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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
薄膜SOI/CMOS器件结构的设计考虑=Designconsiderationsforthin-filmSOI/CMOSdevicestructures[刊,英]/Aoki.Takahiro∥IEEETrans.ElectronDev,-1989.5...  相似文献   

2.
优化双极器件的改善BiCMOS电路延迟的CAD方法=ACADprocedureforoptimlzingbipolardevicesrelativetoBiCMOScircuitdelay[刊.英]/Des-oukl.A,S.…IEEETrans.C...  相似文献   

3.
术语 英文含义 中文含义 131 DVB-S Framing structure, channel coding and modulation for 11/12 GHz satellite services (EN 300 421) 11/12 GHz卫星业务的成帧结构、信道编码和调制 (EN 300 421)132 DVB-S Digital Video Broadcasting baseline system for digital satellite television (EN 300 …  相似文献   

4.
3压电及其它功能器件94095多层陶瓷致动器的制作──RitterAP.Pro-ceedingsoftheADPA/AIAA/ASME/SPIEConference,1991:693~696采用生产多层陶瓷电容器的技术来制作层状陶瓷致动器,能达到具备...  相似文献   

5.
结合蒙特卡罗和漂移扩散分析的混合器件模拟程序=AhybrldevicesimulatorthatcombinesMonteCarloanddrift-diffusionanalysis[刊,英]/Kosi-na.H.…IEEETrans.Comp,A...  相似文献   

6.
在Si衬底上生长高跨导p型Ge沟MODFET=p-TypeGe-channelMODFET’swithhightransconductancegrownonSisubstrates[刊,英]/Konig,U.…//IEEEElectronDevice...  相似文献   

7.
本文扼要地阐述Lattice的pLSI/ispLSI1000系列高密度可编程逻辑器件与Altera EPM7000系列多阵列矩阵(MAX)器件在结构方面的差异,并指出使用pLSI/ispLSI器件在下列关键结构方面要优直于EPM7000系列器件:-逻辑块尺寸-乘积项配置-输入数目与逻辑利用率-时钟-输出使能-I/O寄存器-布线与端口锁定的灵活性-制作工艺  相似文献   

8.
掩模缺陷规范造成的器件成品率和可靠性问题=Deviceyieldandreliabilityby.specifica-tionofmaskdefects[刊,英]/Wiley,J.N…//SolidStateTechnol.-1993.36(7).-...  相似文献   

9.
用于先进器件金属化的铜膜的低压化学汽相淀积=Lowpressurechemicalvapordeposi-tioncopperfilmsforadvanceddevicemetalmetal-lization[刊,英]/Kim,D.H.…//J.El...  相似文献   

10.
FabricationofOrganic/PolymericSuperlaticeStructureandItsUseforElectroluminescentDevice①②CHENBaijun,HOUJingying,HUANGJingsong,...  相似文献   

11.
三端电压控制型负阻器件(2)郭维廉(天津大学电子工程系300072)第二章表面控制负阻晶体管(NEGIT)[5]表面控制负阻晶体管(Surface-ControlledNesativeImpedandeTransistor),简称NEGIT是在栅控晶...  相似文献   

12.
硅化物/变形Si_(1-x)Ge_x肖特基势垒红外检波器=Silicide/strainedSi_(1-x)Ge_xschottky-barrierinfrareddetectors[刊,英]/Xiao,X,…//IEEEElec-tronDevic...  相似文献   

13.
ElectroluminescentExcitationMechanismofErbium-activatedZincSulfideSemiconductorThinFilmDevices¥LIUZhaohong;WANGYujiang;CHENZh...  相似文献   

14.
本文对Lattice公司pLSI/ispLSI 1000系列高密度可编程逻辑器件和AMD公司MACH100/200系列PAL器件作了简要的比较。Lattice公司和AMD公司都是可编程逻辑器件的重要生产厂家,本文对Lattice的代表产品pLSI/ispLSI1000系列高密度可编程逻辑器件和AMD公司的代表产品MACH100/200系列,PAL在以下几个方面进行了比较:(1)逻辑块的尺寸;(2)  相似文献   

15.
本文主要论述了英国EEV,美国VariansEimacDivision和WestinghouseElec-tricCorp.以及法国Thomson四家公司在NAB97展示的数字HDTV发射管最新产品:四极管,MSR:速调管,SiC固态器件,IDT和双端四极管Diacrode的主要技术性能,同时也介绍了上述五种HDTV发射管在数字HDTV发射机中的应用实例。  相似文献   

16.
王磊  徐朴 《世界电信》2000,(11):18-21
本文介绍了EDGE(Enhanced Data rate for GSM Evolution)在第二阶段的无线接入网GERAN(GSM/EDGE Radio Access Network)的技术标准、业务功能等,并总结出与目前GSM网络结构兼容的EDGE Phase 2网络结构布局。  相似文献   

17.
郭维廉 《半导体杂志》1995,20(3):29-39,8
三端电压控制型负阻器件(7)郭维廉(天津大学电子工程系300072)第八章电压控制负阻MOS器件[2’j电压控制负阻MOS器件(Voltage-ControlledNegati、ResistanceMOSDevice)也称作“A”微分负阻MOSFET...  相似文献   

18.
采用修改的PISCES程序作FCL缓冲器中的硅-锗基极异质结双极器件的直流和瞬态分析=DCandtransientanalysisofaSiGe-basehet-erojunctionbipolardeviceinanECLbufferusingam...  相似文献   

19.
SolitonInteractioninOpticalSolitonSwitchingZHONGWei-PingCHENGuo-DingChiefEngineerOffice,HuizhouofPostandTelecommunicationHuiz...  相似文献   

20.
PSpiceModelingofOpto┐electronicdevicesUsingABMComponentsJianpingCHENDieterSTOLL1(NationalLaboratoryonLocalFiber-OpticCommuni...  相似文献   

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