自旋极化电流辅助的超快反磁化特性研究

基于微磁学模拟方法研究了椭圆纳米薄膜的超快反磁化特性。提出一种利用弱直流自旋极化电流辅助的场驱动进动反磁化新机制。新机制可以有效扩宽脉冲持续时间窗口,在宽的脉冲持续时间范围内可实现进动磁反转而无需精确控制;也可有效抑制磁反转后长时间磁振荡,缩短有效反磁化时间。时间窗口的扩宽和进动磁反转后磁振荡的衰减依赖于自旋极化电流密度。磁反转后的磁振荡由多种不同的自旋波模式构成,自旋转移力矩可以调制磁体有效阻尼,加速磁能量的耗散。     

自旋极化电流辅助的超快反磁化特性研究

基于微磁学模拟方法研究了椭圆纳米薄膜的超快反磁化特性。提出一种利用弱直流自旋极化电流辅助的场驱动进动反磁化新机制。新机制可以有效扩宽脉冲持续时间窗口,在宽的脉冲持续时间范围内可实现进动磁反转而无需精确控制;也可有效抑制磁反转后长时间磁振荡,缩短有效反磁化时间。时间窗口的扩宽和进动磁反转后磁振荡的衰减依赖于自旋极化电流密度。磁反转后的磁振荡由多种不同的自旋波模式构成,自旋转移力矩可以调制磁体有效阻尼,加速磁能量的耗散。     

自旋波电子学研究进展

近年来,传统的半导体工艺遭遇瓶颈,摩尔定律逐渐失效,亟需寻找下一代新型电子元器件.伴随着自旋波电子学的蓬勃发展,电子白旋作为一种信息传输的媒介引起了人们的广泛关注.白旋波是电子白旋的集体进动模式,是磁振子的宏观体现.自旋波电子学旨在利用自旋波的特性实现低功耗的信息器件制备,为下一代电子元器件的发展和应用提供可靠的理论基...     

横场下反铁磁耦合薄膜的自旋波

在格林函数的框架内,研究横场下反铁磁薄膜系统在不同波矢方向上的自旋波,分析横场、反铁磁耦合和薄膜厚度等薄膜参数对自旋波谱分布的影响.     

螺旋波等离子体沉积纳米硅薄膜结构特性

采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWPCVD)技术,以SiH4作为源反应气体在Si(100)和玻璃衬底上制备了纳米Si薄膜。通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱、原子力显微镜(AFM)对所制备的材料结构和形貌等特性进行表征,分析了纳米Si薄膜结构随衬底温度变化的规律。实验结果表明,在较低的衬底温度(100-300℃)范围内,可以实现高晶化度纳米Si薄膜的沉积,颗粒大小在4-8nm之间,样品的晶化度随着衬底温度升高而升高,晶粒大小也随之增大,样品表面光滑,晶粒分布均匀。     

层状薄膜开槽波导中表面静磁波的传播特性

理论分析了传播在层状磁性薄膜开槽波导中的表面静磁波，具体计算了具有不同饱和磁化情况下，表面静磁波传播在开槽波导中的磁场分布和能量分布。     

FeNHf软磁薄膜中磁各向异性对太赫兹波调控的研究

本文制备了具有磁各向异性的纳米FeNHf软磁薄膜,表征了FeNHf薄膜的微结构、磁性能、微波磁动力学行为和磁各向异性对太赫兹波传输特性的影响.FeNHf薄膜的难轴方向具有410的磁导率,易轴方向没有磁导率信号,磁各向异性场为2537.65 A/m.FeNHf薄膜在1.04 THz时出现了共振吸收峰,当调控磁化强度方向分...     

张应力对FeCoSiB非晶薄膜磁特性的影响

采用磁控溅射方法,在弯曲的玻璃基片上制备出受张应力作用的FeCoSiB非晶薄膜,研究了张应力大小对FeCoSiB薄膜的磁畴、矫顽力、剩磁、各向异性场等磁特性的影响.结果表明,薄膜的畴结构显著依赖于张应力,其磁畴宽度随张应力增加而增加;张应力导致FeCoSiB薄膜内形成较强的磁各向异性,其各向异性随应力的增大而增大.     

