Ge(Li)探测器表面现象的研究

对同轴Ge(Li)探测器进行不同表面处理,采用~(241)Am59.6 keV准直γ束扫描来研究探测器的表面性能。从测得的探测器表面各点脉冲谱及光电峰相对效率,说明在探测器表面存在着强弱不同的N或P型表面沟道。当探测器表面存在N型沟道时,可得到比较好的探测器特性。     

RLC测试仪在真空康普顿探测器高频参数测量中的应用

真空型康普顿探测器是高强度快脉冲辐射测量中非常重要的部件,对这种探测器的时间响应等脉冲性能进行检测,需要非常强的快脉冲辐射源,一般实验室条件下是难以实现的.该工作用频率范围从100KHz到120MHz的RLC测试仪,对真空型康普顿探测器的高频参数进行了测量,据此推算出了这种探测器的时间响应,该结果与报道的同类型探测器的时间响应规律基本一致.在很难使用非常强的脉冲辐射源对真空型康普顿探测器时间响应进行测量的情况下,通过测量真空型康普顿探测器高频参数,来推算其时间响应特性是一种可行的参考方法.     

晶体表面处理对用于PET的一种深度检出型探测器的时间响应特性的影响

晶体的不同的表面处理影响着总的光输出量,进而影响有它们构成的PET探测器的性能。为了优化设计一个新提出的深度检出型探测器,比较研究了不同表面情况的LSO晶体组成的该探测器的光输出量和时间分辨率特性。     

电流型碳化硅探测器

本文从电流型半导体探测器的起源、传统电流型探测器在应用中的问题出发,论述了国内外在新型半导体探测器研制和电流型半导体探测器的研究现状。对半导体探测器结构和物理特性进行了研究,并重点介绍了电流型碳化硅(SiC)探测器的设计制作、响应性能研究、抗辐照性能研究等内容,为电流型半导体探测器的研究和应用提供参考。     

电流型碳化硅探测器

本文从电流型半导体探测器的起源、传统电流型探测器在应用中的问题出发，论述了国内外在新型半导体探测器研制和电流型半导体探测器的研究现状。对半导体探测器结构和物理特性进行了研究，并重点介绍了电流型碳化硅（SiC）探测器的设计制作、响应性能研究、抗辐照性能研究等内容，为电流型半导体探测器的研究和应用提供参考。     

半导体探测器的测试和应用

本工作主要是通过对大量的金硅面垒型和锂漂移型硅半导体核辐射探测器在空气中、真空中和冷却情况下的测试,了解影响能量分辨率、时间分辨率和使用寿命的因素,掌握探测器的最佳使用条件,从而应用这种探测器进行核反应带电粒子能谱、核衰变能谱及甄别粒子的测量,并取得了一些较好的结果。     

化合物半导体GaAs CdTe核辐射探测器(英文)

叙述了半绝缘砷化镓体单晶表面势垒探测器和碲化镉单晶表面势垒探测器的制备工艺、特性以及它们对低能γ射线~(125)I,~(241)Am,~(57)Co在室温下工作时的能谱响应。着重讨论了欧姆接触所引起的正向电阻的大小对探测器性能的影响。讨论了制备工艺中表面纯化和老化对表面势垒探测器性能的影响,同时研究了欧姆接触制备工艺和所选用来制备欧姆接触的材料如Ni-Ge-Au,In-Ge-Ag等对探测器性能的影响。     

用于中子谱仪密闭型气体探测器的密闭腔研制

为避免高压气瓶带来的人身安全问题、不便携问题和污染工作气体排放问题,气体探测器已由流气型转化为密闭型。密闭型气体探测器可拓展气体探测器的应用范围,提高气体探测器竞争力,其缺点是腔内杂质气体会累积,影响探测器的性能（增益、分辨率和效率）和出现高压打火。本文采用螺旋弹簧密封实现密闭腔的动态高真空密封,采用铝和不锈钢复合板过渡实现铝和不锈钢焊接,采用高温烘烤、真空泵组抽高真空等方法实现密闭腔体净化,尤其是将铝表面微弧氧化技术用于真空腔体的净化。密闭腔微弧氧化后的杂质气体生成率相比未氧化的降低12.1%,杂质气体中氢气含量降低36%,水蒸气、一氧化碳和二氧化碳含量几乎下降1个数量级。腔体1 a内产生的杂质气体含量为0.006%,2个月内产生的水分含量为0.000 5%,可保证探测器2个月内不发生高压打火。研制出的密闭腔体满足中子谱仪密闭型气体探测器物理要求。     

闪烁薄膜探测器n/γ分辨研究

本文研究闪烁薄膜探测器n/γ分辨能力的测量结果偏低于理论值的问题.研究发现,理论计算忽略了探测器入射窗、出射窗及空气等条件,而γ射线与这些物质作用产生的次级电子会在薄膜闪烁体内沉积能量,造成探测器伽玛响应灵敏度增强.根据MCNP程序模拟和真空实验验证,证实对于薄膜闪烁体次级电子的影响不可忽略,并且影响比例随薄膜闪烁体厚度变薄而增大.空气等产生的次级电子的影响是制约闪烁薄膜探测器n/γ分辨能力的主要因素,因此提出高n/γ分辨的闪烁薄膜探测器需设计成真空结构.     

