对高阻尼镁基材料的重要发展方向进行了展望.  相似文献   

10.
张忠明  徐春杰  王锦程  刘宏昭 《功能材料》2005,36(10):1620-1623
硅合金化ZA27合金具有良好的耐磨性能,但其阻尼性能(Q-1)研究尚不深入.本文利用多功能内耗仪研究了铸态ZA27合金和向ZA27合金中加入4%Si的合金(下称ZA27-4%Si合金)的阻尼行为和相对动态模量,分析了两种合金的阻尼机理.结果表明两种合金的阻尼性能随频率降低和温度升高而增大,阻尼值不随应变振幅变化.ZA27合金和ZA27-4%Si合金具有较高的阻尼性能,在0.1Hz下,合金的室温阻尼分别为6.87×10-3与5.83×10-3.合金的相对动态模量随应变频率提高而增大.100℃以下,ZA27-4%Si合金的相对动态模量不随温度变化.研究表明合金的阻尼是由合金晶界和相界面滑动、位错振荡以及各相的热膨胀系数和弹性模量间差造成的微塑性变形共同造成的.认为ZA27-4%Si合金具有良好耐磨性能和减振性能和强度,适合作为滑动轴承合金材料.  相似文献   

11.
SiCp和Al2SiO5f混杂增强纯镁的阻尼性能   总被引:5,自引:0,他引:5  
制备了以混杂碳化硅颗粒和硅酸铝短纤维为增强物,以纯镁为基体的金属基复合材料。  相似文献   

12.
RE对Mg-8Zn-4Al-0.3Mn镁合金阻尼性能的影响   总被引:7,自引:0,他引:7  
研究了 RE对Mg-8Zn-4Al-0.3Mn镁合金阻尼性能的影响.研究表明,加入RE后降低了合金低温下的阻尼性能,但明显提高了其在高温下(≥120℃)的阻尼性能.高温下,加入1.0%RE的合金表现出了最高的阻尼性能.由于高温下合金中相界面的软化及粘性滑动,四种合金在高温下均存在一个温度内耗峰,只是出现的温度不同.RE的加入推迟了温度内耗峰出现的温度.分析认为,加入RE后合金的阻尼机制主要是位错机制和界面机制.可动位错密度越高,晶粒越细,晶界和相界越多,阻尼性能越好.  相似文献   

13.
Gr/Mg复合材料的阻尼行为研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
对比研究了 ZM5镁合金及其 Gr/ Mg复合材料的室温和高温阻尼行为 ,发现它们的阻尼行为相似 ,但镁基复合材料阻尼性能无论在室温还是在高温下都优于镁合金 ,并随温度升高 ,这种提高的效果更大。研究认为镁基复合材料的主要阻尼机制是室温的位错阻尼和高温的界面阻尼。  相似文献   

14.
纯镁基复合材料的阻尼性能   总被引:8,自引:0,他引:8  
张小农  张荻 《功能材料》1997,28(5):540-542
制备了以线了镁为基体,以混杂碳化硅颗粒和硅酸铝短纤维为增强物的一类特殊复合材料,了其阻尼性能,发现镁基复合材料的强度优于纯镁,但阻尼性能却降低了并随增强物含量增加,这种下降越大。镁基复合材料的阻尼民其状态关系密切,退火处理和热循环自理提高了复合材料的阻尼性能。  相似文献   

15.
Mg-Li-Al合金阻尼性能的研究   总被引:11,自引:1,他引:10  
研究了MgLi4Al和MgLi8Al合金的阻尼性能,结果表明,Mg-Li-Al合金的阻尼性能随锂含量的增多和温度的提高而明显增高,其中MgAl8Al合金的室温阻尼性能达到Q1=0.01的高阻尼值,MgLi8Al合金的阻尼明显大于MgLi4Al合金的阻尼是由于MgLi8Al合金相界阻尼的贡献。  相似文献   

16.
增强物的加入对纯镁阻尼性能的影响   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
制备了以纯镁为基体,以混杂碳化硅颗粒和硅酸铝短纤维为增强物的镁基复合材料,研究了其机械性能和阻尼性能。结果表明,增强物的加入提高了纯镁的强度,但同时也减小了复合材料阻尼的应变振幅效应,从而降低了其阻尼性能。研究证明此镁基复合材料的阻尼行为可按G-L位错阻尼理论解释,与纯镁一致。   相似文献   

17.
A new idea of using a stiffer metallic compound Mg2Si to enhance the damping capacities of pure magnesium and its alloys is successfully attempted. The present paper focuses on the relation between damping capacities and the addition amount of Si. The results show that damping capacities increase with increasing amount of Si. Particular emphasis is placed on the increasing dislocation density around matrix-particulate interface and the refinement of grain size promoted by big growth restriction factor of Si.  相似文献   

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