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报道了对LEC法生长的SI-GaAs单晶热稳定性检测结果,在800℃以上温度条件下退火,发现GaAs单晶的热稳定不但与处理的条件有关,还与单晶中杂质C的含量有关。 相似文献
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研究了影响LEC生长GaAs单晶锭长的因素。发现,LEC系统中热场分布,热对流,坩埚直径和坩埚初始位置及装料量的多少等对LEC法生长的GaAs单晶锭子长度都有影响。 相似文献
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采用闭管As气氛保护高-低-中温热处理方法进行非掺SI-GaAs单晶热处理的研究,结果表明晶体的科技司有明显的改善,一般晶体的迁移率可提高一倍以上,在Φ3英寸非掺SI-GaAs单晶研究中,其晶体的电阻率不均匀性≤15%,EL2RSD≤5%,PL-Mapping≤9%。 相似文献
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研究了Si^+和Si^+/As^+注入到Horizontal Bridgman(HB)和Liquid Encapsulated Czochralski(LEC)方法制备的半绝缘GaAs衬底电激活效率与均匀性。结果发现:在相同条件下(注入与退火),不同生长方法的半绝缘GaAs衬底电激活不同,通常电激活HB〉LEC,HB SI--GaAs(Cr)(100)A面〉(100)B面,Si^+/As^+双离子 相似文献
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利用汽压控制直拉法,成功地生长了InP和GaAs单晶,其位错密度十分低,比液封直拉法生长的单晶要小一个数量级。VPEGaAs衬底的乘余应力是LEC衬底的1/4。当分子束外延生长时,产生的滑移位错在VCZ衬底上得到明显改善。在S掺杂的VPRInP晶体上没有滑移位错。在这种衬底上生长的VPEInGaAs外延层显示出几乎没有传播位错,而且漏电流极小。 相似文献
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本文以热处理方法研究了LECSI-GaAs中EL2径向分分布变化规律,着重研究了不同的热处理后冷却方式对EL2分布均匀性改善程度的影响,讨论了LECGaHs中EL2分布不均匀性的起源及热处理改善EL2分布均匀性的机理. 相似文献
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GaAs表面及AlxGa1—xAs/GaAsHBT外基区表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺研究 总被引:1,自引:1,他引:0
分析了AlxGa1-xAs/GaAsHBT外基区表面复合电流及外基区复面复合速度对直接增益的影响,用光致发光(PL)谱和Al/SiNx-S/GaAsMIS结构CV特性,研究了GaAs表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明,ECR-CVD淀积SiNx覆盖并在N2气氛中退火有助于改善GaAs表面硫钝化效果的稳定性,在此基础上形成了一套包括(NH4)2S处理,SiNxECR-CV 相似文献
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比较了掺In和非掺杂LEC-GaAs晶体中的EL2缺陷,分析了掺In量的不同与热处理过程的不同对LEC-GaAs晶体中EL2缺陷的影响。 相似文献
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半导体垂直腔面发射激光器(VCSELS)近几年来取得了很大的进展,其重要的原因就是引人了高铝组分的AIGaAS湿氧化技术.AIAs选择性氧化所形成的电流窗口,其直径可降至~lpm,从而使VCSELs的阈值电流降至五毫安以下,并增加了泵浦到有源区的效率,同时改善了输出激光模式,获得单模工作.由AIAS湿氧化后所形成的AIOx与GaAS构成的DBR反射镜,由于AIOx与GaAs的折射率反差增大,从而减少了所需要的AIAS和GaAS对数.实验样品为AIAS/GaAS多层DBR,经选择性化学腐蚀后露出有… 相似文献
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试图从器件应用角度来评价空间生长半绝缘GaAs单晶性能。为此我们选择了设计制备相对成熟、对材料性能要求的侧重面又不尽相同的器件和IC,并选择了六个与材料关系密切的参数作为评价的标称参数。实验结果表明,空间生长的半绝缘GaAs单晶的全面电性能均优于常规IEC半绝缘GaAs单晶。 相似文献
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在Ⅲ-Ⅴ族半导体GaAs外延层上共注入Er和O离子(GaAs:Er,O).经面对面优化退火后,光致发光(photoluminescence-PL)谱中观测到对应Er3+第一激发态到基态4I13/2-4I15/2跃迁,其相对强度较单注入Er的GaAs(GaAs:Er)增强10倍,且谱线变窄.从二次离子质谱(SecondaryIonMasSpectrometry-SIMS)和卢瑟福背散射实验给出退火前后Er在GaAs:Er样品中的剖面分布.SIMS测量分别给出O注入前后Er和O在GaAs:Er,O中的深度剖面分布,分析表明Er和O共注入后形成光学激活有效的发光中心. 相似文献
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实验研究了SI-GaAs材料中的EL2能级光淬灭对TSC谱的影响。EL2能级显著光淬灭后,TSC谱发生了明显的变化。一些TSC峰的高度明显降低甚至消失,在低温端TSC谱出现一些新的峰。 相似文献
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MBE生长的PM—HEMT结构中深电子陷阱及其钝化/消除 总被引:1,自引:1,他引:0
应用DLTS、SIMS和PL技术详细研究MBE生长的PM-HEMT结构中深能级。样品的DLTS谱表明在PM-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度和俘获截面的深电子陷阱,其能级位置分别位于导带下的0.64eV和0.79eV处。SIMS和PL谱表明深电子陷阱与ALGaAs层时原氧含量和光致发光(PL)响应有直接的联系,它们影响PM-HEMT结构的电性能,应用氢等离子体对深电子陷阱进行处理, 相似文献
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分析了AlxGa1-xAs/GaAsHBT外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响,用光致发光(PL)谱和Al/SiNx-S/GaAsMIS结构C-V特性,研究了GaAs表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明,ECR-CVD淀积SiNx覆盖并在N2气氛中退火有助于改善GaAs表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括(NH4)2S处理、SiNxECR-CVD淀积及退火并与现有HBT工艺兼容的外基区表面钝化工艺,使发射区面积为4×10μm2的器件增益比钝化前提高了4倍,且60天内不退化。 相似文献
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本文采用微孔遮挡近红外吸收法,对厚度为0.5mm左右薄片半绝缘(SI)-GaAs中深施主EL_2进行了直接测量,使用微机控制自动测量系统对SI-GaAs晶片中的EL_2浓度进行了微区分布测量,利用显微傅里叶变换红外光谱测量技术对硅外延层厚度,硅中间隙氧、替位砍含量,硼、磷、硅玻璃中的硼磷含量及薄片SI-GaAS中替位碳含量进行了FT-IR显微测量。实验结果为研究半导体材料的微区特性和均匀性提供了可靠的依据。 相似文献