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GaAs表面及AlxGa1—xAs/GaAsHBT外基区表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺研究 总被引:1,自引:1,他引:0
分析了AlxGa1-xAs/GaAsHBT外基区表面复合电流及外基区复面复合速度对直接增益的影响,用光致发光(PL)谱和Al/SiNx-S/GaAsMIS结构CV特性,研究了GaAs表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明,ECR-CVD淀积SiNx覆盖并在N2气氛中退火有助于改善GaAs表面硫钝化效果的稳定性,在此基础上形成了一套包括(NH4)2S处理,SiNxECR-CV 相似文献
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分析了AlxGa1-xAs/GaAsHBT外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响,用光致发光(PL)谱和Al/SiNx-S/GaAsMIS结构C-V特性,研究了GaAs表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明,ECR-CVD淀积SiNx覆盖并在N2气氛中退火有助于改善GaAs表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括(NH4)2S处理、SiNxECR-CVD淀积及退火并与现有HBT工艺兼容的外基区表面钝化工艺,使发射区面积为4×10μm2的器件增益比钝化前提高了4倍,且60天内不退化。 相似文献
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本文研究了各种实验参数对O-SIMS和Cs-SIMS中GaAs二次离子发射的影响,和样品室中氧分压对GaAs二次离子发射的增强效应.实验表明,与Ar-SIMS不同,O-SIMS和Cs-SIMS中随Ep增加二次离子的强度反而有所下降,而样品室注入氧可以提高正二次离子产额,但需要达到较高的氧分压:10-3Pa.二次离子能量分布测量表明,对O-SIMS,二次离子强度在Vbias=30V左右达到最大值,对Cs-SIMS,二次离子强度在Vbias=-20V左右达到最大值. 相似文献
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《通信世界》2000,(9)
一、标准名称: 800MHz CDMA数字蜂窝移动通信网移动应用部分技术要求 二、标准编号:YD/T 1031—1999 三、发布部门:中华人民共和国信息产业部 四、发布日期:199912.27 四、实施日期:1999、12.27. 五、起草单位:信息产业部电信传输研究所 六、代替原标准代号及名称:YDN093—1998《800MHzCDMA数字蜂窝移动通信网移动应用部分(MAP)技术要求》 七、对修改内容的说明 本标准是在原YDN093—1998和美国ANSITIA/EIA—41D标准和 TIA/EIA IS—807(PN-4197)标准的基础上,根据我国的实际情况进行了部分修改而制定的。修改的内容主要包括: 删除了有关DAMPS和NAMPS的内容 DAMPS和NALMPS的内容主要包括以下参数: NA-MPS Call Mode NAMPS Channel Data TDMA Burst Indicator TDMA Call Mode TDMA Channel Data Voice Privacy Mask(TDMA信道加密,CDM4A用专用长码,原文有误) 考虑到将来可能与长城网或西北五省的AMPS双... 相似文献
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B-ISDN Broadband ISDN 宽带综合业务数字网B-MAC Broadcasting Multiplexed analog Component (卫星图像传输方法)广播复用模拟部件B-SRAM Burst SRAM 突发方式同步型高速SRAMBACP BAnd Allocation Control Protocol(传输速度自动调节)频带配置控制协议BAT Best Availabe Technology最佳可利用技术BB Base Band基带BB Book to Bill r… 相似文献
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金属-绝缘体-金属(MIM)电容量影响GaAs微波单元集成电路(MMIC)成品率的主要原因之一,PECVD氮化硅膜又是影响MIM电容质量和成品率的主要因素。本文通过实验和分析,提出了提高氮化硅膜质量和减少薄膜针孔的方法,结果大大提高了MIM电容GaAsMMIC的成品率,降低了GaAs MMIC的成本。 相似文献
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Wang Changhe 《微纳电子技术》1995,(4)
本文介绍了GaAsMESFET和HEMT的中子辐射效应。依据中子辐射损伤机理,分析了器件参数与中子辐射剂量Φ的依从关系,其中,器件参数包括物理参数N_D、N_s、V_s,μ和电参数I_DS、g_m、V_p、G等。 相似文献
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OPTICALFIBER-MOBILECOMMUNICATION¥FENGXi-Yu;SUNTie-Cheng(DalianUniversityofTechnologyDalian116023)Abstract:Thetechniqueofmobil... 相似文献
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AVID推出6.0版MediaComposerAVID技术部门日前宣布,他们已推出其MediaComposer数字非线性高档编辑系统的第6版。在AVid广播视频台上,6版的压缩水平可达3:1,而且支持两场混合的格式,分量互/O(YUV),也支持CCI?.. 相似文献
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MBE生长的PM—HEMT结构中深电子陷阱及其钝化/消除 总被引:1,自引:1,他引:0
应用DLTS、SIMS和PL技术详细研究MBE生长的PM-HEMT结构中深能级。样品的DLTS谱表明在PM-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度和俘获截面的深电子陷阱,其能级位置分别位于导带下的0.64eV和0.79eV处。SIMS和PL谱表明深电子陷阱与ALGaAs层时原氧含量和光致发光(PL)响应有直接的联系,它们影响PM-HEMT结构的电性能,应用氢等离子体对深电子陷阱进行处理, 相似文献
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介绍了自主开发的多个完整实用的GaAs IC CAD软件,包括微波无源元件建模、微波有源器件测试建模、微波毫米波IC CAD、光电集成电路CAD、GaAs VHSIC CAD、微波高速MCM CAD等,并简要介绍了针对GaAs工艺线的建库工作。以上软件和库已用于多个通信电路的设计。 相似文献
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雷卡1X-AIME(Air Interface Monitor/Emula-tor)系统是专门为手机的cdmaOne及 cdma2000 1X信令测试而设计的,广泛应用于新产品开发、兼容测试、评估和服务支持,是手机生产研发时必不可少的测试工具。 目前,1X-AIME系统可支持cdmaOne+cdma2000的标淮,包括:IS95A、IS95B、J-STD-008、ARIB-T53、KOREAN 800MHZ、KOREAN PCS、IS-2000 1X等,并且兼容CDG22、CDG53及CDG57的第二阶… 相似文献
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为配合2000门GaAs超高速门列及GaAs超高速分频器等2英寸GaAs工艺技术研究,开展了2英寸GaAs快速热退火技术研究,做出了阈值电压为0~0.2V,跨导大于100mS/mm的E型GaAsMESFET和夹断电压为-0.4~-0.6V,跨导大于100mS/mm的低阈值D型GaAsMESFET。 相似文献