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将小波变换理论应用于图象边缘提取,提出了一种新的图象边缘检测算法。一种相对于(c0,c3)=(0.05,0.05)的对称尺度函数被用于二进小波变换,得到原图象的一个多分辨率表达式,再提取图象的边缘特征。实验结果表明,本方法是解决图象边缘提取的一个十分有效的模型。 相似文献
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基于小波变换的红外图象多尺度边缘检测 总被引:3,自引:3,他引:0
本文讨论了小波变换及其应用于多尺度图象边缘检测的原理,对一幅红外图象给出其多尺度边缘检测的计算机仿真结果,而且与传统的边缘检测方法进行比较,从而得出基于小波变换的多尺度边缘检测是一种较好的方法 相似文献
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小波变换在医学图像边缘提取中的应用 总被引:3,自引:1,他引:2
边缘是图像的重要特征。医学图像往往较模糊.其边缘特征难以用传统方法检测。小波变换具有良好的局部化特性、多分辨特性.及检测信号局部突变的能力。对图像进行二维小波变换,其梯度模值反映了图像的边缘。介绍一种基于小波变换的图像边缘提取方法。实验证明.与传统边缘检测方法相比,该方法去噪效果好,能提取图像中较弱的边缘,且能使边缘细化。这些特点使得他特别适合于医学图像边缘的提取。 相似文献
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反对称双正交小波应用于多尺度边缘提取的研究 总被引:18,自引:1,他引:17
本文对反对称双正交小波所具有的多尺度边缘提取能力进行了理论分析,提出了一种反对称双正交小波变换域内的多尺度边缘提取算法,并通过实验进行了验证。该结果为在基于小波变换的压缩数据域内利用边缘信息实现图像检索提供了依据。 相似文献
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小波变换在红外图象处理中的应用 总被引:3,自引:3,他引:0
小波变换近年来在图象处理中的应用日益受到人们的关注。小波变换可能同时在时间(或空间)和频率域对信号进行分析,是多分辨率分析的有力工具。本文介绍了小波变换在红外图象处理中的应用,例如红外/可见光图象的配准与融合,红外图象增强,红外图像中的微弱目标探测等。 相似文献
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提出了一种基于子波变换(WaveletTransform)的边缘提取方法.该方法充分利用了子波变换的多分辨率特性.将本文方法与其他方法相结合,可望为可视电话图像的甚低比特率传输提供一种有效的技术手段. 相似文献
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纳米晶Ti中的反常结构秦勇(中国科学院固体物理研究所,合肥230031)Ti金属有两种结构:一种是α-Ti(hcp,a=0.29508nm,c=0.4686nm);另一种是高温相β-Ti(bcc,a=0.33065nm,882℃以上)。然而,对于纳米... 相似文献
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一种二维离散子波变换的滤波器结构 总被引:2,自引:0,他引:2
子波变换具有良好的时间(空间)频率局部化性能,在图象子带编码中二维离散子波变换是一种接近理想的子带分析/综合子系统.本文提出一种利用一维离散子波变换实现二维有限长离散子波变换的方法,同时给出了二维离散子波正变换(DWT)和反变换(IDWT)的滤波器实现结构.实验结果表明新的方法具有良好的重构性,完全适用于图象压缩编码系统中的分析/综合子系统. 相似文献
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基于小波变换数据融合的图像边缘检测算法 总被引:7,自引:0,他引:7
本文提出了一种基于小波变换数据融合的图像边缘检测算法。该方法对原始图像分别采用小波变换、“Sobel”算子和“Log”算子三种方法提取边缘,再将三种算法结果通过数据融合的手段获得一幅新的边缘图像。仿真实验结果表明,该方案所得到的边缘优于单独采用“Sobel”或“Log”算子所获得的边缘图像,是一种有效的图像边缘提取算法。 相似文献
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提出了一种基于联合变换相关的光学小波实时图像边缘增强的方法.选用Mexican—hat小波,利用小波函数的多分辨率特性,用联合变换相关的方法实现了缩放后的小波母函数与待识别图像函数的互相关(即边缘增强图像),得到了较满意的实验结果. 相似文献
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自适应小波变换及其在JPEG 2000中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
针对传统的线性小波分解不能很好保留图像边缘信息.且在跃变点处会出现大的小波系数而不利于图像压缩,提出了一种新的基于提升方案的二维不可分离自适应小波变换(AWT)方案。在该方案中,根据局部信息自适应地将图像分为平滑区域和非平滑区域.在不同区域选取不同的更新和预测函数。通过在JPEG2000中的实验结果表明,用该方法进行图像分解。低频近似图像保留了细节信息,边缘清晰;对双边AWT后的图像压缩,性能优于JPEG2000的5/3小波和9/7小波,峰值信噪比(PSNR)提高0.5~2.0dB。 相似文献
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小波变换在手写体汉字识别中的应用 总被引:5,自引:0,他引:5
汉字识别中的结构类特征具有抗变形的优点,合适做为手写体识别过程使用,但其中笔划特征的提取非常困难。本文用小波变换这一图象分析中有力工具对汉字图象分析处理之后,再进行笔划的提取,其过程简洁、明晰。 相似文献
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兆荣 《固体电子学研究与进展》1996,(2)
0.05μmCMOS晶体管据《SemiconductorWorld》1995年第2期报道,日本松下电器的半导体研究中心已研究出制造0.05μmCMOS晶体管的一套技术。该技术可制作0.1μm以下的PMOS,实现0.05μmCMOS。门延迟时间达到13... 相似文献