用于双栅FET的n~+-n-n~-GaAs多层外延生长

采用Ga/AsCl_3/H_2体系,用SnCl_4作掺杂剂,已生长了用于双栅FET的n~+-n-n~-多层外延材料.在一次外延生长中连续生长的n~+-n-n~-多层外延材料的外延层厚度和载流子浓度的均匀性良好.用该材料制作的双栅FET的微波特性也有明显改善.在2GHz和8GHz下,NF分别为0.9dB和2.8dB,相关增益G_a分别为15.5dB和18dB.     

4H-SiC MESFET结构外延生长技术

利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作p型和n型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂曲线,并给出了部分器件测试结果.     

4H-SiC MESFET结构外延生长技术

利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作p型和n型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂曲线,并给出了部分器件测试结果.     

热壁外延生长的CdTe外延层的研究

本文论述了用热壁外延的方法在CdTe体材料衬底上生长CdTe,并且用各种方法对CdTe外延层进行的研究。为提高衬底材料的质量。我们采用热壁外延方法在CdTe体材料衬底上再外延生长—层CdTe缓冲层,如果外延条件适当,缓冲层一般可使体材料的一部分缺陷消除或减少,好的外延层同经过仔细表面处理的体材料衬底一样是镜面的,因此可直接用作外延HgCdTe     

液相外延生长大面积Hg_(1-x)Cd_xTe外延层

引言本征半导体Hg_(1-x)Cd_xTe变成更为重要的红外光伏探测器材料是因为最近在液相外延(LPE)法生长晶体方面取得了进展。用液相外延法得到的组分均匀性比块体材料好,并且不需要长时间退火来达到均匀性。此外,用LPE法可制备具有不同组分和掺杂浓度的多层HgCdTe结构。用LPE法在CdTe衬底上生长HgCdTe对制备背照式探测器是理想的。在制备每个具有成百或上千个元的HgCdTe焦平面探测器阵列时,就必须要能够生长大面积均匀组分器件质量的HgCdTe。许多单位报导了在垂直和水平炉结构中用LPE法生长了HgCdTe。大多数工作集中于自富碲熔体中进行水平生长,但最近已进展     

MOCVD生长GaAs/Si材料及其在MESFET中的应用

本文研究了MOCVD生长GaAs/Si复合材料的生长工艺及材料特性,并生长出用于MESFET的多层结构材料。讨论了影响外延层电阻率的因素,并给出了GaAs/Si材料在MESFET中的应用结果。     

掺铬GaAs缓冲层的FET外延材料

使用Ga-AsCl_3-H_2系统和双室反应管的方法,连续生长具有掺铬缓冲层的FET材料.以铬和SnCl_4作掺杂剂分别生长高阻缓冲层和n-n~+层.阐述影响多层外延质量的一些因素和实验结果.用本方法制管的多层外延材料制作C-X波段功率FET,得到了较好的结果.     

半导体激光器的制造新技术

半导体激光器是激光器中的一种,它的制造技术有分子束外延、液相外延、金属有机物化学气相淀积、低压金属有机物化学气相淀积和化学束外延等.结果表明,器件特性与制备方法有关.例如:利用金属有机气相外延生长的GaAs/GaAlAs异质结,可以制造高精致的大功率激光器,其波长为780～880nm.用具有特殊波导特性的质量阱(QW)结构能满足大功率需要.各种参量包括这些层的结构和配合以及多层结构的光、电特性,通过该方法大面积生长外延层而达到最佳化.本文重点介绍上述技术的生长机理、实验系统简图、典型工艺以及在器件制造上的应用.     

3mm波段硅双漂移崩越二极管外延材料研制

报导了3 mm波段硅双漂移崩越二极管所需PN/N~+多层、亚微米外延材料的常规CVD生长技术,研究了实现这些高要求的多层结构的方法,得到了最佳的外延工艺条件。     

半绝缘ZnSe衬底上的外延双生长ZnSe

目前对ZnSe材料的研究工作不断深入,因为ZnSe是一种有潜力的蓝色发光二极管材料,具有2.67eV的直接带隙。从过去的实践中可以看出。高质量的ZnSe单晶是很难生长的。由于良好的光电器件需要高质量的材料,因此需要有不同的制备方法以获得高质量的ZnSe单晶。除了生长高质量ZnSe体单晶外,也有其它的方法,如GaAs或其它衬底上的ZnSe外延生长也可以用来生长ZnSe光电器件用的外延层。但很少有人用ZnSe衬底来生长外延层。为了更进一步地了     

76.2mm Si基AlGaN/GaN HEMT

<正>南京电子器件研究所采用含有双AlGaN过渡层的材料结构在76.2 mm(3英寸)Si衬底上外延生长了厚度超过2μm的AlGaN/GaN HEMT材料(图1),材料表面光滑、无裂纹。通过外延材料结构和生长条     

MBE生长高电阻率GaAs基InAlAs组分渐变缓冲层

研究了用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面粗糙度为1.79nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率ρ2.6× 10Ω·cm.(电学性能测试表明200V电压间距1mm时,漏电流仅为0.3μA).高分辨X射线测试样品显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温Hall测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.     

