高速多功能信号处理MCM的设计与制作

以一款T/R组件中的实用控制电路为对象,研究了基于多层陶瓷电路基板的MCM结构设计.针对高速信号的MCM多层基板布线技术及多层陶瓷基板的制作技术,研制出具有高速电路性能的实用化MCM组件,其体积和重量大幅度减少,基板层数达到12层,最小线宽/线间距0.2mm,组装密度57%.     

LTCC多层微波互连基板布局布线设计及制造技术

采用低温共烧陶瓷 (LTCC)技术制造多层微波互连基板 ,可以研制出高密度的T/R组件。讨论了多层基板中微带线和带状线的结构及其优化设计技术 ,介绍了制造工艺流程和关键工艺难点。     

TCLL多层微波互连基板布局布线设计及制造技术

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术制造多层微波互连基板,可以研制出高密度的T/R组件.讨论了多层基板中微带线和带状线的结构及其优化设计技术,介绍了制造工艺流程和关键工艺难点.     

基于BCB的薄膜多层基板在毫米波T/R组件中的应用

基于BCB的薄膜多层基板具有优异的高频特性,是毫米波频段多芯片组件集成封装的重要途径。研究了BCB薄膜多层基板在Ka波段相控阵雷达T/R组件中应用的可行性,首先与LTCC基板对比验证了BCB微带线的传输特性,然后研制了功率分配/合成器、穿墙过渡等关键微波无源电路,最后设计了八通道的无源组件进行微波性能测试评估,结果表明基于BCB的薄膜多层基板能够满足应用需要。     

基于LTCC多层基板的X波段T/R组件小型化设计

介绍了一种适用于星载X波段相控阵雷达T/R组件的设计,新兴的LTCC多层基板技术为其小型化和轻型化提供可能。详细讨论了组件结构、装配工艺及电磁兼容优化设计,其中包括微波电路布局、接地层参数优化设计和多芯片组件的键合互连技术等。最后,给出了小尺寸轻型试验样件的实测参数,单只组件体积仅为75×22×10 mm3,重量仅为37 g,组件输出功率大于6 W。     

基于AlN HTCC基板的宽带T/R组件设计

介绍了一种基于AlN HTCC基板MCM工艺的宽带(2～12 GHz)T/R组件的原理及设计方法,该T/R组件在一块AlN HTCC微波多层基板上通过焊接、胶接等工艺安装了电阻、电容、ASIC、MMIC等器件,通过对电路布局设计、HTCC性能分析、关键互联电路仿真,得到的T/R组件的主要性能为:在10 GHz工作带宽内发射功率大于8 W,接收增益大于25 dB,噪声系数小于4 dB,重量小于40 g。     

自防护复合焊膏在微系统T/R组件封装中的应用

微系统封装由于极大提升了整个系统的功能与性能，已经逐步成为T/R组件最为重要的封装方式。航空、航天、军事、汽车等领域中的雷达等电子产品均对轻小型微系统T/R组件有着迫切的需求，但是目前微系统T/R组件常采用的低温/高温共烧陶瓷电路基板，与电装复合介质电路板之间的热膨胀系数失配度较大，极易造成中间连接的焊球（柱）焊点界面开裂，进一步造成整个系统的失效。针对HTCC基板与电路基板之间焊球的封装失效现象进行了研究，提出了一种复合添加环氧树脂制备自防护焊膏进行封装的工艺新方法，观察了封装界面的组织形貌并记录了焊点力学性能的演化规律，归纳并总结自防护焊膏提升可靠性的机理，为加速T/R组件微系统化的进一步落地提供了借鉴和指导。     

小型化X波段双通道T/R组件的设计与实现

介绍了一种X波段的双通道T/R组件,采用MCM工艺进行小型化设计,并结合电磁仿真软件对组件中的关键电路和结构进行分析和优化,最终实现的T/R组件具有体积小、重量轻的优点。测试结果表明,该组件具有良好的电气性能。     

基于LTCC技术的Ku波段四通道T/R组件研制

基于相控阵雷达的应用需求,利用LTCC多层基板技术,研制了Ku波段四通道T/R组件。该组件通过三维布局实现了组件的小型化和轻量化,同时也保证了射频、电源和控制的信号完整性。通过微带线变换带状线的优化设计,实现了良好的传输性能,提高了四通道信号间的隔离度。腔体内部做了隔墙设计,避免四通道的信号干扰,保证一致性。最终研制实现的小型化Ku波段四通道T/R组件,尺寸仅为70 mm×37.8 mm×11.5 mm,质量约53 g,组件接收增益大于25 dB,噪声系数小于4 dB,发射功率大于16 W。该T/R组件四通道一致性好,性能稳定,具有较好的应用价值。     

