氧化锡非化学计量性质研究

采用库伦滴定法,用 YSZ 固体电解质测定694～990K 温度范围与非化学计量氧化锡 SnO_(2-x)以及两相混合物平衡的氧气分压。在900K 附近,平衡氧气分压 Po_2与 SnO_(2-x)中的氧缺位浓度 x 间呈 x∞Po_2~(-1/6)关系。在783～990K 温度范围,SnO_(2-x)中缺陷反应的标准吉布斯自由能变化温度关系式为:△G~Φ_s_no2_=3.05×10~5-38.97T(J/mol)。在696～731K 温度范围,Sn_3O_4的标准生成自由能温度关系式为:△_fGΦ=-1163960+417.36T(J/mol)。     

NdBO_3和 Nd(BO_2)_3的标准生成自由能

用 CaF_2单晶和 ZrO_2(+MgO)为固体电解质分别构成原电池:■和 Pt,B_((s)),NdBO_(3(s)),Nd(BO_2)_(3(s))|ZrO_2|Cr_2O_(3(s)),Cr_((s)),Pt联合测了 NdBO_3和 Nd(BO_2)_3的标准生成自由能:ΔG~0_(NdBO_3)=-1757+3.8×10~(-1)TΔG~0_(Nd)(BO_2)_3=-3435+8.8×10~(-1)T由此求出由氧化物生成 NdBO_3及 Nd((BO_2)_3)的反应的标准生成自由能变化:1/2Nd_2O_(3(s))+1/2B_2O_(3■)=NdBO_(3(s))ΔG~0_(NdBO_3)=-242+1.4×10~(-1)T和 1/2Nd_2O_(3(s))+3/2B_2O_(3(s))=Nd(BO_2)_(3■)ΔG~0′_(NdBO_2)3=-693+4.6×10~(-1)T     

Binary System MnO-Nb_2O_5

The phase diagram of the binary systemMnO-Nb_2O_5 was studied by means of the differentialthermal analysis(DTA),X-ray diffraction analysis andscanning electron microscopy(SEM).Thermodynamic da-ta of the new compounds 4MnO·Nb_2O_5 andMnO·Nb_2O_5were found as follows:4MnO·Nb_2O_5:t_m=1398±2℃△H_m=129000(J/mol)△S_m=77(J/mol,K)△G_m~o=129000-77T(J/mol)MnO·Nb_2O_5:t_m=1499±2℃△H_m=86940(J/mol)△S_m=49.6(J/mol,K)△G_m~o=86940-49.6T(J/mol)The eutectic parameters for the system are given below:t_(E1)=1383±3℃ N_(E1(MnO))=0.896t_(E2)=1312±2℃ N_(E2(MoO))=0.713t_(E3)=1400±4℃ N_(E3(MnO))=0.231     

热电偶的热电势-温度公式及分段线性拟合

工业上广泛采用热电偶来测量温度。热电偶的热电势为: E_(AB)=k/e integral from n=r_0 to r ln(N_A/N_B)dr式中,k=1.38×10~(13)J/K; T、T.——测量端和参考端温度。 N_A、N_B——金属A、B的自由电子密度; e=4.8×10~(10)绝对静电单位。从上式可知,只要知道t=f(E)的函数关系,就可以把热电偶插入炉中,测量其热电势E(即上式的E_(AB))值,即可求出炉温。     

燃烧法合成的纳米α-Al2O3晶格热膨胀系数研究

采用动态高温粉晶X射线衍射技术,对燃烧法合成的纳米α-Al2O3从室温到1100℃之间的晶格热膨胀系数进行了测定.实验结果表明在测试温度范围内,纳米α-Al2O3的晶胞参数与温度呈线性关系.燃烧法合成的纳米α-Al2O3的晶胞参数随温度的变化符合关系式△a/(a0△T)=7.27×10-6/℃、△c/(c0△T)=7.50×10-6/℃和△V/(V0△T)=21.92×10-6/℃.     

