退火温度对锆酸铅薄膜光学性能的影响

用溶胶-凝胶法在石英玻璃基片上成功地制备了PbZrO3(PZ)薄膜．X射线衍射分析结果表明晶化好的PZ薄膜,是多晶钙钛矿结构．750℃晶化的薄膜,晶粒尺寸为30～50nm．用紫外-可见光分光光度计在波长200～900nm范围内,测量了不同温度退火的PZ薄膜的透射率,结果表明450、600、750℃退火的薄膜样品,其光学吸收边分别为4．11、4．56、4．59eV．     

TiO2薄膜的火焰喷雾热分解法制备与自清洁研究

以钛酸丁脂(Ti(C4H9O)4)为前驱体,采用自制的火焰喷雾热分解装置在玻璃衬底上制备了TiO2自清洁薄膜.应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见透射光谱(UV-Vis)分析了薄膜的形貌、结构和透光性,并对薄膜的光催化性能和亲水性能进行了测试.结果表明,火焰喷雾热分解法制备薄膜要求雾滴先成液膜,再热分解为固体薄膜;采用火焰喷雾热分解法在玻璃衬底上成功制备的TiO2薄膜为锐钛矿晶型;探讨了沉积时间和退火温度对薄膜的结晶和自清洁性及光催化性能的影响,沉积时间长,退火温度高的薄膜的结晶度越高,光催化性能和亲水性越好;用该方法制备的温度约为400℃,退火温度为600℃薄膜,光透过率可超过70%.     

离子束增强沉积氧化钒薄膜的温度系数

用离子束增强沉积法从五氧化钒直接制备二氧化钒薄膜．750℃氮气退火后，薄膜的热电阻温度系数高达4．07％．高剂量的氢、氩混合束的注入使薄膜中的氧缺位较少，并在薄膜中引入了应力，使薄膜的温度-电阻曲线的斜率变大，可能是TCR增大的原因．     

液晶材料5CB Langmuir-Blodgett薄膜的制备

研究了新型高性能液晶材料5CB(4-氰基-4′-戊基联苯)薄膜的制备技术.采用Langmuir-Blodgett(LB)法制备了单分子液晶薄膜.通过实验得出均匀、完整的液晶材料5CBLB薄膜的最佳制备的工艺,成膜方式为Y型垂直提拉法,压膜速度为8 mm/min;提拉速度均为1.5 mm/min,液晶材料溶于三氯甲烷的浓度为1.0 mg/m L,亚相温度25℃.通过偏光显微镜观察发现,该液晶薄膜具有向列型条纹织构.液晶材料5CB LB薄膜的制备技术研究为其光学及电学研究提供了基础.     

纳米二氧化钛光催化薄膜的研制

采用溶胶-凝胶法(Sol-gel)制备了二氧化钛光催化薄膜，利用原子力显微镜(AFM)对薄膜表面结构进行观测．薄膜中二氧化钛粒子以纳米级分布，薄膜均匀、连续无龟裂．分别测试了纳米二氧化钛薄膜和普通二氧化钛颗粒在紫外灯照射下对CHCl3的催化降解速率．实验分析结果表明具有表面效应，量子尺寸效应的纳米二氧化钛薄膜有着更高的光催化活性和降解速率．     

玻璃衬底沉积氮化硅薄膜性能研究

为了改善玻璃衬底上制备的薄膜太阳电池的转换效率,采用高纯氮气作为等离子体气源,以质量分数为5%的SiH_4(Ar稀释)作为前驱气源,利用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上低温制备了氮化硅薄膜;利用各种测试设备分析了薄膜的成分、光学性能和表面形貌.结果表明:实验制备的非晶薄膜含氢量较低;薄膜的折射率随着衬底温度和微波功率的增加而增加.在衬底温度为350℃、微波功率为650 W时,薄膜的折射率在2.0左右,平均粗糙度为1.45 nm,还说明薄膜具有良好的光学性能和较高的表面质量.在此条件下,薄膜的沉积速率达到10.7 nm/min,表明本实验能在较高的沉积速率下制备均匀、平整、优质的SiN薄膜.     

ECR-PECVD制备纳米硅颗粒薄膜

为消除紫外线对硅基薄膜太阳能电池的热损害,并进一步提高电池转换效率,提出在硅基薄膜太阳能电池顶部低温下制备一薄层纳米硅薄膜.在P型(100)硅片上采用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术交替沉积SiO2/Si/SiO2层,改变衬底温度和H2流量沉积纳米硅薄膜,探讨低温下直接制备纳米硅薄膜的...     

