硅整流元件供货说明

一、本所目前能供应的硅元件规格如下: 1.3CT可控硅元件系列: 50A 100A 200A 300A(风冷)600—2500V500A(水冷)300—2000V 2.2CZ硅整流元件系列: 50A 100A 200A 300A(风冷)100—1200V,500A(水冷)100—1000V 3.2CZB硅雪崩整流元件系列: 50A 100A 200A 300A(风冷)800—2500V500A(水冷)800—2500V 二、本所对3CT可控硅元件,200A 3000V(风冷),400A 2500V(水冷)已试制成功。并能提供     

晶闸管伏安、触发特性测试仪

各种晶闸管(可控硅)、快速可控硅和普通整流二极管,在近十余年来获得十分迅速的发展,已经在发电、冶金、运输、化工、电镀、输变电工程和自动控制,家用电器等领域内大量应用。正是由于这些元件的出现,引起了一场电力电子技术革命,对现代技术的发展起了很大的作用。对这些元件的电气参数的测试不单是元件制造厂必不可少,而且扩大用户也显得十分需要。 元件断态的正反向重复峰值电压和不重复峰值电压(也称转折断压)及其对应的漏电流(整流二极管只有反向参数),以及门极的特     

大型发电机励磁功率整流柜基本参数设计与选择

以大唐观音岩水电站为例,给出励磁功率整流柜反向重复峰值电压、可控硅元件损耗、散热器、风机、快速熔断器和整流柜损耗及励磁功率整流柜保护等基本参数计算、设计和选择方法,提出励磁功率整流柜参数设计中应注意的问题,对大型发电机励磁功率整流柜的参数设计和选型具有一定的借鉴作用。     

功率模块DFA100BA160中晶闸管好坏的判断方法

<正>问请问如何判断DFA100BA160模块中晶闸管的好坏?答DFA100BA160是三相二极管全桥整流电路的正输出端串联一晶闸管的混合功率模块,其端子编号如图1所示。它主要用于电气传动的变流器、稳流电源及开关电源等,主要参数如下。(1)二极管的主要参数:1反向重复峰值电压1 600 V;2输出电流平均值100 A;3正向通态压降1.3 V。(2)晶闸管的主要参数:1反向重复峰值电压1 600 V;2断态重复峰值电压1 600 V;3通态平均电流100 A;4通态峰值电压1.2 V;5断态重复峰值电流最大值70mA;     

专家解疑

问1：国产晶闸管型号的含义是什么？其主要参数如何？答：国产品闸管型号的含义如下：例如KP10--20表示额定通态平均电流为10A，正、反向重复峰值电压为2000V的普通反向阻断型晶闸管。又如KP300-10D表示额定通态平均电流为300A，正、反向重复峰值电压为1000V，D组通态平均电压是0．7V的普通反向阻断型晶闸管。     

从电子、家用电器元器件到基本电路(十一)

(10)可控硅(又称晶闸管):它是一个四层(P、N、P、N)、三个极(阳极A、阴极K、控制极G)、三个PN结(J1、J2、J3)的硅半导体器件,如图86所示。可控硅整流元件与普通硅整流元件(不可控)相比较,发现普通硅整流二极管上加上一个正向电压,它就立即导通,而可控     

半导体二极管

表7快速恢复整流器主要技术参数最大绝对额定值(T。一25℃)型号峰值反向电压 VRM(V)最大有效电压 V:(V)直流截止电压 Vo(V)平均正向整流电流Ir(A)峰值正向浪涌电流I:sM(A)结温T.(℃)贮存和工作温度 Tst:(℃)PR1001,FR101PR1002,FR102PR1003,FR103PR1004,FR104PR1005,FR105PR1006,FR106PR1007,FR107 5010020040060080010003570140280420560700 501002004006008001000l01 .01 .01 .01 .01 .01 .05050505O505O5O175175175175175175175一65~175一65~175一65~175一65~175一65~175一65~175一65~175电特性(Ta一25℃)正向电压直…     

