WO3薄膜热处理效应下的电致变色特性研究

本文采用溶胶－凝胶法制备了WO3膜,分析了热处理温度对WO3薄膜结构的影响,探讨了热处理温度下WTO3膜的电致变色特性。     

电泳沉积法制备三氧化钨薄膜

研究了由WO3溶胶采用电泳沉积法制备WO3薄膜,讨论了电流密度、溶胶陈化时间、溶胶浓度、溶胶pH值对制备WO3薄膜厚度的影响;及膜厚与沉积时的电流密度对薄膜与基底结合力的影响.通过TGA-DTA和IR分析探讨了固体薄膜在热处理过程中的结构变化.     

聚乙烯醇/聚二甲基二乙烯氯化铵阴离子自立交换膜的制备与性能

以5种不同聚乙烯醇/聚二甲基二乙烯氯化铵配比制备了用于电透析脱盐的阴离子自立交换膜,并考察3种不同热处理温度对膜含水率、膜电荷密度、真实迁移数及膜面电阻的影响。实验结果表明:膜的含水率随聚二甲基二乙烯氯化铵含量CPC的增加而增加,随热处理温度的增加而降低;在CPC为30 wt%,热处理温度为180℃时,阴离子交换膜的膜面电阻最低,为3.04Ωcm2;在CPC为30 wt%,热处理温度为180℃时,阴离子交换膜的真实迁移数达到0.99;在CPC为20 wt%,热处理温度为180℃时,阴离子交换膜的膜电荷密度值为1.14 mol dm-3。     

WO_3薄膜的结构和电致变色性质的热处理效应

本文用溶胶—凝胶法在ITO导电玻璃上制备了WO3 薄膜 ,并在 1 5 0～5 0 0℃的空气环境中将薄膜进行了热处理 ,用SEM、XRD观察了薄膜的表面形貌 ,分析了薄膜的微观结构及热处理温度对薄膜的结构和电致色性质的影响 ,讨论了薄膜的致色机理。     

含氟二元共混乳液形成梯度结构膜研究

用乳液聚合方法合成了3种表面能及氟含量一致但链段运动能力不同的的含氟丙烯酸酯聚合物,将这3种聚合物乳液与同一种普通丙烯酸酯共聚物乳液以相同的比例共混后成膜并进行了适当的热处理,研究了热处理温度及共混组分软硬差别对膜断面梯度结构的影响。通过对共混膜表面性能和断面结构的表征发现:共混两组分有软硬差别时,含氟组分硬(Tg高),成膜时未能扩散更有利于共混膜热处理后形成沿厚度方向的氟浓度梯度结构,且在稍低于粘流温度的150℃热处理能得到最好的梯度结构;没有软硬差别的共混两体系比有软硬差别的共混体系更容易在成膜后的热处理过程中形成沿膜厚度方向的氟浓度梯度。     

WO_3-TiO_2光阳极的制备及其光解水制氢性能研究

以钛酸四丁酯和钨酸钠为主要原料,采用溶胶-凝胶法制备了WO_3-TiO_2复合光阳极,WO_3所占的质量分数分别为0.5%、1%、2%和3%。采用XRD和SEM表征了WO_3-TiO_2光阳极的结构,研究了WO3掺杂、热处理温度对薄膜结构和光解水制氢性能的影响。结果表明,WO_3掺杂提高了TiO_2光阳极的光解水制氢速率。当WO_3掺杂量为2%、热处理温度为400℃、WO_3-TiO_2复合光阳极为高结晶度的锐钛矿晶型时,光催化活性最好,光解水制氢速率为5.8μmol/h。     

制备条件对胶原蛋白膜拉伸特性的影响

胶原蛋白膜的拉伸特性受以下几个因素的影响：胶原蛋白的浓度、成膜液的pH、成膜液的热处理温度、甘油的添加量以及胶原蛋白膜的干燥温度,本文系统的研究了上述因素对胶原蛋白膜拉伸特性的影响,综合考虑膜的断裂延伸率和抗拉强度,当胶原蛋白的浓度7%、甘油添加量20%、成膜液的pH 6、成膜液的热处理温度50℃、热处理时间20 m in、室温下进行膜的干燥条件下,成膜的机械性能较好,适用于作为包装膜.     

制备条件对胶原蛋白膜拉伸特性的影响

胶原蛋白膜的拉伸特性受以下几个因素的影响胶原蛋白的浓度、成膜液的pH、成膜液的热处理温度、甘油的添加量以及胶原蛋白膜的干燥温度,本文系统的研究了上述因素对胶原蛋白膜拉伸特性的影响,综合考虑膜的断裂延伸率和抗拉强度,当胶原蛋白的浓度7%、甘油添加量20%、成膜液的pH 6、成膜液的热处理温度50 ℃、热处理时间20 min、室温下进行膜的干燥条件下,成膜的机械性能较好,适用于作为包装膜.     

