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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 79 毫秒
1.
设计了一款在规定角度范围内光强均匀分布且直观无明显的颗粒感的LED 交通信号灯。将高亮度LED 的出射光用菲涅耳透镜进行准直,利用斯涅尔定律,设计了枕型透镜来实现指定方向上的照明,并将之排成阵列,以获得一定角度范围内的光强均匀分布。利用ZEMAX 光学设计软件对设计方案进行了模拟,分别给出了水平和竖直两个方向上角度光强均匀分布的结果。通过仿真人眼对信号灯的成像,呈现人眼的观察效果,结果表明该设计满足设计要求。  相似文献   

2.
在整个世界范围内,各国的政府机构正在投资于新型交通信号灯使用的LED技术,并使用LED更换和改进现有的白炽交通信号灯。其最主要的原因是能够节约能源消耗,之后是消除了定期或应急更换白炽灯,而节约维护费用。当然,还有一个交通安全问题,通过使信号灯发生故障的可能性降到最小,可以提高交通安全。 在美国,LED交通信号灯消耗的功率大约是采用传统白炽交通信号灯的1/15。各种政府命令以及能源供应商提供的优惠,  相似文献   

3.
LED信号灯二次光学设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
崔真 《现代显示》2009,20(10):30-32
随着科学技术的发展,LED在很多领域中被应用得越来越广泛,如在信号灯中的应用,因此就需要对LED发出的光线进行二次光学设计。文中介绍了一种LED信号灯的二次光学设计思路和方法,通过对光通量的估算,设计出合理的LED分布、光学面罩和菲涅耳透镜。  相似文献   

4.
第三代LED交通信号灯   总被引:1,自引:0,他引:1  
叙述了第三代 LED交通灯的研制和性能 ,具有亮度高、视角适中、寿命长、用电省、灯面亮度均匀、成本低等优点 ,是取代白炽灯交通信号灯的最佳产品。  相似文献   

5.
本文介绍电子技术课程设计“交通信号灯的安装与调试”的几种设计分析方法,并对如何培养学生创造性思维、解决实际问题的能力等方面阐述了我们的做法,提出了几点看法。  相似文献   

6.
太阳能交通信号灯系统设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
宗平  魏学业  康立学 《现代电子技术》2010,33(23):201-203,206
利用LED光效高、功耗低的特点,采用光伏电池供电,设计出一款LED交通信号灯。分析交通信号灯的技术要求和LED交通灯的实现方法,深入研究LED光源几种连接方式的优缺点,确定以串并混联方式作为LED信号灯的连接方式,完成LED信号灯灯头的设计,采用RS485总线实现中心控制器与四个方向单元控制器的通信,设计了硬件电路,编写了控制程序。实验表明,该系统能够满足交通信号灯的功能要求。  相似文献   

7.
LED交通信号灯的系统设计   总被引:1,自引:1,他引:0  
智能交通信号机的研制,一方而可以改善交通堵塞问题、疏导车流、提高道路利用率,同时可以节省交通警力,提高效率。设计的这套LED交通灯控制系统,采用电流环加串/并转换的远程弱电隔离控制方式,使系统可靠性得到很大提高,而且控制简单、电路少、距离远、安装方便、系统升级扩充性好,具有很高的实用价值,在国内已逐步得到应用。论述信号控制机的结构、基本功能及主程序流程图,介绍LED交通信号灯系统设计方案。  相似文献   

8.
9.
层次化设计方法在交通信号灯设计中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
对层次化设计方法的特点进行了简单介绍。采用ISP Synario开发环境。设计了一个交通信号灯。在EDA开发平台上进行了验证。该设计简单。性能可靠。  相似文献   

10.
铁路信号灯是铁路交通中直接关乎行车安全的系统设备,传统的铁路信号灯使用钨丝灯做光源,发光效率低,使用寿命短,维护成本高,已和现代铁路交通的发展不相适应。LED是一种新型光源,其发光效率高、使用寿命长、发光强度散角小、单色性好等特点非常适合作铁路信号显示的新型光源。但由于LED是低电压,小电流发光,和钨丝灯发光有根本的差异,致使新旧替换成为了一项复杂的课题,10多年来,关于LED铁路信号灯的研究的重点就是在于围绕着解决与传统铁路信号灯控制系统兼容的问题。本文针对小功率LED盘式信号灯和大功率LED点式信号灯,与传统铁路信号灯机构兼容问题,从电路结构方面提出了解决方案。  相似文献   

11.
设计了小功率多芯LED COB(Chip on Board)封装结构,制作了多芯LED模组并在实验中进行了多芯片固晶、焊线关键封装工艺创新研究,测量了多芯COB LED模组的光通量、色温、工作电压等参数。测试结果显示:在直径为65 mm的圆形镀金基板上采用COB技术焊接88颗发光功率为0.06 W的蓝色小功率LED芯片,涂覆黄色荧光粉合成白光,抽样样本10个模组平均功率达到5.1 W,光通量为468.26 Lm,正向电压为13.6 V,色温为5 986 K,显色指数为89;工艺过程表明由镀金基板做过渡层把原来两个芯片间正负极单根长引线由两根短引线替代,创新工艺有效。  相似文献   