稀土掺杂的Ba1-xSrxTiO3/MgO材料性能的影响

主要研究了La2O3、Sm2O3、Dy2O3、CeO2等稀土氧化物掺杂的BSTO/MgO铁电移相器材料的调谐性T、低频(10kHz)与高频(2GHz左右)相对介电常数εr和介质损耗tgδ等性能,并对影响机理作了初步探讨.实验结果表明,0.5mol%La2O3掺加的BSTO/MgO系统基本上达到了相控阵移相器在高频下工作的要求10kHz下,tgδ=4×10-4,T=14.6%;2.41GHz下,tgδ=6.7×10-3.     

掺Nb的SrTiO_3内边界层高介电常数材料

掺 Nb 的 SrTiO_3内边界层高介电常数材料,其相对介电常数(?)值高达7.2×10~4,介电耗损角正切 tgδ<2.5×10~(-2),介电常数的温度系数α_r<2.0×10~(-3)K~(-1),电压系数α_v<5.0×10~(-3)V~(-1)。它不仅是制作电容器的极好材料,而且是压敏电阻材料,其微分电导 dI/dV 在小于击穿电压范围为:(1.15/V~(1/2))×10~(a+bV~(1/2))。材料的特性跟烧结后的晶粒尺寸、过量的 TiO_2和扩散杂质的选择有极其密切的关系。     

标准电池检定规程中的误差分析

根据标准电池的特性可知,在标准电池的整个使用期间,外界温度变化几乎是引起误差的主要来源(当然还有振动、充放电等)。这不仅是由于标准电池的电动势—温度系数比较大(为-40μV/℃),而且由于其每个支管的温度系数分别为-350μV/℃和+310μV/℃,几乎比整只电池的温度系数大一个数量级,因此控温和测温是检定电池最应重视的。标准电池电动势与温度的关系表达式为: E_(?)=E_(20)+α(t-20)×10~(-6)+β(t-20)~2×10~(-6) (1)     

半导体陶瓷致冷材料的性能与结构

采用新的陶瓷工艺技术,在气氛保护条件下,通过固相烧结反应法制备出温差电多晶材料。对膺三元固溶体化合物 P 型(72%Sb_2Te_3+25%Bi_2Te_3+3%Sb_2Se_3)和 N 型(90%Bi_2Te_3+5%Sb_2Te_3+5%Sb_2Se_3)的掺杂陶瓷样品进行了性能与结构研究。找到了最佳工艺制度。样品性能参数为:N 型:α=186μV/K σ=1250Ω~(-1)·cm~(-1) λ=14.7mW/(cm.K) Z=2.9×10~(-3)/KP 型:α=220μV/K σ=900 Ω~(-1)·cm~(-1) λ=14.0mW/(cm.K) Z=3.1×10~(-3)/K     

用表面偏析法研究磷原子在Ni_(84)P_(16)非晶合金中的扩散

用 AES 原位加热的方法研究了 Ni_(84)P_(16)非晶合金中磷原子的表面偏析现象。在实验温度范围内,磷向自由表面的偏析是由体扩散控制的,表面浓度 C_S 随退火时间 t 的变化符合 Hoffmann—Erlewein关系(H—E关系)。在250—350℃温区内,磷原子单独向表面偏析,扩散系数 D 位于1.1×10~(-24)—9.0×10~(-22)m~2s~(-1)之间,D 与 T 符合 Arrhenius 关系,其中指数前因子 D_0=2.81×10~(-6)m~2s~_(-1),扩散激活能E_0=1.70eV。在380℃退火时,晶化产生的晶界加速 P 偏析,同时促进 Ni 向自由表面扩散。     