聚酰亚胺纳米纤维膜的制备和力学性能研究

利用静电纺丝制备聚酰亚胺纳米纤维膜。探讨纺丝温度和电纺液浓度对纤维形貌的影响及热处理对聚酰亚胺纳米纤维膜力学性能的影响。利用FE-SEM、FT-IR、TG和XRD对不同的聚酰亚胺纳米纤维的形貌及结构进行表征;利用单轴力学拉伸仪对电纺聚酰亚胺纳米纤维膜的力学性能进行测试。结果表明:纺丝温度为(65±3)℃,电纺液质量分数为18%时,所得的聚酰亚胺纳米纤维形貌较好;一定程度的高温热处理有利于聚酰亚胺纤维结晶结构的完善,当热处理温度为150℃时,纳米纤维膜的最大拉伸应力和最大拉伸应变较高,分别为17.6MPa和76.0%。     

WO_3纳米粉体的制备及其气敏性能分析

以PEG-400为分散剂制得WO3纳米粉体,用粉末X-射线衍射仪(XRD)和透射电镜(TEM)对产物的物相和形貌进行了表征。结果显示:产物为球形颗粒,600℃下热处理2h颗粒平均粒径为80nm。将粉体制成旁热式气敏元件,气敏性能测试结果表明:该WO3纳米粉体对三甲胺具有较高的灵敏度和选择性。600℃下热处理2h材料气敏性最好,在240℃(最佳工作温度)下对体积分数为1×10-8的三甲胺灵敏度可达到3.2。     

Fabrication of Poly-Si Thin Film on Glass Substrate by Aluminum-induced Crystallization

Amorphous silicon （ a-Si ） thin films were deposited on glass substrate by PECVD, and polycrystalline silicon （ poly- Si ） thin films were prepared by aluminum- induced crystallization （ AlC ）. The effects of annealing temperature on the microstructure and morphology were investigated. The AlC poly-Si thin films were characterized by XRD, Raman and SEM. It is found that a-Si thin film has a amorphous structure after annealing at 400℃ for 20 min, a-Si films begin to crystallize after annealing at 450 ℃ for 20 min, and the crystallinity of a-Si thin films is enhanced obviously with the increment of annealing termperature.     

退火温度对MgB2超导薄膜的影响

本实验是研究退火温度对MgB2超导薄膜的影响。在多晶Al2O3衬底上,以B2H6作为硼源,化学气相沉积先驱硼薄膜,采用Mg扩散方法,在不同退火温度条件下制备了MgB2超导薄膜;还采用了测量电阻-温度曲线、X射线衍射分析和扫描电子显微镜形貌观测方法。结果表明,退火温度对MgB2薄膜的超导特性、晶体结构和相纯、表面形貌有影响。退火温度高,生成的MgB2晶粒较大,晶形好,正常态电阻也增大,杂相越少。     

梯度掺杂AZO薄膜的制备及其性能表征

采用Sol-Gel法,以不同铝离子浓度的溶胶梯度掺杂的方法制备了Al掺杂ZnO（AZO）薄膜,用XRD衍射仪和SEM扫描电镜对该薄膜进行了结构和形貌分析,并对其电学性能和光学性能进行了研究。结果表明,梯度掺杂的AZO薄膜比单一浓度掺杂5.0 at%（原子数百分比）的薄膜具有更明显的c轴择优取向,更强的本征紫外发光峰和近紫外发光峰。当薄膜的退火温度在500~650℃区间时,薄膜电阻率稳定在10-2Ω.cm,高于700℃时,薄膜电阻率明显升高。     

Preparation and electrical properties of BaPbO3 thin film

BaPbO3 thin films were deposited on Al2O3 substrates by sol-gel spin-coating and rapid thermal annealing. The microstructure and phase of BaPbO3 thin films were determined by X-ray diffractometry, scanning electrons microscopy and energy dispersive X-ray spectrometry. The influence of annealing temperature and annealing time on sheet resistance of the thin films was investigated. The results show that heat treatment, including annealing temperature and time, causes notable change in molar ratio of Pb to Ba, resulting in the variations of sheet resistance. The variation of electrical properties demonstrates that the surface state of the film changes from two-dimensional behavior to three-dimensional behavior with the increase of film thickness. Crack-free BaPbO3 thin films with grain size of 90 nm can be obtained by a rapid thermal annealing at 700 ℃ for 10 min. And the BaPbO3 films with a thickness of 2.5 μm has a sheet resistance of 35 Ω·-1.     

