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MeV He+离子注入氧化锌晶体光波导特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用能量为2.0 MeV剂量为2×1016 ion/cm2 He+离子室温下注入到z切的氧化锌晶体中形成光波导.退火前后用棱镜耦合法在633 nm激光波长下测量波导的暗模特性,发现在空气中经过适当退火后暗模消失,说明晶格损伤减少,进一步的退火处理有可能使晶格损伤完全恢复.用TRIM ′2003程序模拟了2.0 MeV He+离子注入到氧化锌晶体的过程,得到氧化锌损伤分布与穿透深度的关系曲线,并利用反射计算法重构了离子注入波导的折射率分布, 发现在波导区折射率增加,在离子射程的末端有一个折射率降低的光学位垒,结果还显示折射率分布曲线与损伤分布曲线非常相似,这充分说明核碰撞所造成的晶格损伤是形成光波导的主要原因. 相似文献
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作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变弛豫进行了研究,并与未注入AS+的Si0.57Ge0.43合金的应变弛豫进行了比较.结果表明,退火后,注入AS_的Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入AS+的应变分布.对于未注入As+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变弛豫导致镶嵌结构的产生而展宽.对于注入As+的Si0.57Ge0.43样品,950℃的快速退火过程可以有效地消除晶格损伤,使晶格得以恢复,且其退火后的 相似文献
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X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1 μm.X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠加,否则,产生非相干叠加.分子束外延(MBE)生长了短周期InGaAs/GaAs超晶格,在其摇摆曲线中观察到显示X射线在超晶格结构中衍射相干特征的多级卫星峰及Pendell(o)song干涉条纹,并利用相干光理论对超晶格结构信息诸如周期及"0"级峰位置等进行了分析. 相似文献