用粘度法测定半乳甘露聚糖的分子量和分子链构型参数

本文从市售田菁粉中分离出半乳甘露聚糖,经纯化分级后得到分子量从1.78×10~3到9.8×10~3的七个级分。用粘度法、小角光散射法和广角激光光散射法测定了各个级分在水中25℃时的[η]、M_(?)、A_2和R_g,得到它们与分子量的关系为[η]=1.88×10~(-2)M~(-0.3),A~2=3.55×10~(-3)M~(-0.65),R_g=4.70×10~(-2)M~(0.56);利用[η]/M~(1/2)=φ(r_o~2/M)~(3/2)+BM~(1/2)求得r_o~2/M=0.0145(nm~2);利用R_g~2/M=R-(gO)~2/M+K(R_(gO)~2)~5/2 M~2/R_g~3求得R_(gO)~2/M=0.0067(nm~2),α=0.518M~(0.06);利用Yamakawa-Fujii-Bohdanecky的蠕虫型圆柱体模型求得:M_2=457(nm~(-1)),(r_o~2/M)_∞=0.0167(nm~2)λ~(-1)=7.63(nm),ρ=3.82(nm),d=0.82(nm),L=2.19×10~(-3)M,C_∞=14.8,证明半乳甘露聚糖的主链略带刚性,但比三硝基纤维素柔软,可以用蠕虫状模型处理。     

超硬铝LC9合金的超塑性研究

微细晶粒超硬铝LC9合金在470～530℃温度范围内,速率为8.33×10~(-4)～1.66×10~(-2)s~(-1)条件下拉伸呈显出良好的超塑性。在最佳超塑性条件下(T=515℃,ε=1.66×10~(-3)s~(-1))获得延伸率δ=1300％、流变应力δ=1.7MN/M~2应变速率敏感性指数m=0.66 金相和电镜观察表明,在超塑流变过程中,除发生晶界滑动,扩散蠕变外,还发生明显的动态再结晶以及晶内结晶学滑移,晶内位错密度随变形量增大而增加。扩散蠕变导致在横向晶界上形成新的条带区,出现晶界迁移和无沉淀区,同时存在晶内和晶界扩散。空洞在三角晶界处萌生,沿横向晶界方向的扩展连结,导致突然断裂。     

用空间电荷限制电流法测量非晶硅基薄膜的隙态密度

利用常规的层状结构的空间电荷限制电流法,测得了具有一定厚度 d 的 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 和 GD-a-Si_(1-x)N_x∶H 膜不同含量 x 时的隙态分布 N(E):对 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜(d(?)1μm),当 x 为0、0.1、0.8时,平衡费米能级附近处的隙态密度 N(E_(?)~o)分别为2×10~(15)、4×10~(15)、6.2×10~(16)/cm~3·eV,对 GD-a-Si_(1-x)N_x∶H 膜(d(?)1μm),当 x 为0、0.05、0.2时,N(E_F~o)分别为2×10~(15)、3×10~(15)、4.5×10~(16)/cm~3·eV;得到了 GD-a-Si∶H 膜的隙态分布与膜厚度的关系,发现随着膜厚度的增加 N(E_F~o)在减小,当 d<1μm 时,N(E_F~o)约为10~(16)/cm~3·eV 的数量级,当 d>1μm 时,N(E_F~o)约为10~(15)/cm~3·eV 的数量级。对共面电极结构的样品,用温度调制空间电荷限制电流法(TM-SCLC),测得了 GD-a-Si∶H 膜的隙态分布,并对光处理前后的样品进行比较,发现强光照后存在有光诱导效应。我们对所得结果作了初步说明。     

Density of Liquid Ni-Mo Alloys Measured by a Modified Sessile Drop Method

The density of liquid binary Ni-Mo alloys with molybdenum concentration from 0 to 20% (mass fraction) wasmeasured by a modified sessile drop method. It has been found that the density of the liquid Ni-Mo alloys decreaseswith increasing temperature, but increases with the increase of molybdenum concentration in the alloys. The molarvolume of liquid Ni-Mo binary alloys increases with the increase of temperature and molybdenum concentration. Thepartial molar volume of molybdenum in Ni-Mo binary alloy has been approximately calculated as [13.18-2.65×10~(-3)T+(-47.94+3.10×10~(-2)T)×10~(-2)X_(Mo)]×10~(-6)m~3·mol~(-1). The molar volume of Ni-Mo alloy determined inthe present work shows a negative deviation from the ideal linear mixing molar volume.     

