垂直定向液晶光阀电光特性的计算（Ⅰ）

采用４＊４矩阵法模拟计算了垂直定向液晶光阀的电光特性，从理论上分析了影响液晶光阀电光特性的因素，尤其是强锚泊作用下，液晶预倾角对器件电光特性的影响。     

VB环境下A＊算法的实现

A＊算法是一种典型的启发式搜索算法,应用于很多问题的求解中．在分析A＊算法思想的前提下,给出其编程实现的方法．并获得了在VB地图中一个顶点到另一个顶点的绕过障碍的最佳路径．     

向列相液晶薄层的有限尺寸效应和相变

在分子场近似下研究n个分子层构成的向列相液晶薄层．使用文献上最近提出的空间各向异性两体作用势．存在两个模型,分别给出液晶弹性常数到势参数的两种映射方案,对液晶PAA进行了数值计算．模型Ⅰ给出液晶指向矢垂直薄层表面排列,而模型Ⅱ给出指向矢平行于薄层表面排列．两个模型给出有限尺寸效应对向列相-各向同性相相变温度的影响也不同。     

强L^＊-逆半群

给出了L^＊-逆半群上的最小可消幺半群同余的一个刻划.在此基础上,研究了L^＊-逆半群的一个子类,即强L^＊-逆半群,借助于半群上自然偏序方法,证明了半群S为强L^＊-逆半群,当且仅当关于任意的x∈S,存在惟一x°∈H1^＊,使得x≤x°.     

＊－素环上同态的广义导子的一个性质

讨论了＊－素环上同态的广义导子的结论,设R是＊－素环,θ是R上的自同构,设F：R→R是带有结合（θ,θ）－导子d的广义（θ,θ）导子,如果F在R上同态,则d ＝0．     

利用液晶实现相干光通信的偏振控制

本文根据向列相液晶在外控电场作用下的电光效应,分析了在相干光纤通信系统中用作偏振控制的机理。介绍了利用液晶延迟单元级联构成偏控器的方案,并报导了实验结果。理论分析与实践表明液晶偏控器是一种新颖的有实用价值的电光器件。     

集值映射空间中三种拓扑结构的关系

在集值映射空间中引进了柯西＊一致收敛拓扑，给出了＊一致收敛拓扑、柯西＊一致收敛拓扑和紧致处＊一致收敛拓扑等价的充分和必要条件．     

集成电光器件的边缘电场效应

电场分布是影响电光器件特性的主要因素。研究了有限尺寸平行电极的电场分布，得到了其电荷分布密度、电容、电场强度的数学解析式，并分析了边缘电场效应，在此基础上得到了在集成电光器件中相邻光通道互不干扰所需的平行电极对的间隔距离，这对集成电光器件的设计很有参考价值．     

A~＊路径规划算法的改进及实现

针对A＊算法在路径规划过程中因遍历节点多而导致搜索时间长和路径规划距离长的问题,对A＊算法进行了改进.改进算法采用两点间的欧氏距离作为估价函数,并以前向搜索和后向搜索交替进行的方式来减少路径规划时间.仿真结果表明,改进算法在搜索时间和距离上分别比A＊算法减少了0.0184s和42m,在搜索得到的路径长度和算法运行时间上明显优于A＊算法.     

Oracle数据库装载外部数据工具SQL＊Loader的应用

Oracle数据库管理系统的SQL＊Loader工具提供了将外部数据文件中的数据装载到数据库表中的有效手段。文中阐述了SQL＊Loader完成的主要功能、工作机制及组件,对控制文件的语法结构及常用参数进行了较详细的论述,最后通过一个实例说明了装载数据的操作过程及方法。     

实Banach*代数的Jordan*同态

讨论实Banach*代数的Jordan同态.在预备中,给出引理的证明,通过引入理想、同态、半单射的定义,借用引理的证明方法和分类讨论的方法,对文中的定理予以证明并得出相应的结论.结果表明映射到*-半单实Banach*代数上的Jordan*同态是连续的,且其核空间是闭*理想;由映射到交换实Banach*代数上的Jordan*同态诱导的因子代数也是交换的.     