PVA-TiN复合薄膜的制备及其光热转换性能研究

为了提高太阳能驱动水蒸发技术中光热转换薄膜的水蒸发速率,选择亲水性的滤纸作为基底,聚乙烯醇(PVA)作为水输送层,TiN纳米颗粒作为光热转换材料,表面沉积法制备PVA-TiN复合薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外/可见/近红外分光光度计和傅里叶变换红外光谱对复合薄膜的晶体结构、微观形貌及光学性质进...     

热处理温度对掺铽氧化锡薄膜发光性能的影响

铽离子(Tb3+)掺杂氧化锡(SnO2)薄膜往往需要通过高温热处理来激活Tb3+离子,系统研究热处理温度对Tb3+离子掺杂SnO2薄膜发光性能的影响具有一定的现实意义.以氯化亚锡二水合物和氯化铽六水合物为前驱体,采用溶胶—凝胶法制备掺铽氧化锡(SnO2∶Tb)薄膜,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可...     

TiO_2薄膜的制备及其对304不锈钢防腐性能的研究

采用过氧钛酸溶胶凝胶法(sol-gel)制备TiO2溶胶,并用浸渍-提拉法在304不锈钢(304SS)上制备TiO2薄膜。利用X射线衍射仪(XRD),原子力显微镜(AFM)和紫外-可见分光光度计(UV/Vis)表征了TiO2晶型、薄膜表面形貌以及光吸收性能。通过极化曲线法分别研究了在暗态和光照条件下TiO2薄膜对304SS的防腐性能。结果表明:在暗态下,镀膜厚度为240.7nm,表面粗糙度为3.64nm的TiO2薄膜有最佳的机械防腐性能,腐蚀速率可从6.32×10-6 mm/a降低到5.65×10-9 mm/a;在光照条件下,膜厚294.3nm,处理温度为400℃,只有单一锐钛矿晶型的TiO2薄膜,对304SS的阴极保护性能较好,腐蚀电位可由-130mV降到-319mV。     

用掺杂方法改变VO_2多晶薄膜相变温度研究

用离子束增强沉积方法对二氧化钒多晶薄膜作Ar和W掺杂,明显改变了二氧化钒薄膜的相变温度。研究表明,成膜时注入的氩在二氧化钒结构形成前就很快外释,掺杂Ar对相变温度降低的贡献主要来自间隙Ar。W原子的掺杂可有效地将二氧化钒多晶薄膜的相变温度降低到室温附近,为大幅提高薄膜的室温电阻-温度系数提供了可能。     

红外光谱研究十八胺、硬脂酸及氘代硬脂酸Langmuir-Blodgett膜相变行为

分别制备十八胺、硬脂酸及氘代硬脂酸的11层Langmuir-Blodgett（LB）膜,采用变温傅立叶变换红外光谱研究了3种LB膜的相变行为.实验结果显示：十八胺LB膜在55℃～75℃温度区间内发生相变,CH2对称和反对称伸缩振动频率向高能量区移动较明显;硬脂酸LB膜在较短温度区间即70℃～80℃内发生明显相转变,CH2对称和反对称伸缩振动频率及峰的强度比在此温度区间发生显著改变;氘代硬脂酸LB膜的相转变在65℃～75℃温度区间内发生,尤其是在65℃～70℃的温度区间发生突变.     

ZnO/TiO2薄膜制备及在太阳能电池中的应用

用丝网印刷结合溶胶凝胶法制备了多孔TiO2薄膜,用溶液浸渍法制备了ZnO/TiO2复合薄膜;对薄膜的热处理制度、表面形貌、横断面结构、吸光度等进行了分析;组装电池,测试了电池的光电性能,结果表明：浸渍Zn（Ac）23 h,经过适当的热处理后,可以形成结晶良好,吸光度较好的ZnO/TiO2复合薄膜,电池的开路电压,短路电流以及光电转换效率均得到较大的提高.     