MBE生长高电阻率GaAs基InAlAs组分渐变缓冲层

研究了用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面粗糙度为1.79nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率ρ:2.6× 10Ω·cm.(电学性能测试表明200V电压间距1mm时,漏电流仅为0.3μA).高分辨X射线测试样品显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温Hall测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.     

MOVPE生长GaAs／AlxGA1—xAs超晶格及其TEM表征

报道用金属有机汽相外延技术(MOVPE)生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格结构材料及其光电器件应用,用横断面透射电子显微术(XTEM)表征外延层结构.在自电光效应光学双稳态器件(SEED)中,超晶格层-层之间界面清晰,厚度均匀,周期性完整.对某些用超晶格作缓冲层的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构,观察到超晶格对生长面的平滑作用及间断生长造成的界面等.     

利用三步法MOCVD生长器件质量的GaN

在传统的二步MOCVD外延生长的基础上，报道了一种在低压MOCVD中用三步外延生长GaN材料的新方法，它在生长低温缓冲层前，用原子层的方法生长一层高质量的AIN层来减少Al2O3与GaN缓冲层之间的应力以提高缓冲层的质量，从而提高外延层GaN的质量，达到器件制作的要求。     

液相外延MCT薄膜的缺陷分析

用金相显微镜,X光衍射仪和扫描电子显微镜观察分析了用滑块LPE生长的MCT外延层。结果表明外延层中有大量的孪晶、亚晶以及晶界等缺陷,外延层的晶格还存在有扭曲以及大量的应力。对CdTe衬底材料的分析表明:外延层中的上述缺陷与CdTe衬底有一一对应关系。外延层与CdTe衬底的对比分析还表明:除CdTe衬底外,外延生长工艺对外延层质量也有很大影响。     

用液相外延法生长3～7μm波段InAs/InAs1-ySby及其光学和电学性质

用液相外延(LPE)法在InAs衬底上生长了3～7μm波段的InAs1-ySby外延层,研究了外延多层的组份与禁带宽度和晶格常数的关系。用光学显微镜、傅立叶变换红外(FTIR)透射、光荧光(PL)谱测试以及偏振光椭圆仪研究了外延材料的光学特性。电学性质是将计算值与实测有效霍尔(Hall)参数的厚度关系拟合得到的。结果表明,本文生长的材料在中红外光伏型探测器上具有良好的应用前景。     

HgCdTe镶嵌阵列现状

1.液相外延材料用液相外延法在CdTe衬底上生长成器件品级的HgCdTe,其截止波长范围为3～14微米。这一工艺是前两年研究的。目前,液相外延层与块晶体材料相比,前者的截止波长一致性较高。在中波红外外延层上,生成态载流子浓度通常适用于制造二极管,而长波红外外延层则很易调节成适用的浓度。在混合式器件所需要的厚度范围内,生成态外延层的厚度可控制为变化不超过1微米。目前外延层的尺寸仅受到所能获得的大单晶衬底的限制。     

热壁外延ZnSe单晶薄膜

介绍了一种结构更加简单的热壁外延装置,以及用该装置在GaAs(100)面上生长ZnSe单晶外延层的工艺。扫描电镜和X射线衍射分析表明用该装置生长的ZnSe单晶外延层是比较理想的。     

生长温度对于Ge衬底上分子束外延生长的InGaAs/GaAs量子阱结构质量的影响

本文研究了斜切割（100）Ge衬底上InxGa1-xAs/GaAs量子阱结构的分子束外延生长（In组分为0.17或者0.3）。所生长的样品用原子力显微镜、光致发光光谱和高分辨率透射电子显微镜进行了测量和表征。结果发现,为了生长没有反相畴的GaAs缓冲层,必须对Ge衬底进行高温退火。在GaAs外延层和InxGa1-xAs/GaAs量子阱结构的生长过程中,生长温度是一个至关重要的参数。文中讨论了温度对于外延材料质量的影响机理。通过优化生长温度,Ge衬底上的InxGa1-xAs/GaAs量子阱结构的光致发光谱具有很高的强度、很窄的线宽,样品的表面光滑平整。这些研究表面Ge 衬底上的III-V族化合物半导体材料有很大的器件应用前景。