纳米复合薄膜吸波材料的研究进展

介绍纳米吸波剂的吸波剂机理,综述其研究现状,并总结各种薄膜吸波剂的优、缺点.最后对制备强、宽、轻、薄的纳米复合吸波剂进行展望.     

SmDyFeCo磁光薄膜的磁特性研究

采用射频磁控溅射方法制备了ＳｍＤｙＦｅＣｏ非晶磁光薄膜，研究了氩气压，溅射功率对ＳｍＤｙＦｅＣｏ薄膜磁特性的影响。实验表明，和ＤｙＦｅＣｏ非晶薄膜相比，ＳｍＤｙＦｅＣｏ非晶薄膜的矫顽力Ｈｃ随温度变化更为缓慢，并且具有更大的垂直磁各向异性常数，因而具有更好的记录特性，本征磁光克尔角可达０．３１，可以作为一种实用化的磁光记录介质。     

纳米TiO2薄膜表面微区分析的研究进展

在简要介绍纳米TiO2功能薄膜各种制备技术的基础上，着重对近年来研究TiO2薄膜及其复合薄膜采用的微区分析技术及应用研究进展进行了综述，并比较了各种微区分析技术的优缺点。     

沉积膜厚度对NdFeB薄膜形貌和磁性能的影响

采用直流磁控溅射法,以P型单晶硅为基体材料,通过调整溅射时间制备出不同厚度的NdFeB薄膜.然后对不同厚度的薄膜运用相关仪器进行表征,结果表明,NdFeB薄膜厚度随着溅射时间的延长呈现近似线性增加,不同溅射时间段的沉积速率近似相同.矫顽力随着薄膜的厚度和Nd含量的增加而增加,薄膜中F的含量由84.01％降至81.65％,Nd含量由10.73％升至13.10％,B含量在5.25％～5.38％范围内浮动.     

Development of a Thin Film Magnetic Moment Reference Material

In this paper we present the development of a magnetic moment reference material for low moment magnetic samples. We first conducted an inter-laboratory comparison to determine the most useful sample dimensions and magnetic properties for common instruments such as vibrating sample magnetometers (VSM), SQUIDs, and alternating gradient field magnetometers. The samples were fabricated and then measured using a vibrating sample magnetometer. Their magnetic moments were calibrated by tracing back to the NIST YIG sphere, SRM 2853.     

钡铁氧体垂直磁化膜磁各向异性研究

钡铁氧体垂直磁化膜可用作高密度磁记录介质。本文研究用低温ＲＦ磁控溅射法制备非晶薄膜，经晶化处理所得到的垂直磁化膜的饱和磁化强度Ｍｓ、矫顽力Ｈｃ及垂直磁各向异性常数Ｋｕｌ、Ｋｕ２与退火温度Ｔ的关系，并对所呈现出的变化规律作了简单解释。介绍了依据转矩曲线的形状来判断薄膜垂直性优劣的方法，从转矩曲线出发，探讨了影响薄膜磁各向异性的因素。     

Randomly Distributed Vacancies Influence on Magnetic Properties of the Bilayer Thin Film

In this paper we are investigating the magnetic behavior of the double-layer thin film in the extended Heisenberg model, with long-range dipolar interaction, taking into account the influence of the randomly distributed vacancies on the magnetic properties of the system. We are studying the physical quantities of interest (magnetization, magnetic susceptibility and specific heat) via Monte Carlo technique, by applying the standard Metropolis algorithm. In this context, we investigate the critical temperature variation for different vacancies concentration levels, taking into account the uniform and the superficial distribution of the defects, respectively.      