基于溶胶凝胶法ITO薄膜材料的制备与表征

基于溶胶凝胶法制备了掺铟二氧化锡（ITO）薄膜,探讨聚乙二醇（PEG）、退火温度、退火过程氧气浓度等因素对ITO薄膜性能的影响。实验结果表明：在相同实验条件下,添加PEG能够降低ITO薄膜表面粗糙度,退火温度会改变ITO薄膜的结晶度,提高含锡量和氧浓度会增加ITO薄膜的电阻率。本研究为ITO埋栅结构气敏传感器制备提供了实验基础。     

溶胶-凝胶法制备掺镧钛酸钡薄膜及其光学性质研究

以硝酸镧、醋酸钡、钛酸四丁酯为原料,采用溶胶一凝胶旋涂法制备掺La的钛酸钡薄膜,研究薄膜的晶体结构、表面形貌、紫外-可见光吸收性能及光学带隙。研究结果表明,纯钛酸钡和掺La钛酸钡薄膜均为单一四方钙钛矿结构,La3＋的引入可以使钛酸钡薄膜在可见光区的透过率和光学带隙有一定程度下降,而退火温度对掺镧钛酸钡薄膜光学带隙基本无...     

Effect of Ag addition on the microstructure and magnetic properties of FePt thin films

FePt thin films and [FePt/Ag]n multilayer thin films were prepared by magnetron sputtering technique and subsequent annealing process. By comparing the microstructure and magnetic properties of these two kinds of thin films, effects of Ag addition on the structure and properties of FePt thin films were investigated. Proper Ag addition was found helpful for FePt phase transition at lower annealing temperature. With Ag addition, the magnetic domain pattern of FePt thin film changed from maze-like pattern to more discrete island-like domain pattern in [FePt/Ag]n multilayer thin films. In addition, introducing nonmagnetic Ag hindered FePt grains from growing larger. The in-depth defects in FePt films and [FePt/Ag]n multilayer films verify that Ag addition is attributed to a large number of pinning site defects in [FePt/Ag]n film and therefore has effects on its magnetic properties and microstructure.     

FePt/Ag薄膜的结构和磁性

采用直流磁控溅射在SiO2〈0001〉基片上制备了FeAg和FePt/Ag薄膜,将其在不同温度下进行真空热处理,得到具有高矫顽力的L10-FePt颗粒膜。利用X射线衍射、振动样品磁强计、扫描探针显微镜对样品的结构、磁性、形貌进行了研究。结果表明:Ag元素的添加有效地降低了FePt薄膜的有序化温度,样品在300℃热处理时即发生有序化转变。随着热处理温度的升高,样品的有序化程度提高,矫顽力变大,样品表面粗糙度减小,形成了均匀的颗粒薄膜。     

等离子束辅助沉积制备ZnO薄膜的特性研究

采用等离子束辅助沉积的方法在n-Si(001)衬底上制备出ZnO薄膜。X射线衍射谱显示，所制备的ZnO薄膜有较强的(002)晶面衍射峰，表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的，并且随着退火温度升高，晶粒逐渐增大，衍射峰逐渐增强。光致发光谱测量发现，样品分别在3．28eV和2．48eV存在紫外发射和深能级发射两个较强的发射峰，并且随着退火温度升高，深能级发射逐渐减弱，紫外发射峰得到进一步改善。四探针测试电阻率结果表明，随着退火温度的升高，ZnO薄膜的电阻率呈线性增加。     

溶胶—凝胶工艺参数对PLT10薄膜显微结构的影响

研究了溶胶－凝胶工艺中溶胶陈化时间，热处理工艺条件和衬底材料对ＰＬＴ１０（Ｐｂ０．９Ｌａ０．１Ｔｉ０．９７５Ｏ３的简称）薄膜显微结构的影响。结果表明，在（１００）Ｓｉ单晶基片上制备的ＰＬＴ１０薄膜为钙钛矿结构的多晶陶瓷膜；在（１００）ＳｒＴｉＯ３衬底上制备的ＰＬＴ１０薄膜为（００１）择优取向的具有钙钛矿结构的单晶膜，（００１）择优取向度高达０．９５。溶胶陈化时间愈长，薄膜择优取向度愈高。热处理温度越高，ＰＬＴ１０薄膜钙钛矿结构发展越充分，薄膜晶粒尺寸越大。