第3代半导体产业发展概况

<正>第3代半导体是指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石、氧化锌(ZnO)为代表的宽禁带半导体材料,各类半导体材料的带隙能比较见表1。与传统的第1代、第2代半导体材料硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,第3代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能,使其在光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大     

第3代半导体材料在光电器件方面的发展和应用

<正>一、第3代半导体材料概述第3代半导体材料是继第1代半导体材料和第2代半导体材料之后,近20年刚刚发展起来的新型宽禁带半导体材料。第3代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和氮化铝(AlN)等宽禁带化合物半导体为代表,其具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及高抗辐射能力等特点,因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,在光电子领     

微波功率器件及其材料的发展和应用前景

介绍了微波功率器件的发展和前景,对HBT,MESFET和HEMT微波功率器件材料的特点和选取,以及器件的特性和设计做了分类说明.着重介绍了SiGe合金、InPSiC、GaN等新型微波功率器件材料.并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制现状及与国外的差距做了概述与展望.     

SiC材料，器件和应用：市场现状和将来趋势

对SiC材料，开始是用其机械性能。20世纪90年代开始生产SiC单晶锭，从而开辟新的光电子学和功率电子学应用领域；即用于制备功率电子器件、RF(射频)／微波器件，氮化物基光电器件的衬底以及MEMS(微电子机械系统)和微系统用器件，尤其适合于制造在恶劣环境中使用的微系统器件。     

国内氮化镓半导体材料及应用专利布局现状

正氮化镓(GaN)半导体材料作为第3代半导体的核心材料,自20世纪90年代开始用于LED显示领域,目前已广泛应用于普通照明及显示领域。而从2010年第1个GaN功率器件投入市场后,GaN功率器件又逐渐成为半导体功率器件主流。2021年随着各国5G通讯、消费性电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升,     

国外先进半导体在新能源领域的应用

正半导体材料是对导电性介于电介质和导体材料导电性能之间的材料概括[1]。由于半导体材料的性能优势及产业带动作用,其发展异常迅猛,至今已更迭至第3代。第1代半导体材料诞生于20世纪50年代,主要是指以硅(Si)、锗(Ge)元素为代表的半导体材料,是一切逻辑器件的基础,主要用于各类分立器件,并且在极为普遍应用的集成电路、     

国外第3代半导体材料项目国家支持行动初探

<正>相比第1代与第2代半导体材料,第3代半导体材料是具有较大禁带宽度(禁带宽度2.2eV)的半导体材料。第3代半导体主要包括碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、金刚石、氧化锌(ZnO),其中,发展较为成熟的是SiC和GaN。第3代半导体材料在导热率、抗辐射能力、击穿电场、电子饱和速率等方面     

第三代半导体或将引发又一次照明革命

事件：继硅（si）引导的第一代半导体和砷化镓（GaAs）引导的第二代半导体后，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的第三代半导体材料闪亮登场并已逐步发展壮大。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率和更高的抗辐射能力，因而更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。此外，第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点，因而在一些蓝、绿、紫光的发光二极管、半导体激光器等方面有着广泛的应用。从目前第三代半导体材料和器件的研究来看，较为成熟的是碳化硅SiC和GaN半导体材料，而Zn0、金刚石和A1N等宽禁带半导体材料的研究尚属起步阶段。     

第3代半导体材料发展现状及建议

<正>第3代半导体材料即宽禁带半导体材料,又称高温半导体材料,主要包括碳化硅(Si C)、氮化镓(Ga N)、氮化铝(Al N)、氧化锌(Zn O)、金刚石等。这类材料具有宽的禁带宽度(禁带宽度大于2.2e V)、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射能力、高的电子饱和速率等特点,适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作。第3代半导体材料凭借着其优异的特性,未来应用前景十分广阔。     

泰科天润半导体科技(北京)有限公司

<正>泰科天润半导体科技(北京)有限公司(Global Power Technology(Beijing)Co.,Ltd.,简称泰科天润,是中国SiC功率器件产业化的先行者之一。泰科天润致力于中国半导体功率器件制造产业的发展,并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。泰科天润在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂,可在4-6英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。拥有商业化碳膜溅射机,高温离子注入机以及量产型高温退火炉等。     

左手材料的研究及应用

<正>左手材料(Left-Handed Materials,LHMs)是超材料的一种,是指自然界中不存在的、介电常数(ε)和磁导率(μ)同时为负值的、具有奇异电磁特性的人工结构,主要应用于微波器件、     

