驱动因素面面观 剖析2005年DRAM供给与需求

在观察2005年DRAM供给端时,发现今年和1995年的情况有些相似.1995年由于8英寸厂产能持续开出,使得DRAM市场由卖方市场转变为买方市场,造成1995年年底的DRAM价格崩盘.而2005年在12英寸厂产能开出时是否会重覆1995年的情况呢?1995年和2005年的时空变化,当然会造成对于DRAM产业的影响不一,本文将深入解读驱动供给与需求变化的因素.     

新闻短评

英飞凌断尾求生,出脱DRAM事业 据金融时报(Financial Times)报导,欧洲半导体大厂英飞凌(Infineon)考虑出脱DRAM事业,据业界人士透露,英飞凌尚未确定如何将DRAM事业脱手,包括单独股票上市、出售或是合资(Joint Venture),都在可能方案之列.由于DRAM市场价格变化剧烈,导致英飞凌过去2年巨额亏损,直到2003年第四季转为获利,2004年第一季也维持获利,为3年来首次连续2季获利.英飞凌若出售DRAM事业,将有40%营收也会随之丧失,但英飞凌可藉此聚焦至高毛利产品,将事业焦点转移至价格敏感度较低的芯片上,如汽车、移动电话及固定线路的通信事业.     

市场纵横

1994年世界动态随机存取存储器(DRAM)的销售增长率为72%,但1995年和1996年增长率将会减慢,分别为28%和25%.尽管增长率有所下降,但总的DRAM销售额和销售量还都在继续增加.据报道,1994年的销售额为230亿美元(19亿片),预计1995年将达到290亿美元(21亿片),1996年将续增到360亿美元(25亿片).由于16Mb DRAM在1995年末开始侵占部分4Mb器件市场,导致销售额成长趋缓.平均来看,16Mb器件的每位平均价格目前已与4Mb相当,待到16Mb器件每位价格降至4Mb以下时,销量的天平就将倒向16Mb.销售额的增长则反会因此受到一定影响,故而1995年的增长率定为28%.预期1995年年中的增长会缓慢些,但随后的几个月无论销售额和销售量将加速增长.     

DRAM市况坚挺4M产品攀升16M需求看好

随着个人电脑CPU处理速度越来越快,处理信息越来越多,对主机部分最重要的存储器——DRAM的容量的要求也越来越高,如从286CPU变成386时,存储需求量即将提高4倍.当前4M DRAM的全球生产量已超过1M产品,成为个人电脑使用的主流产品.1993年世界1M DRAM的月产已降为3,250万片,4M则提升到6,280万片,至于16MDRAM每月还仅约175万片.预计1994年全球对4M DRAM需求量为9,45亿,达到顶峰.今后几年内16M DRAM将以极快速度增长,期望1996年将超过4M DRAM.因此,日本、韩国等的DRAM生产大     

日本半导体产业新轨迹

目前的DRAM市场价格再次动荡,16M DRAM自4月中旬再次剧烈下跌.据分析,问题出自Intel不能提供足够的MMX处理器,同时,台湾厂商如联华自6月初开始投产16MDRAM,也给日本厂商带来压力.但大多数分析家认为,从长期看DRAM的前景还是好的.许多领先公司正转向采用0.25微米工艺,生产第二代64M DRAM.一旦Intel的出货能满足MMX处理器的需求,而对过时的Pentium削价,便将增强对DRAM、尤其是SDRAM的需求.据日本经济新闻报道,DRAM生产目前正由16M向     

与高性能处理器保持高速同步的SDRAM

今天,高性能的CPU要求的数据速率超过了常规DRAM技术支持的极限。通过各种优化技术,我们能在一定范围内提高现有DRAM的速度和吞吐量。但当内存总线的速度超过50MHz时,就需要新的内存器件技术了。许多专家都一致认为同步DRAM(SDRAM)是解决这个问题的新的有效内存技     

8层高速DRAM散热问题得到解决

NEC、冲电气和Elpida 3家公司最近宣布，它们共同开发的8层4Gb DRAM散热问题巳得到解决。该DRAM是由8块512Mb DRAM和1个控制系统芯片放在1个封装内叠层而成。叠层的8块同样的DRAM用硅贯通电极连接，其间挟1个控制芯片。一般认为，DRAM多层叠置会使散热特性恶化，但经反复试验，采用热传导器（heat spreader）可解决这一重大问题，减少22％的热量，当然，     

512Mb的PC DRAM将在2008年上半年跌破1美元

DRAM的价格今后仍将继续下降,最近一年内已跌至原来的1/3-1/5.虽然这种跌势不会长久持续下去,但全球消费电子产品的低成本压力仍将迫使DRAM价格下降.有线索表明,今后4年左右,DRAM成本的下降速度为每年30%.随着DRAM价格的持续回落,设备厂商们很有可能在5万日元(约合435美元)以下的消费设备中集成GB级的内存.     