JL294—3数字显示晶体管直流参数测试表问答

JL294-3数字显示晶体管直流参数测试表能测试多种电子元件,除能测试三极管、可控硅、场效应管外,还能测试多种晶体管参数。它比指针式同类仪表分辨率高,量程大,能发现测试中元件的细微变化。 一、怎样用本仪表识别各种晶体管?以K4档(V_(BR)200.0V,电流<1mA)测试管子正向压降为依据:锗管PN结正向压降为0.1V～0.3V;硅管为0.4V～0.6V;稳压二极管正常值为0.7V;红外发射管正常值为1.0V;红外接收管正常值为9V左右;双向触发二极管双向电压值均30V左右;发光二极管为1.5V～1.8V(应能发光)。     

常见片状二极管介绍

1.片状整流二极管整流一般指的是将工频(50Hz)的交流变成脉动直流,常用的是1N4001～4007系列1A、50～1000V整流二极管(圆柱形玻封或塑封)。选择片状整流二极管有两个主要参数:最高反向工作电压(峰值)VR和额定正向整流电流(平均值)IF。为减小印制板面积并简化生产,还开发出了片状桥式整流器,常用的有VR=200VIF=1A的全桥,如图1所示。     

一种航天用Weinberg拓扑软开关变换器

此处针对传统Weinberg拓扑开关管应力大、整流二极管反向电压尖峰大的问题,在传统Weinberg拓扑基础上,添加辅助电感、辅助电容、二极管实现金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)零电压开通、二极管零电流关断,提出一种新型航天用Weinberg软开关变换器.详细分析了该软开关变换器工作原理,搭建了一台输入电压68～79 V,输出电压102～103 V,额定输出功率1000W,开关频率50 kHz的原理样机.实验表明,该变换器可以有效降低MOSFET电应力,在额定工况下,将其MOSFET开通时4A电流尖峰降低至零,降低整流二极管反向电压尖峰,将其反向电压尖峰从135 V减小至10 V,减小母线电压纹波,有效提高电源可靠性,验证了Weinberg软开关拓扑理论的正确性.     

压频变换器AD654

附图是用AD654的低成本压频变换器(VFC)。只要按图连接必要元件R_T和C_T,就可成为VFC应用电路。电源电压可低至4.5V仍能保证性能,保证性能至16.5V,耗电流最大3mA(空载)。最高频率520kHz。输入电压范围限于0～4V。输入量程V_(IN)由电阻R_T决定,即V_(IN)max/R_T=1mA。例如V_(IN)=0～1V取用R_T=1kΩ,V_(IN)=0～5V选用R_T=     

励磁整流柜冷却风道的改进

中山发电厂A厂2台125 MW机组所配套的励磁整流柜,型号是ZLF01-900/500。每台机配4只整流柜,总的输出能力为3 600 A(500 V),正常情况下,只要2台整流柜并联运行即可满足发电机励磁电流(1 650 A)的要求,另2台备用。 该型励磁整流柜采用了三相桥式整流电路,工作中12只硅元件发热量较大。为了散热的需要,制造厂在柜顶安装了一台冷却风机,只要整流柜投入使用,冷却风机即24 h工作。整流柜小室的设计也充分考虑到散热问题,在柜体的前上方安装了通风管道,由1台通风机将4台冷却风机排出的热风抽至室外。布置情况如图1所示。图1 改造前的整流柜…     

由保险熔断引起发电机跳闸的反思

某125MW机组所配的励磁整流柜,型号为ZLF-900/500,1台机组配4个整流柜,总输出能力3600A/500V,正常情况下,2个整流柜可达要求。该型励磁整流柜采用了三相桥式整流电路,工作中12只硅元件发热量较大。2004-09-09T15:15,该发电机跳闸,“整流柜故障”信号发出,现场检查发现1,2,3号整     