一种锁定半导体激光器频率的新方法

报道了一种实现半导体激光器频率锁定的新方法:通过交流磁场对法拉第反常色散光学滤波器(FADOF)的透射谱进行调制,将半导体激光器的频率锁定在FADOF的透射谱上。在B=1.76×10~(-2)T、T=120℃条件下,利用一阶导数稳频技术,测得1s和10s取样时间的频率稳定度分别为1.5×10~(-10)和5.8×10~(-11)。     

溴麝香草酚蓝分光光度法测定短链季铵盐

本文研究了以氯仿萃取四乙基溴化铵与溴麝香草酚蓝的离子缔合物后,水相中溴麝香草酚蓝的吸光度与四乙基溴化铵浓度的关系。结果表明:在pH-6.0的NaH_2PO_4—Na_2HPO_4缓冲体系中,以氯仿萃取溴麝香草酚蓝和四乙基溴化铵形成的离子缔合物,水相中溴麝香草酚蓝的吸光度变化值与四乙基溴化铵含量呈线性关系。四乙基溴化铵浓度在4×10~(-5)～4×10~(-4)mol/L范围内符合比尔定律,线性方程为△A=7.40×10~3C—0.0054,r=0.999。应用此法直接测定膨润土有机化程度,结果满意。     

Li_(1+x)Ti_(2-x)Cr_xP_3O_(12)系统的相关系与电性

研究了 Li_(1+x)Ti_(2-x)Cr_xP_3O_(12)系统的相组成与电性的关系。结果表明,Cr~(3+)能取代 LiTi_2P_3O_(12)中的Ti~(4+)生成固溶体,直至 x=0.8。在固溶体范围内,电导率随 x 的增加不断升高,至 x=0.8时达到极大。此时在室温和300℃的电导率分别为2.4×10~(-4)和4.8×10~(-2)S/cm,电子迁移数在10~(-4)数量级,分解电压为1.8V。对所得结果从结晶化学角度进行了讨论。     

双元素掺杂的a-Si∶H光电特性研究

本文研究由氮(N)、硼(B)以及卤素(X)元素掺杂的 a-Si∶H 膜在静电场下的光电特性.实验结果表明,(B+N)、(B+X)双元素掺杂比单元素更明显地提高 a-Si∶H 膜的表面电位 V_(?),降低残余电位V_R,并在 X/Si=10~(-2),B_2H_6/SiH_4=0.3×10~(-4)时,得到了 V_(?)=60V/μm,σ_D=10~(-4)((?)cm)~(-1)的静电复印用a-Si∶H 材料.     

锰锌铁氧体纳米晶的水热法制备及热动力学研究

通过加入添加剂经水热合成法制备了单相无硬团聚的 10～ 2 0nm锰锌铁氧体纳米晶 ,运用TEM ,XRD等进行了表征。引用热力学方法原理及相变理论分析了水热合成机理。以简化的数学模型讨论了晶体生长过程 ,晶体生长过程可分为两个阶段 ,分别满足以下动力学方程 :D =1.2 9× 10 -9exp(-Q1/RT)t+ 8.0 4× 10 -9　tt0分别求出了晶体生长不同阶段的激活能 ,Q1=3 6.17kJ·mol-1,Q2 =5 0 .3 0kJ·mol-1。t0 与晶化温度有关 ,t0 =2 .89/[1.2 9exp(-Q1/RT) -5 .86exp(-Q2 /RT) ]。     

掺钽对二氧化钛压敏电阻性能的影响

研究了钽对二氧化钛压敏电阻性能的影响。研究中发现掺入 0 .2 5mol %Ta2 O5的样品显示出最低的反转电压 (Eb= 6V/mm)、最高的非线性常数 (α =8.8)以及最高的相对介电常数 (εr=6 .2× 10 4 ) ,与样品电容和电阻的频谱特性相一致。样品的性能变化可用Ta5+ 对Ti4 + 的掺杂取代和该取代存在的饱和值来解释