基于FRAM和Flash混合数据存储方案的氨气检测仪研究与设计

针对某些嵌入式系统中数据存储量大且改写频繁,以及Flash存储器寿命有限的问题,结合氨氮检测仪的实际应用,提出了一种基于铁电存储器和Flash的混合数据存储方案。给出了基于主控制器STM32F407的氨氮检测仪的整体设计,着重分析了混合数据存储系统的软硬件设计,并在此基础上制订了数据存储协议,提高存储效率。同传统的存储方案相比,基于FRAM和Flash的混合数据存储系统提高了仪器的数据存储速度和效率,延长了使用寿命,提高了仪器整体的稳定性和可靠性。     

基于FPGA的智能分区存储系统设计

常规炮弹于恶劣环境下,内部信号采集处理系统存在意外瞬时掉电的情况。针对掉电情况下数据存储错误的问题,提出了一种基于FPGA的智能分区存储方法,在研究NAND Flash读写、擦除和存储的特点的基础上,设计了一种智能分区存储系统,实现了存储数据开始地址的智能检测及断电自动跳址开始下一次数据的续存。实弹试验证明,该系统提高了FLASH存储区域的利用率,有效的解决了数据存储系统在常规弹药制导化应用过程中的实际问题。     

一种多通道NAND Flash阵列的坏块管理方案

针对多通道NAND Flash阵列对可靠性的要求,提出一种坏块管理方案,优化坏块信息的存储和查询方法,把坏块和替换块地址映射表存储在FRAM中。测试数据证明,方案可以实现多通道NAND Flash阵列的坏块管理,保证了存储的可靠性。优化的坏块表及查询方法缩短了坏块查询时间,FRAM节省了有效块地址映射时间, 同时FRAM的铁电效应,进一步提高了数据存储的可靠性。     

一种高可靠大容量星载存储器的设计与研究

凭借着存储密度大和存储速率高的特点,基于NANDFlash的大容量存储器在星载存储领域得到了广泛的应用,由于NAND Flash本身存在缺陷,基于NAND Flash的大容量存储器在恶劣环境下的可靠性难以保证.提出了通过FPGA设计SRAM对关键数据三模冗余读取和缓冲、NAND Flash阵列热备份和数据的回放校验以及合理的坏块管理等措施,实现了高可靠性的大容量存储器.实验说明该系统不会因为外在偶然因素而造成数据的不完整,而且整个存储系统的成本开销相对于目前的星载存储器也非常低.     

针对Flash存储特性的航天器大容量固态存储技术

航天任务对存储系统要求极高,商用领域基于Flash的固态硬盘使用FTL技术照搬传统磁盘管理技术,对Flash存储特性利用不足,无法满足需求.本文基于3Dplus公司的Flash存储模块,采用FPGA直接管理存储介质的方法,结合航天任务需求,针对Flash存储特性提出并行总线、流水线操作技术和坏块管理等航天应用措施,介绍一种实际应用于航天任务的大容量固态存储系统,容量128 Gbits,吞吐率可达500 Mbps.最后讨论了民用Flash存储系统的发展对航天应用的启示.     

基于闪存的高速大容量存储系统设计

介绍一种基于Flash和FPGA的高速大容量数据存储系统的组成机制和实现方法,并且给出了系统的硬件结构及软件设计流程.在分析了Flash结构和特点的基础上引用并行总线和多级流水技术实现了高速存储,采用ECC数据校验和自动屏蔽闪存坏块的方法提高了数据存储及回放的可靠性.实验结果表明,该存储系统工作稳定,存储速度高、容量大、可靠性好.     

基于闪存阵列的缓存容量确定方法

针对低成本、小型化的数据记录系统的应用,提出了一种数据缓存技术解决方案。存储模块是由闪速存储器芯片（NAND Flash）组成的存储阵列,以FPGA为载体的SOPC系统作为存储模块的控制核心。分析存储系统的结构及控制平台的实现过程,并对系统工作原理及并行分路技术进行讨论。深入研究Flash阵列的存储过程,提出最小FIF...     

Flash M25P64驱动开发与应用

M25P64是一款8 M字节串行Flash存储器.利用其诸多特性可为大容量数据存储提供一种解决方案.介绍了M25P64的主要特点,工作原理,驱动程序的开发以及典型应用实例.在其典型应用实例中,基于SPI接口的数据存储系统能简单有效稳定运行.     

FM25L256在配网监测系统中的应用

为了匹配存储系统和数据采集的速度,克服Flash擦除次数引起的使用寿命问题,并防止数据查询困难,介绍了支持SPI接口的铁电存储芯片FM25L256,它具有高速读写、低功耗、掉电数据保存的特点,提出了一种在配网监测系统数据存储系统的设计,给出了它与单片机C8051F340的硬件及软件设计。并根据数据变更的频率,采用了以FM25L256暂存监测系统中快速变化的秒、分钟数据,M25P80存储较慢的日统计和月统计文件数据,在FM25L256内建立索引表的方案。数据存储速度由1.55 kHz提高到可达6 MHz,Flash使用寿命延长与配网检测仪持平,查询时间减少到0.11%。     

基于Nand Flash的高速存储器结构设计

Nand Flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用。为了设计大容量、高存储速度、易扩展的存储系统,本文通过分析理论存储速度,结合直接存储器访问（DMA）技术、交替双平面编程和流水线技术,设计了一种高效的高速存储体系结构。本文同时利用并行存储技术来提高存储速度。通过对此存储系统的存储速度进行分析,结果表明理论最高存储速度可以达到319.2 MB/s,在某弹载存储器中能实现200 MB/s的实际数据存储速度。