变质进口Ge(Li)探测器性能的恢复

近年来,我国进口了一些Ge(Li)γ谱仪探头。在使用过程中,由于忘加液氮而使探测器回温、表面沾污或低温恒温室(即冷指)真空破坏等原因使Ge(Li)探测器性能变质而不能正常工作或根本不能使用。我们曾为用户修复变质的Ge(Li)探测器,现将情况介绍如下。     

新型快中子探测器研制成功

一种新型快中子探测器首次在我国研制成功。专家鉴定认为:由中国科学院近代物理研究所和西北核技术研究所研制成功的这种探测器静态高真空获得与长期保持技术达到国际先进水平。 研制在特殊条件下工作的快中子探测器,静态高真空长期保持技术是成败的关键。探测器内含有聚乙烯等有机材料,不宜进行高温烘烤和表面处理,胶体容积小,静态高真空     

化合物半导体GaAs CdTe核辐射探测器

叙述了半绝缘砷化镓体单晶表面势垒探测器和碲化镉单晶表面势垒探测器的制备工艺、特性以及它们对低能γ射线~(125)I,~(241)Am,~(57)Co在室温下工作时的能谱响应。着重讨论了欧姆接触所引起的正向电阻的大小对探测器性能的影响。讨论了制备工艺中表面纯化和老     

聚丙烯辐射效应的研究

本文研究了在不同温度下和不同介质存在时,γ射线对等规立构聚丙烯的性能与结构的影响。实验结果表明,聚丙烯的特性粘度随剂量的增加而减少,而且初始下降相当大。当在室温下空气中辐照时,聚丙烯的裂解稍占优势;真空中辐照时则能使聚丙烯的交联效率增加。若提高辐照温度,聚丙烯的凝胶点则向高剂量方向移动,在180℃下真空辐照的聚丙烯就不再产生凝胶了。X射线和红外光谱测定结果指出,聚丙烯的结晶度和等规度随辐照温度的增加而迅速下降。     

高纯锗能谱仪系统研制

介绍了高纯锗能谱仪系统的研制.项目突破了探测器级高纯锗单晶提纯、高纯锗探测器表面钝化保护、高计数率数字化多道分析器以及无源效率刻度等关键技术,研制出高纯锗能谱仪系统样机.开展了高纯锗能谱仪在核燃料包壳破损在线监测、中高放射性废物桶核素源项无损检测和材料点缺陷特性分析示范应用研究.性能测试表明:85％探测效率的能谱仪的能...     

固态裂变室

由金硅面垒半导体探测器和~(235)U靶箔组成的探测器,可用来探测热中子引起的裂变碎片,称为固态裂变室。固态裂变室有两种结构,一种是把~(235)U在真空中直接喷涂在探测器金层上,其结构简单,体积小,在空气中工作,具有很高的空间分辨率,可方便地用于反应堆内测量热中子的空间分布。另一种结构是将~(235)U喷涂在薄膜衬底上,靶和探测器都放在小真空室内,靶和探测器间要有一定要求的准直孔。这种结构的探测器     

基于扩散累积法原理的一种空气测氡仪研制

针对空气测氡的要求,首先理论上阐述扩散累积式氡气测量原理,然后基于这一原理,系统介绍了一款基于金硅面垒型半导体探测器的空气测氡仪的设计方案。实验数据表明该方案可行,性能符合相关国家标准规定的对室内氡气检测的要求。     

高分辨率N型HPGe同轴探测器的研制及应用(英文)

报告了高分辨率N型HPGe同轴探测器的研制结果;在固定的离子能量,束流密度和注入角度条件下,研究了探测器外侧P~ N结的反向V—I_L特性与注入剂量的关系。实验结果证明,较高注入剂量可以稳定地得到好的探测器,当注入剂量达到1.8×10~(15)B~ /cm~2时,探测器有接近理想的反向V-I_L特性。作者采用了一种精细的防震封装技术,使探测器具有好的防震性能。探测器NCGL-1和NCGL-2已被成功地用于十口煤田钻井中的中子俘获γ能谱测井,探测器N49TB被用于油田放射性刻度井检测系统。     

离子注入型与金硅面垒型半导体探测器温度特性比较

半导体探测器性能受温度影响较大,影响着辐射探测系统的稳定性和测量精度。本文设计了一个温度测试电路,通过温度测试实验分别得出了离子注入型和金硅面垒型半导体探测器的温度特性曲线。测试结果表明,离子注入型半导体探测器的温度特性明显优于金硅面垒型半导体探测器。本文的结果可为半导体探测器的使用、筛选提供参考。     

锂漂移金硅面垒型探测器

本文详细地描述了锂漂移金硅面垒型探测器的制造工艺。这种探测器同时兼备了锂漂移型和面垒型探测器的优点。文中给出了探测器的主要性能,并对实验中的一些现象进行了讨论。探测器有效面积的直径为2—20毫米,灵敏区宽度高达4.5毫米。在窒温下,对于5.3兆电子伏的α粒子的能量分辨率为1—2%,对于Cs~(137)转换电子的能量分辨率为3.7%。探测器结构牢固,能应用于真空条伴。     

高分辨网栅型Au—Si表面势垒探测器的制备和性能

制备了对紫外光灵敏且有较高能量分辨的网栅型Au-Si表面势垒探测器,其有效面积为12.56cm~2,金网栅电极厚195×10~(-10)m。对~(241)Am 5.486 MeV α粒子在室温和低真空条件下能量分辨是55-80 keV。探讨了制备工艺并测试了性能。