第3代半导体材料在5G通讯领域的发展与机遇

正一、研究背景宽禁带半导体——碳化硅(Si C)和氮化镓(Ga N),是继第1代硅(Si)、锗(Ge)和第2代砷化镓(Ga As)、磷化铟(In P)等材料之后发展起来的第3代半导体材料。宽禁带半导体可以在较高的温度和较大的外界能量作用下保持原有的N型或P型导电性能,从而使器件可以在高温和强辐照环境下工作,其临界场强也大,因此器件的耐压程度也较高。第3     

泰科天润半导体科技(北京)有限公司

<正>泰科天润半导体科技(北京)有限公司(Global Power Technology(Beijing)Co.,Ltd.,简称泰科天润,是中国SiC功率器件产业化的先行者之一。泰科天润致力于中国半导体功率器件制造产业的发展,并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。泰科天润在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂,可在4-6英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。     

碳化硅功率器件研究现状

<正>随着我国科技事业的大力发展,尤其是航空航天、高铁和高压输电等尖端领域,非常需要性能更好的功率器件作为研究和发展的支撑。而硅(Si)器件由于材料本身的限制导致其不适合在某些严酷条件下工作,例如在高温、高压和高辐射等特殊环境下其性能已经接近极限。而第3代宽带隙半导体材料由于其材料本身所具备的优势而被业界称为"极端电子学器件"的基础材料。以碳化硅(Si C)为基     

基片集成波导技术的研究现状和展望

综述了基片集成波导(SIW)技术研究的现状和热点,首先分析了SIW的基本理论,包括SIW结构设计、损耗机制和频带宽度等;然后详细分析了基于SIW的微波和毫米波器件,包括无源器件、有源器件、天线和可调谐器件;接着对基于SIW技术的器件模拟和制作进行了详细论述;最后对SIW技术应用于太赫兹器件的设计进行了展望.     

泰科天润半导体科技(北京)有限公司

<正>泰科天润半导体科技(北京)有限公司(Global Power Technology(Beijing)Co.,Ltd.,简称泰科天润,是中国sic功率器件产业化的先行者之一。泰科天润致力于中国半导体功率器件制造产业的发展,并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。泰科天润在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂,可在4-6英寸Sic晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。拥有商业化碳膜溅射机,高温离子注入机以及量产型高温退火炉等。泰科天润的目前产品以600V~3300V Sic肖特基二极管(Schottky diode)为主。泰科天润能够为客户提供半导     

泰科天润半导体科技(北京)有限公司

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GaN单晶的HVPE生长与掺杂进展

相比于第一代和第二代半导体材料,第三代半导体材料具有更高的击穿场强、电子饱和速率、热导率以及更宽的带隙,更适用于制备高频、大功率、抗辐射、耐腐蚀的电子器件、光电子器件和发光器件。氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表之一,是制作蓝绿激光、射频微波器件和电力电子器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通信、相控阵雷达、航空航天等领域具有广阔的应用前景。氢化物气相外延(Hydride vapor phase epitaxy, HVPE)方法因生长设备简单、生长条件温和和生长速度快而成为制备GaN晶体的主流方法。由于普遍使用石英反应器,HVPE法生长获得的非故意掺杂GaN不可避免地存在施主型杂质Si和O,使其表现出n型半导体特性,但载流子浓度高和电导率低限制了其在高频大功率器件中的应用。掺杂是改善半导体材料电学性能最普遍的方法,通过掺杂不同掺杂剂可以获得不同类型的GaN单晶衬底,提高其电化学特性,从而满足市场应用的不同需求。本文介绍了GaN半导体晶体材料的基本结构和性质,综述了近年来采用HVPE法生长高质量GaN晶体的主要研究进展;对GaN的掺杂特性、掺杂剂类型、生长工艺以及掺杂原子对电学性...     

氮化镓半导体材料研究与应用现状

正电力电子、新能源、电动汽车、5G通讯、高速轨道列车、能源互联网和智能工业等领域的兴起,对功率器件的性能提出了越来越高的要求。但传统硅(Si)器件已达到材料的物理极限,无法满足当前应用场景的需求。作为第3代半导体材料的典型代表,氮化镓(GaN)在1928年由Johason等人首次成功制备,