MOVPE生长CdTe/GaAs薄膜的表面形貌控制

通过优化ＧａＡｓ表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、ＧａＡｓ表面预处理工艺、生长条件及优选ＧａＡｓ衬底方向等措施,在水平与常压ＭＯＶＰＥ装置中,用二乙基锌（ＤＥＺｎ）、二甲基镉（ＤＭＣｄ）、二异丙基碲（ＤｉＰＴｅ）和元素汞,采用互扩散多层工艺（ＩＭＰ）,在ＧａＡｓ衬底上生长出了ＭＣＴ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ,比较了采用优化工艺前后薄膜的电子显微镜形貌相,表明采用优化工艺后薄膜的表面形貌有了明显改进。     

MOCVD法制备GaSb,GaAsSb,AlGaSb和AlGaAsSb异质外延材料

本文报导了用常压ＭＯＣＶＤ技术在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＡｌＧａＳｂ和ＡｌＧａＡｓＳｂ异质外延材料的实验结果。研究了生长条件和材料质量的相互关系，优化了生长参数。首次采用组分缓变过渡层和超晶格结构来解决品格失配问题，利用ＳＥＭ和光学显微镜、Ｘ射线衍射仪、电子探针等测量、分析了外延层结构与组分、表面与断面形貌及其电学性质。测得ＧａＳｂ６／ＧａＡｓ结构中非有掺杂ＧａＳｂ层的Ｘ射线双晶摆曲线半峰小于１５０孤秒，霍尔迁移率μ＿ｐ（３００ｋ）＞６２０ｃｍ￣２／Ｖ·８，载流子浓度小于１×１０￣１６ｃｍ￣（－３），接近同质外延水平．     

MOCVD法GaSb外延层特性研究

报导了应用ＭＯＣＶＤ系统在半绝缘ＧａＡｓ和ｎ－ＧａＳｂ衬底上外延生长的非故意掺杂ＧａＳｂ外延层的特性。通过低温、变温光致发光和霍耳效应测定了ＧａＳｂ外延层的光学和电学性质。ＰＬ测量观察到两种主要的复合机制，Ｄ一Ａ对复合和束缚激子复合的发光，其峰值能量位置分别出现在７７５ｍｅＶ和８０３．７ｍｅＶ，束缚激子蜂（未分辨开的）的半宽度为１０．８ｍｅＶ。     

LPE GaAs／Ga1—xAlxAs多层光阴极材料均匀性研究

用ＬＰＥ法生长了表面光亮、性质均匀的ｐ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ／ｐ－ＧａＡｓ／ｐ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ（衬底）多层异质材料；研究了材料的电学性质、掺杂剂分配，探讨了外延层的厚度均匀性、组份均匀性并观察了表面形貌。结果表明上述材料可用于制备第三代光阴极。     

LPEGaAs／Ga_（1－X）A1_xAs多层光阴极材料均匀性研究

用ＬＰＥ法生长了表面光亮、性质均匀的Ｐ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａ１＿ｘＡｓ／ｐ－ＧａＡｓ／ｐ一Ｇａ＿（１－ｘ）Ａ１＿ｘＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ（衬底）多层异质材料；研究了材料的电学性质、掺杂剂分配，探讨了外延层的厚度均匀性、组份均匀性并观察了表面形貌。结果表明上述材料可用于制备第三代光阴极。     

在MgO衬底上生长YBCO薄膜

在ＭｇＯ衬底上生长ＹＢＣＯ薄膜美国海军科研实验室的科研人员应用金属有机物化学气相沉积法，在梯形（１００）ＭｇＯ衬底上成功地生长出了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ（７－ｓ）超导薄膜。当外延薄膜厚度为１００ｎｍ时，其超导转变温度为８８Ｋ，临界电流密度为２×１０６Ａ／ｃ...     

LNG烟囱用新型耐蚀钢的开发

开发了能长时间不需维修的ＬＮＧ烟囱用新型耐腐蚀钢ＷＥＬＡＣＣ５。实验室的加速试验结果表明，在模拟烟囱的环境下，ＷＥＬＡＣＣ５具有良好的耐腐蚀性能。在ＬＮＧ烟囱环境下，ＷＥＬＡＣＣ５的腐蚀速度为０．０００７ｍｍ／ａ，比低碳钢的腐蚀速度明显放慢。而且，钢板表面形成了可以防止从烟囱飞出的粘着锈。ＷＥＬＡＣＣ５的加工性能，焊接性能和焊接接头性能都很可靠。由此可以得出结论，ＷＥＧＬＡＣＣ５完全适合做ＬＮＧ烟     

MOCVD生长GaAlAs／GaAs HBT材料的研究

研究了ＭＯＣＶＤ法ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多层异质结材料的生长工艺。通过对材料的测试分析与器件研制，得出了ＧａＡｌＡｓ发射极的ＰＬ性质和多层材料的纵向浓度分布是ＨＢＴ材料的质量表征的结论，采用提高系统密封性和载气纯度、生长阻挡层等手段改善了材料质量，达到良好的器件特性。     

砷化镓材料发展和市场前景

综述世界ＧａＡｓ材料器件的产销情况、市场前景及ＧａＡｓ材料的发展趋势。预测２０００年ＧａＡｓＩＣ用于通讯将占ＧａＡｓＩＣ市场的７１％,并以年均增长率１５％的速度发展。发光器件１９９９年增长１２％,。其中激光器件增幅最大,达１６％。ＧａＡｓ材料电子哗啦和光电器件的比例约为２：＃。对大直径、低位错、低热应力、高质量的ＧａＡｓ单晶有较大的需求量。ＶＢ、ＶＧＦ和ＶＣＺ是满足这些要求的最佳ＧａＡｓ单晶生长方     

磁控溅射法制备YBa2Cu3O7—x双面超导薄膜

采用在直径中这柱状阴极磁控溅射装置和筒形加热器制备了高质量ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ双面超导薄膜。使用衬底为（００１）ＬａＡｌＯ３和（００１）ＹＳＺ。双面超导薄膜零电阻温度ＴＧ＝８９～９１Ｋ,临界电流密度ＪＣ≥１０＾６Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ,零场下）,微波表面电阻ＲＳ〈１ｍΩ（７７Ｋ,１０ＧＨｚ）。对不同氧氩比下制备的双面膜进行了性能的比较。当Ｏ２：Ａｒ＝１：２．５,衬底温度在８００℃时,制备出了高质量