GVA系列硅整流装置的改进

GVA系列硅整流装置广泛地应用于一次变电所,作为蓄电池的浮充电电源和充电电源,其原理接线图见图1。这种硅整流装置的优点是调节电压、电流比较方便。但现有结构的GVA系列整流装置的主要缺点是当直流系统接地时,会造成硅整流元件的损坏, 变电所所用变压器二次侧中性点是直接接地的,而变电所在运行中,不可避免地会出现直流系统接地。这时,从所用变压器二次例接地的中性点上串过来的短路电流会烧坏硅整流元件。当直流( )极接地时,A、B、C三个硅整流元件会被烧坏;当直流     

无功就地补偿器在整流设备上的应用

泰山机械厂现有水冷式整流器KFS-18V／3000A型6台,额定输入电压三相交流380V;额定输出电压18V、电流3000A。实测：输入侧电流57-65．3A、电压370A,功率因数为0．5-0．6;输出侧设定在14V,随电解时间的延长,负载电流逐渐达到1800A。由上可见,设备利用率很低。该设备采用三相桥式相控带阻感负载的整流电路,单台容量大,在输入侧产生了大量的谐波电流且功率因数滞后,因此消耗了大量的无功功率,降低了设备出力。该整流设备负荷平稳且承担着全厂金刚石的电解任务,除装（卸）篮、更换电解液外,平均每天22h连续生产。     

飞跃牌扩音机整流管的代换

飞跃牌R150—1型150W扩音机是电子管扩音机,由于线路设计合理,寿命长,在社会上仍有一定的拥有量,如果高压整流管G_8、G_9(汞气二极管,型号为EG1-0.3/8.5)损坏,若无同型号可换,可用硅整流堆2CL56C代替,它们的参数如下:EG1—0.3/8.5:平均整流电流0.3A,最大屏极电压8.5kV,最大整流电流0.3A;2CL56C:正向电流为0.5A,最大反向电压为3kV,最大整流电流为10A。电源变压器正常工作时提     

大功率硅变流机组过电压保护用新器件—压敏电阻的应用

一、概述硅整流二极管及可控硅元件在工农业生产的各个部门中应用越来越广泛。硅整流器件(硅整流二极管、可控硅元件)对于过电压很敏感,在运行时需要设置可靠而又简单的过电压保护器件。目前绝大多数场合是采用R—C 链及硒堆,这二种过电压保护装置抑制过电压是有效的。但前者阻尼电阻上的电能损耗大,电容器的体积大,很不经济,后者虽然电能损耗小,但仅适用于电压较低的场合,对用于高电压、大功率的硅整流机组     

整流变与电抗器问母排连接不当导致发热不均

我公司电解铝整流所安装有4台大型ZHSF-PTB-110000／220整流变压器机组(调压变压器、整流变压器、饱和电抗器分体安装)，一次额定电压为220kV。硅整流装置采用ZHWF-37000／1220型三相桥式同相逆并联硅二极管，额定直流电压为1220V，单柜额定电流为37000A。     

断相,相序监控装置

在电力拖动系统中,有些设备是不允许缺相与反转运行的,否则会烧坏电机或损坏设备。针对这一现象,我们设计安装了一套断相、相序监控装置,有效地避免了电机反转与断相运行。 (1)工作原理 断相、相序监控装置电路如图所示。它是由三相指示、相序检测及稳压电源三部分组成。其中三相指示部分由电阻R_4～R_6及发光二极管V_(14)～V_(16)等元件构成,当三只发光二极管均发光表示电源不缺相。T为降压变压器,一次绕组接380V线电压,二次输出9V经二极管整流、电容滤波及     

电扇自然风控制器

本文介绍的电风扇控制器可自动调节电风扇转速以便产生自然风。该原理还可推广到其他调压、调速系统。 1.电路工作原理 原理电路如图1所示。220V交流电压经变压器T降压、V_1～V_4桥式整流后,形成一串半波正弦脉动电压加到与非门1输入端,如图2A所示。电压每次到0V时,门1即变为高电位,从B端输出一串过零脉冲信号,如图2B所示。