纳米级蚀刻技术

1.前言 近三年来,动态随机存储器(DRAM)的高密度化和微细化,以三～四倍的速度发展,16M比特的DRAM(最小加工尺寸为0.5～0.6μm)处于批量生产的初期阶段,256M比特的DRAM(最小加工尺寸为0.2～0.3μm)也达到开发阶段,已开始试制其样品。这类DRAM的生产要求达到设计尺寸的     

国际新闻

世界半导体市场 动向与展望 据报道,目前各半导体厂家正在向高速DRAM过渡,加强快闪存储器生产。16M DRAM的需求旺盛,以EDO和同步型等高速存储器为主。4M DRAM的产量会由于降价的影响而减少,厂家下半年将以生产16M DRAM为主。 微处理器和专用IC也在向     

DDR2价格持续低迷,2009年底DDR3 PC主机搭载率仅达30%

2007与2008年对于DRAM产业而言是艰困的两年,市场供过于求与DRAM厂的大幅扩产导致DDR2颗粒价格严重下跌,再加上第四季的PC销售成绩不如预期,使得DRAM颗粒库存水位攀升,价格更是频频破底.10月7日收盘价格DDR2 1Gb eTT的现货报价为1.15美元,而DDR2 667 1Gb落在1.19美元间,尽管DDR2目前价格已远低变动成本,但对于DRAM厂而言,DDR3的开发仍是下一场战争的必要关键.     

DRAM产业进入“减产或退出”的关键调整期

集邦科技(DRAMeXchange)日前指出认为DRAM产业进入以"减产或退出"的关键调整期.大规模减产正开始进行中,甚至有DRAM厂商将于2009年退出DRAM市场.DRAM产业这波调整将持续进行,直至产业回复供需平衡.     

高速度低功耗CMOS256kRAM

目前,动态随机存取存储器(DRAM)的应用已经超出主计算机的范围,而过去DRAM大量用于主计算机。随着先进的微处理机系统应用范围的不断扩大以及系统软件的日益复杂,似乎对于存储器的要求永远不满足。因此,许多新的应用领域对存储器性能的要求已经超出标准的NMOS DRAM所能达到的水平。     

动态随机存储器新动向

美国Rambus Inc.已策划出Direct Rambus DRAM规范,其目标是瞄准1999年度PC机主存储器市场。这是备有高速接口的DRAM(Direct Rambus DRAM)规范,美国Intel Corp.将于1999年投放市场的PC机用外围LSI电路里,决定嵌入Direct Rambus DRAM的接口电路。世界著名的DRAM厂家有13家鉴于此情,纷纷领取Direct Rambus DRAM生产许可证。预定从1998     

电磁故障注入攻击对动态随机存取存储器安全性的影响研究

以探索电磁故障注入(EMFI)攻击对动态随机存取存储器(DRAM)的安全性影响为目标,该文使用电磁故障注入攻击平台对DRAM进行了扫描攻击,对出现的故障进行统计分类,随后基于DRAM的基本结构分析阐述了造成故障的机理,最后展示了通过电磁脉冲攻击DRAM对计算机系统的安全威胁.实验表明电磁脉冲在DRAM中既可以引起瞬时故障也可以引起持续性故障,且以多故障为主.分析发现,电磁脉冲故障攻击技术可以以低的时间和空间分辨率向DRAM的指定地址注入持续性故障.另外,该文成功地将持续性故障注入到了存储在DRAM中的AES-128程序中并破解了其密钥,证明了使用电磁脉冲对DRAM进行攻击能对计算机系统造成安全威胁,展示了DRAM安全性的研究对硬件系统安全具有重要意义.     

DRAM:全球半导体产业的推动力

历史发展自从1971年Inte1公司研发出lKB的DRAM,距今已近40年,从此开创了DRAM的历史。DRAM不仅推进了电子技术的前进,而且对各国半导体业的发展也发挥了举足轻重、无可取代的巨大作用。众所周知,进入上世纪80年代,随着大型计算机市场扩大,DRAM需求巨增。由于当时DRAM技术要求较低,其特点是量大面广,胜负在于大规模生产技术,而这正是日本公司的     

基于FPGA技术的DRAM分时存取方法

介绍了一种基于现场可编程技术对DRAM进行读写和刷新操作的方法，根据现场可编程器件设计的特点，结合DRAM读写和刷新时序的要求，提出了同步化操作DRAM的思想，给出了具体同步化操作DRAM的实现方法，针对现场可编程器件设计中经常有多模块同时存取DRAM芯片的需求，提出了对DRAM芯片进行分时存取的方法，讨论了该方法的实现机制，结合具体的项目设计，给出了分时存取方法的关键时序，避开了复杂的DRAM控制器，节省了设计资源，简单方便地解决了DRAM操作的仲裁问题。     

存储器、锁存器

Y98-61420-71 9914275动态随机存取存储器=Session:DRAM[会,英]//1998IEEE International Solid-State Circuits Conference(Technical Digest).—71～83(HG)本部分6篇论文摘要的题目是:应用存储器生成程序合成的2112导数结构的可构动态随机存取存储器(DRAM)的宏设计,应用机内自测的 ASIC 库粒状DRAM 宏观结构,高速 DRAM 500Mb/s 非预充电数据     

全球DRAM产业2011年第一季营收小幅衰退4.0%

根据集邦科技（TrendForce）旗下研究部门DRAMeXchange的调查，全球DRAM产业第一季营收数字83亿美元．虽然DRAM合约均价较上季下跌30％，但受惠于第一季DRAM颗粒总产出量较前一季约增长15％，以及各DRAM厂逐步降低标准型DRAM比例转为附加价值高的移动式内存及绘图式内存等产品，     

05年DRAM厂获利将减半至40亿美元

市场研究公司iSuppli分析师Nam Hyung Kim发表报告指出，经过2004年后,2005年DRAM销售增长预期减缓，但市场研发进程并不会停歇。今年将会看到高端DDR2 SDRAM进入行动运算、市场主流由256MB升级至512MB。另外iSuppli也预测，全球DRAM厂今年营业获利将由去年的74亿美元减至40亿。