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提出一种新型液动压悬浮抛光方法,阐述液动压悬浮抛光的基本原理,通过对结构化单元的划分及其流体液动压力的研究,推导出液动压承载力与抛光液黏度、抛光工具速度、抛光间隙以及抛光工具盘结构参数如单元长度、单元宽度、形状系数等的解析模型.数值模拟研究获得了影响液动压悬浮抛光工具盘承载力大小的主要因素,液动压抛光工具盘的斜面升高比和斜面占长比对承载力的数值大小存在极值条件,承载力与抛光工具盘速度和单元长度成正比,承载力与单元宽度的平方成正比并与加工间隙的平方成反比,单元宽度和加工间隙对承载力数值大小的作用最为显著. 相似文献
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根据运动学分析,研究了磁头和抛光盘接触面之间速度场的分布;结合流体力学理论,将抛光盘表面的沟槽视为楔形滑块或阶梯轴承,研究了磁头和抛光盘接触面之间抛光液的流动行为.并以织构纹形抛光盘的一种抛光工艺为例,分析了抛光液膜厚度随速度变化而发生的变化.结果表明,磁头和抛光盘的转速比大于或小于1时,接触面之间形成变化的速度场;由于速度的变化,接触面之间局部的抛光液流量也随之变化;相应地,抛光液膜的局部厚度也发生变化,这种变化达到数量级;液膜承担的载荷亦发生变化,形成局部的负压或高压,从而导致磨粒的行为发生变化,影响抛光过程. 相似文献
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《机电工程》2018,(11)
针对已有悬浮抛光装置研磨不平稳从而引起的加工表面质量不高问题,对液动压悬浮抛光方法、声悬浮抛光方法和磨料水射流抛光方法等表面超光滑加工技术进行了分析研究,提出了一种基于气压浮动的防碰撞悬浮抛光方法。根据静压气体润滑原理,建立了防碰撞装置的径向承载力计算模型,通过提高侧向承载力与刚度,同时减小泄气量,使径向承载力可以克服偏心力,从而促使防碰撞装置自动归位;利用Fluent软件建立了防碰撞装置流体仿真计算模型,计算得到了防碰撞装置沿轴向的压力分布情况。研究结果表明:基于气压浮动的防碰撞悬浮基盘抛光方法可以提高表面抛光质量;仿真计算结果和理论计算结果偏差小于6%,防碰撞装置和基盘的偏心率小于0. 2,防碰撞装置具有良好效果。 相似文献
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磁头表面极尖沉降(PTR)是影响硬盘存储密度的关键因素之一。采用修正环形浮动块研磨抛光机和自由磨粒抛光方式抛光GMR硬盘磁头,并用原子力显微镜测试磁头的PTR,抛光试验表明:PTR与抛光盘表面形貌参数、磨粒大小、抛光压力和抛光盘转速有关。抛光盘表面取合适的形貌参数可以获得小的PTR;磨粒越小,PTR越小;抛光压力越大,PTR越小;抛光盘转速越小,PTR越小。研究结果有助于优化抛光工艺,在获得最佳PTR的同时,兼顾效率与成本的因素。 相似文献
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全口径环形抛光是加工大口径平面光学元件的关键技术之一,其瓶颈问题是元件面形的高效高精度控制。通过研究元件面形的影响因素及其控制方法从而提升其确定性控制水平。围绕影响面形误差的运动速度、抛光盘表面形状误差和钝化状态等关键工艺因素,建立基于运动轨迹有效弧长的环形抛光运动学模型,揭示了抛光盘表面开槽槽型对面形误差的影响规律;提出了采用位移传感器以螺旋路径扫描抛光盘表面并通过插值算法生成其形状误差的方法,建立基于小工具的子口径修正方法,实现了抛光盘形状误差的在位定量修正;提出抛光盘表面钝化状态的监测方法,研究了抛光盘表面钝化状态对面形误差的影响规律。结果表明:抛光盘表面开槽采用环形槽时元件表面容易产生环带特征,采用径向槽、方形槽和螺旋槽时元件表面较为匀滑;通过在位定量检测和修正抛光盘形状误差,可显著提升元件的面形精度;随着抛光盘表面的逐渐钝化,元件面形逐渐恶化。在研制的5 m直径大口径环形抛光机床上加工800 mm×400 mm×100mm平面元件的面形PV值优于λ/6(λ=632.8 nm),提升了元件的面形控制效率和精度。 相似文献