ZnO/TiO_2薄膜制备及在太阳能电池中的应用

用丝网印刷结合溶胶凝胶法制备了多孔TiO2薄膜,用溶液浸渍法制备了ZnO/TiO2复合薄膜;对薄膜的热处理制度、表面形貌、横断面结构、吸光度等进行了分析;组装电池,测试了电池的光电性能,结果表明:浸渍Zn(Ac)23 h,经过适当的热处理后,可以形成结晶良好,吸光度较好的ZnO/TiO2复合薄膜,电池的开路电压,短路电流以及光电转换效率均得到较大的提高。     

溶胶-凝胶法制备无机纳米杂化聚酰亚胺薄膜

通过溶胶-凝胶法合成纳米二氧化硅及氧化铝溶胶,将其掺入聚酰胺酸基体中,制得二氧化硅-氧化铝／聚酰亚胺纳米杂化薄膜,利用红外光谱、扫描电子显微镜及热失重法对薄膜的结构、微观形貌及热性能进行表征．结果表明,薄膜材料中SiO2和Al203粒子分散均匀,与有机相存在键合;材料热分解温度有所提高．     

TiO2薄膜的制备及其对304不锈钢防腐性能的研究

采用过氧钛酸溶胶凝胶法（sol-gel）制备 TiO2溶胶,并用浸渍-提拉法在304不锈钢（304SS）上制备TiO2薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）,原子力显微镜（AFM ）和紫外-可见分光光度计（UV/Vis）表征了 TiO2晶型、薄膜表面形貌以及光吸收性能。通过极化曲线法分别研究了在暗态和光照条件下TiO2薄膜对304SS的防腐性能。结果表明：在暗态下,镀膜厚度为240．7 nm ,表面粗糙度为3．64 nm的 T iO2薄膜有最佳的机械防腐性能,腐蚀速率可从6．32×10-6 mm/a降低到5．65×10-9 mm/a;在光照条件下,膜厚294．3 nm ,处理温度为400℃,只有单一锐钛矿晶型的TiO2薄膜,对304SS的阴极保护性能较好,腐蚀电位可由-130 mV降到-319 mV。     

关于二氧化钛薄膜的制备及其光催化性能

采用溶胶-凝胶法制备固定相为玻璃的负载型二氧化钛薄膜光催化剂，用UV-Vis、DTA等方法对二氧化钛进行表征，分析了二氧化钛薄膜浸渍一提拉次数和厚度的关系，以及薄膜厚度、煅烧温度对光催化活性的影响。     

梯度掺杂AZO薄膜的制备及其性能表征

采用Sol-Gel法,以不同铝离子浓度的溶胶梯度掺杂的方法制备了Al掺杂ZnO（AZO）薄膜,用XRD衍射仪和SEM扫描电镜对该薄膜进行了结构和形貌分析,并对其电学性能和光学性能进行了研究。结果表明,梯度掺杂的AZO薄膜比单一浓度掺杂5.0 at%（原子数百分比）的薄膜具有更明显的c轴择优取向,更强的本征紫外发光峰和近紫外发光峰。当薄膜的退火温度在500~650℃区间时,薄膜电阻率稳定在10-2Ω.cm,高于700℃时,薄膜电阻率明显升高。     

热蒸发HfO_2薄膜光学常数表征

薄膜材料库中的光学常数与实际制备的相比有很大差别,精确求解在特定工艺条件下的光学常数对设计和制备多层薄膜具有重要意义。在熔融石英(JGS1)基底上,采用热蒸发沉积方法制备了厚度为330nm的单层HfO_2薄膜,利用分光光度计测量薄膜的透射率和反射率,并采用包络法和光度法分别计算得到230nm~800nm范围内折射率n和消光系数k的色散曲线。两种方法确定的HfO_2薄膜厚度分别为331.22nm和331.03nm,两者偏差为0.057%;在266nm处两种方法确定的折射率相差0.011,消光系数相差10-5量级。结果表明,运用包络法和光度法确定HfO_2薄膜光学常数的拟合结果吻合较好,能够相互验证且避免了单一方法求解过程中所产生的误差。     

甩胶法制备ITO薄膜及性能研究

采用溶胶凝胶并通过甩胶制备薄膜方法制备了ITO薄膜。以转速、甩胶时间、干燥温度和退火温度为参数进行正交试验,确定了甩胶法制备ITO薄膜的最优化条件,并对最优化条件下制备的薄膜进行了电学性能、光学性能和形貌分析。结果表明:该透明导电薄膜具有良好的导电性能及透光性能,其表面方阻为13Ω/□,可见光透过率达到了96%。