12.
主要讨论了发光二极管(LED)的一些检测参量,包括LED发光强度、总光通量和发光光谱等;同时,对检测的环境条件也进行了分析研究。  相似文献   

13.
分析积分球测量LED灯光通量的原理,介绍两种测试方法(比较法和辅助灯法)的理论依据,然后通过实验进行验证,最后总结适用辅助灯法进行测试的情况。  相似文献   

14.
封装材料的光学特性是影响白光 LED 光通量的主要因素之一,基于蒙特卡洛非序列光线追迹的方法,应用专业光学仿真软件 Lighttools 系统地研究了硅胶折射率、荧光粉颗粒粒径、反光杯表面反光类型及反光率几种光学特性条件下的白光 LED 光通量。研究结果表明:硅胶折射率存在最优值(n=1.48)使得白光 LED 光通量最大;在相同色温的前提下荧光粉颗粒粒径与光通量成反比关系;漫反射表面对于光通量的提高优于镜面反射,同时光通量均随着反光率的升高而升高,这些规律对于实际生产研究具有指导意义。  相似文献   

15.
高压LED和交流LED都是通过串联数十颗LED来增大整体导通电压,结构上高压LED是交流LED的一种特殊形式。介绍了高压LED和交流LED的驱动电路模型,其共同点是皆有一个限流电阻与光源串联。通过调整限流电阻的阻值和改变光源所含LED个数与连接形式,分别对高压LED和交流LED的输出特性进行了测量。在两种光源所含LED数量和工作电流均相同的情况下,高压LED的发光效率和光通量要高于交流LED;并联式高压LED的发光效率低于串联式高压LED的发光效率,光通量则相反;验证了交流LED的发光效率与限流电阻无关。  相似文献   

16.
胡爱华 《半导体技术》2010,35(5):447-450
介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术,提供了产品测试数据。Si衬底LED芯片制备采用上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺,封装采用仿流明大功率封装,封装后白光LED光通量达80 lm,光效达70 lm/W,产品已达商品化。与蓝宝石和SiC衬底技术路线相比,Si衬底LED芯片具有原创技术产权,可销往任何国家而不受国际专利的限制。产品抗静电性能好,寿命长,可承受的电流密度高,具有单引线垂直结构,器件封装工艺简单,而且生产效率高,成本低廉。其应用前景广阔,是值得大力发展的一门新技术。  相似文献   

17.
光衰是反映LED性能的重要指标,而LED的光衰是一个很漫长的过程,用实测数据描绘光衰曲线是不现实的。通过对LED光衰的原因、现象进行分析,在封装材料的功能退化符合阿伦尼乌斯定律的前提下,推出了LED光通量随时间变化的数学模型,给出了利用Excel工具对较短时间的测试数据进行回归分析来评估和预测LED光衰的方法。在没有发生明显加速或减速衰减的机理和相应物理现象的现实情况下,利用该数学模型分析、预估LED光源的光衰数据不失为一个方便快捷的方法。  相似文献   

18.
基于板上芯片(COB)封装技术,提出了一种360°出光的新型发光二极管(LED)灯丝球泡灯,其封装基板采用透明基板.研究了不同封装材料及芯片对其LED光通量、光效和色温的影响.首先介绍了LED灯丝球泡灯的结构、优点,然后分析了影响LED光学性能的因素,最后进行相关性能测试.测得采用玻璃/蓝宝石基板封装的LED灯丝的光通量分别为467.29和471.69 lm;光效分别为110.06和111.79lm/W;显色指数分别为84.1和81.9.测试结果表明,采用透明基板封装的LED灯丝球泡灯不仅能有效调节色温,而且能显著提高LED的光通量、光效和显色指数.  相似文献   

19.
超高亮度LED测量问题   总被引:5,自引:2,他引:5  
鲍超 《液晶与显示》2003,18(4):244-250
从原理上讨论了高亮度LED光强测试不确定性大的问题,大多数发光二极管不能被看作点光源,因此实际测量的是平均发光强度,它的测试结果与测试装置结构有关。为解决这个问题,CIE(国际照明委员会)制定并推荐标准测试条件A,B。介绍了根据CIE-127文件设计的平均LED发光强度测试仪;讨论了LED光通量和颜色测量问题,介绍了色温和相关色温测试的方法。对今后的测量和测试标准问题提出了意见。  相似文献   

20.
1W级大功率白光LED发光效率研究   总被引:14,自引:3,他引:11  
李炳乾 《半导体光电》2005,26(4):314-316,361
研究了1W级大功率白光发光二板管(LED)发光效率随功率变化的关系.实验结果表明,功率在0~0.11W的范围里,发光效率随功率迅速增加;功率达到0.11W时,发光效率为15.6 lm/W;当功率大于0.11W时,发光效率随功率增加开始减小,功率继续增加时,发光效率降低的速度越来越快.在器件额定功率1 W附近,发光效率为13 lm/W.发光效率随功率增加而下降主要是由于芯片温度升高、电流泄漏等导致的载流子有效复合几率下降引起的.  相似文献   

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