实Banach^＊代数的Jordan^＊同态

讨论实Banach*代数的Jordan同态.在预备中,给出引理的证明,通过引入理想、同态、半单射的定义,借用引理的证明方法和分类讨论的方法,对文中的定理予以证明并得出相应的结论.结果表明映射到*-半单实Banach*代数上的Jordan*同态是连续的,且其核空间是闭*理想;由映射到交换实Banach*代数上的Jordan*同态诱导的因子代数也是交换的.     

液晶显示器用高分子取向层及其取向机理

在液晶显示器中，低分子量液晶材料在经过摩擦处理的高分子取向层作用下，能够发生取向。这种高分子取向层对于制造具有优良光电特性的液晶器件是十分重要的。在大多数场合下，所采用的薄膜状高分子取向层是由聚酰亚胺类材料制成的，因为它们具有优良的耐热性、粘附性、加工性和取向效应。本文对液晶显示用聚酰亚胺高分子材料及其当前流行的取向机理进行了综述介绍，并提出了自己的一些看法。     

Kleene模与*-μ-半模

Kleene模及相关代数结构在程序推理中发挥着重要作用。作为对Kleene模等概念的推广,本文提出了*-μ-半模的概念,并给出了*-μ-半模成为Kleene模的充要条件。     

Hilbert C*-模的内射包络

采用同调理论的观点探讨了C 代数上HilbertC 模作为对象和有界模算子作为态射构成的范畴 .研究C 代数上HilbertC 模扩张的内射性和内射包络 ,通过内射性和本性给出内射包络的特征描述 .证明了如果一个C 代数的HilbertC 模的内射包络存在 ,则在H等距意义下是唯一的 .其次给出了HilbertC 模的扩张是内射包络 ,当且仅当此扩张是内射的和本性的 .进一步得到在H等距意义下W 代数上的任何HilbertC 模都有唯一的一个内射包络而且HilbertC 模的内射包络是它的一个极大本性扩张     

C~*代数中的上代数结构(Ⅰ)

30年代由VonNeumann建立的算子代数,经40年代Gelfand等人对抽象C一代数结构的研究,以及60～70年代的VonNeumann代数的因子构造的研究,已经发展得很丰满,并且广泛应用到量子力学的研究中去。线性代数理论方面的另一条线是40年代对Hopf代数的研究,发展成代数—上代数—双代数—Hopf代数的纯代数结构的探索。本文试图寻找两个方向的结合部,即寻找C—代数的上结构和上代数的拓扑结构。本文给出了形式上乘映射,半同态和C双代数的结构,并且证明了任何C—代数都可赋予上结构成为C—双代数。     

甘肃北祁连西段朱龙关裂谷带地质特征及典型矿床

北祁连西段朱龙关裂谷带为一古老裂谷带,带内主要赋矿地层为镜铁山群及朱龙关联,以基性为主的火山岩十分发育,经历了多次的构造活动,变形强烈,加里东期有二长花岗岩侵入,成矿作用复杂,该带是寻找火山喷发沉积改造型铁矿,铁铜矿,层控叠加钨矿矿床的有望地段,带内典型矿床小柳沟铜钨矿床是继塔儿沟钨矿床之后又一重大发现,矿床产于朱龙关群中,矿区地层由朱龙关联不同岩段共同构成“D”型穹隆构造,断裂发育,矿化受地层,构造,隐伏岩体控制,已知矿体的走向及纵深方向,石英网脉发育地带是主要的找矿方向。     

B_*—空间类的乘积性质

B_*-公理是由李孝传教授引入的,并且对其作了一系列研究,本文证明了满足B_*-公理空间的乘积性质;即B_*-空间的笛卡儿可数积可以有B_*-度量化,这是一个关于B_*-空间的重要结果。     

Dependence of elastic strain field on the self-organized ordering of quantum dot superlattices

A systematic investigation of the strain distribution of self-organized, lens-shaped quantum dot in the case of growth di- rection on (001) substrate was presented. The three-dimensional finite element analysis for an array of dots was used for the strain calculation. The dependence of the strain energy density distribution on the thickness of the capping layer was investigated in detail when the elastic characteristics of the matrix material were anisotropic. It is shown that the elastic anisotropic greatly influences the stress, strain, and strain energy density in the quantum dot structures. The anisotropic ratio of the matrix material and the combina- tion with different thicknesses of the capping layer, may lead to different strain energy density minimum locations on the capping layer surface, which can result in various vertical ordering phenomena for the next layer of quantum dots, i.e. partial alignment, ran- dom alignment, and complete alignment.