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针对第三代半导体材料氮化镓(GaN)光电化学机械抛光的加工需求,研制了具有紫外光照射、电压加载和机械抛光功能的光电化学机械抛光(PECMP)装置。设计了紫外光可直接照射到GaN晶片表面的抛光盘单元,加工区稳定加载电压且与装置绝缘的电气回路,抛光盘和工件盘能够独立回转的驱动机构,并且抛光盘可以往复移动、抛光压力可以可调加载。建立了PECMP装置的整机三维模型,通过静力学分析和模态分析,优化了抛光盘和龙门等关键部件结构。搭建了PECMP抛光装置,并进行了性能测试,实现了可施加的光照强度0~200 mW·cm-2,电压大小0~10±0.1 V,绝缘电阻150 MΩ,抛光盘转速10~100 r/min,工件转速10~200 r/min,抛光盘往复移动速度1~100 mm/s,压力加载范围0~200 N,满足2英寸GaN晶片的PECMP加工需求。 相似文献
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针对液动压悬浮抛光固-液两相流中固相颗粒与工件表面撞击的过程,对不同加工工况下的固相颗粒与工件表面的撞击角度和速度进行了研究。采用计算流体力学方法建立了液动压悬浮抛光流场的三维模型,并输出了固相颗粒撞击工件表面的速度场;同时使用粒子图像测速方法对不同工况下的抛光流场进行了试验观测。研究结果表明:CFD模拟获得的撞击速度值与PIV观测值非常接近,且随转速增加,PIV观测值受固相颗粒之间的撞击效应影响越大;抛光过程中固相颗粒撞击工件表面的角度非常小,近似于在工件表面平行摩擦,且抛光盘转速和抛光液浓度对撞击角度的影响很小。 相似文献
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化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)材料去除及负载特性主要受界面摩擦影响。对旋转型CMP系统进行了运动学和动力学分析,由此建立了CMP设备抛光界面摩擦负载(包括摩擦力矩和摩擦径向力)表达式。系统研究了CMP设备抛光头抛光盘主体结构负载特性随运动参数的变化规律,发现抛光头/盘转速比对负载影响最为明显:随转速比的增加,抛光头所受摩擦力矩增加,抛光盘所受摩擦力矩减小;且对抛光头而言存在值为1的临界转速比,当转速比小于1时,摩擦力矩对抛光头为驱动力矩;实际工况下转速比接近1时,抛光头所受摩擦力矩几乎为零,因相对运动而产生的摩擦负载主要由抛光盘承载。在此基础上,采用商用有限元分析软件建立了抛光盘及转子有限元模型,分析了抛光盘在螺钉预紧力、偏心轴向力和摩擦力矩复合载荷作用下的变形特性,为CMP装备设计提供了依据。 相似文献
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分析了线性液动压抛光加工中液流对工件表面的作用形式,推导了黏性切应力和液动压力数学模型。对线性液动压抛光流场进行了数值模拟,剖析了抛光辊子尺寸以及抛光工艺参数对液动压和黏性切应力的数值及分布均匀性的影响规律。研究结果表明:液动压力和黏性切应力数值随辊子直径和辊子转速的增加而增加,与此同时其分布均匀性反而下降;抛光间隙值越小,液动压力和黏性切应力数值越大,且其分布均匀性越好。最后采用自制的线性液动压抛光实验平台,以K9玻璃为实验对象,探究了抛光加工表面形貌和表面粗糙度的创成过程。 相似文献
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荣烈润 《机械工人(冷加工)》2012,(14):36-40
3.水合抛光
水合抛光是利用在工件界面上产生的水合反应的新型高效、超精密抛光方法。主要特点是不使用磨粒和加工液,而加工装置又与当前使用的抛光机类似,只是在水蒸气环境中进行加工。为此,要尽量避免使用能与工件产生固相反应的材料作抛光盘。 相似文献
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针对以往液动压抛光装置中存在的压力较小、不均及离心力无法消除的问题,提出了一种线性液动压抛光方法。基于液体动压润滑理论,该方法在抛光液浸没环境中,以高速旋转的辊子带动抛光液对工件表面进行了材料微量去除;同时,设计了一种新型抛光辊子,并在辊子表面设计了不同形状的沟槽,加强了液动压效应;利用CFD软件,对抛光环境下的流体进行了数值模拟,得出了线性液动压抛光的流体压力分布,并与前人的研究结果进行了比较。研究结果表明:新装置所能形成的液体动压力明显大于以往装置,该线性抛光方式能够提高加工区域的流体压力,并能改善压力不均及离心力等问题,更好地满足超精密抛光的需求。 相似文献