氧化石墨烯薄膜厚度对元件湿敏性能的影响

以改进Hummers法获得的氧化石墨为原料制备氧化石墨烯,采用旋涂法通过使用不同浓度的氧化石墨烯水相分散液制备不同厚度的氧化石墨烯薄膜湿敏元件。采用X射线衍射仪(XRD)、红外光谱仪(FT-IR)、扫描电子显微镜(SEM)、扫描探针显微镜(SPM)和湿度测试仪对氧化石墨烯薄膜的结构、形貌和湿敏性能进行分析。结果表明,在室温下随氧化石墨烯薄膜厚度减小(139nm、102nm、65nm、35nm和18nm),湿敏元件响应时间由10s缩短至2s,恢复时间由37s缩短至8s;在11.3%~93.6%RH范围内,湿敏元件电阻随湿度增加而显著减小,从兆欧级减小至千欧级,变化达到3个数量级;湿敏元件的最佳响应时间为2s,恢复时间为8s,最高灵敏度可达96.06%,具有较好的湿敏性能。     

高矫顽力SmCo/Cr薄膜的制备、结构及磁性

通过磁控溅射采用基板水冷方法制备ＳｍＣｏ／Ｃｒ双层膜。薄膜的成分及厚度、薄膜的制备条件,如溅射时的氩气压对薄膜的磁性有较大的影响。通过仔细控制这些参数,制备出矫顽力高达１８１ｋＡ／ｍ的薄膜。     

Mn-Mg共掺杂对钛酸锶钡薄膜介电性能的影响

用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO ₂/Si衬底上制备了系列Mn-Mg共掺杂的钛酸锶钡(Ba _0.25 Sr _0.75 TiO ₃)薄膜. X射线衍射以及场发射扫描电镜分析表明: 薄膜为钙钛矿结构且无杂相生成, 薄膜表面晶粒均匀、无裂纹. 测试了不同浓度掺杂薄膜的介电性能, 掺杂浓度为1mol% 时, 薄膜的介电常数、损耗、可调性和漏电流密度分别为200、0.010、38%、1×10^-5 A/cm ². 性能改善后的薄膜材料可以用来制作微波可调器件.     

基于稳恒磁场环境下Sm-Fe-B GMF成膜及其性能测试与模拟

在施加不同磁场强度及方向的稳恒磁场环境中,采用离子束溅射沉积法,在玻璃衬底上制备SmFe-B超磁致伸缩薄膜(GMF)。使用LS-7010M-KC激光微位移传感器与交变梯度磁强计(AGM)分别测试薄膜悬臂梁磁偏转量与磁滞回线,以研究制备时施加稳恒磁场对薄膜磁致伸缩性能及软磁性能的影响。利用微磁学软件OOMMF,模拟研究了在外加相同实验磁场强度下,施加不同稳恒磁场强度对Sm-Fe-B薄膜磁矩分布的影响。实验研究结果表明,施加稳恒磁场下制备的薄膜样品,其饱和磁致伸缩性能明显优于无磁场环境所制备的样品;在实验条件下,薄膜样品的磁致伸缩性能随着施加稳恒磁场强度的增大而提高。模拟与实验研究结果均表明,Sm-Fe-B GMF的易磁化轴与沉积过程中所施加的稳恒磁场方向一致。在特定的悬臂梁结构应用中,薄膜沉积过程中通过改变施加不同稳恒磁场方向与其强度大小,可获得达到所需易磁化轴方向且具有较大磁偏转量的薄膜元件。     

薄膜气敏材料的性能和研制薄膜气敏元件的工艺探索

给出了薄膜气敏材料性能的测试结果：存在最佳灵敏度膜厚l *（ l *≈1500?）;动态特性;膜越薄响应越快;存在最佳掺杂（ CeO2）量x%,x的取值范围为5~15。提出了复合绝缘膜Si/SiO2/Al2 O3衬底;提出了研制薄膜的粉末溅射;给出了研制电导气敏薄膜元件的工艺流程,并对各工艺进行了必要的说明。