T/R组件基板电极区的互连可靠性

采用化学镀Ni/Pd/Au新工艺制作了T/R组件基板电极区,对比研究了在化学镀Ni/Au基板和Ni/Pd/Au基板上引线键合和钎焊的性能。结果显示:化学镀Ni/Pd/Au基板经过200℃烘烤处理6 h后,φ25μm金丝的引线键合强度大于0.08 N(8 gf),0402元件的焊点剪切强度大于4.9 N(500 gf),引线键合和钎焊性能均优于化学镀Ni/Au基板,有效地提高了T/R组件互连可靠性。     

声表面波RFID读卡器射频模块预算分析及仿真

声表面波射频识别读卡器射频模块是读卡器硬件的关键部分,如何按照一定的要求选择合适的元器件合理地设计出满足系统性能的射频模块电路是非常重要的。利用ADS2006软件对选定方案的射频模块电路进行系统级的射频预算分析,可以分配各个环节的性能参数,缩短了开发周期、节约了成本,并为后续的行为级仿真及模块电路调试测试提供了指导。     

基于VHDL实现的自动售货机芯片设计

VHDL语言是一种功能强大应用广泛的数字电路硬件描述语言,运用该语言进行集成电路芯片设计可以在不涉及具体电路情况下对集成电路芯片进行模块化设计并详细规定各个单元电路模块功能。此设计使用VHDL语言实现了一种自动售货机芯片,该芯片能够设定多种商品和货币的交易模式,并智能精确地完成交易过程。经MAXPLUS II进行仿真实验表明该设计具有设计全面、功能完善、交易准确等特点,达到了设计要求。     

基于光电二极管反偏的光电检测电路的噪声分析

噪声性能是限制光电检测电路探测能力的重要因素,针对这个问题,设计了基于光电二极管反偏的光电检测电路并分析其电路噪声,分析噪声时,创新性地从光电检测电路结构出发,将整个电路等效为光电二极管、晶体三极管、运算放大器三个级联模块,详尽分析了每个模块的噪声来源及其相关因素,计算每个模块的输出噪声,最终得出整个电路的输出噪声电压模型。根据输出噪声电压模型,确定了电路的各项参数,预估电路的输出噪声电压,最后,搭建实际电路,测量电路的噪声性能,验证了输出噪声电压模型的准确性,实现低噪声光电检测电路的设计。     

远程防盗汽车PKE系统设计

针对目前汽车PKE系统无远程防盗功能的问题,提出了一种基于STC单片机的具有远程防盗功能的汽车PKE系统设计方案。设计了钥匙模块的高频发射与低频唤醒接收电路,车载模块的高频接收与低频发射电路,以及车栽模块与GSM模块的通信连接。分析了滚动码加解密过程以及钥匙模块与车载模块之间的通信协议。此设计方案完善了PKE防盗功能,能够满足实际应用中的防盗和通信要求。     

基于HSI模型的全彩LED驱动电路设计

为了改善LED模组的照明质量,实现对LED模组色温的调节,通过分析LED模组的驱动电路技术,提出一种基于HSI模型的全彩LED驱动电路的设计方案。该驱动电路利用三色比例调节达到所需要的颜色,并采用PID调节方式,以保证调节的稳定。另外还可以调节输出光的色温和光强,达到了良好的照明效果。     

红外遥控发射器Proteus仿真研究

Proteus仿真软件中缺少红外遥控器件,给红外遥控系统开发造成了一定的阻碍。通过设计一种通用的红外遥控发射器Proteus仿真模块能解决这一问题。该仿真模块由单片机做控制核心,包含矩阵键盘扫描、数据调制和红外发射三部分外围电路,整个模块相当于红外遥控器。在红外遥控系统仿真时,可以直接复制该模块,填补了Proteus仿真软件对于红外遥控发射器件的这一缺口,能大大缩短红外遥控系统开发周期。     

机载雷达发射机控制保护电路的实现

机载雷达发射机控制保护电路主要完成发射机技术参数监测、工作次序控制、与雷达进行信息交换的任务。介绍了该电路的设计与实现过程,描述了基于单片机、CPLD（复杂可编程逻辑器件）、多路数控增益放大器的硬件设计,给出了数据采集、故障判断、控制、存储4个主要软件模块的流程图。在软硬件设计过程中,采用了模块化设计,电路结构紧凑,代码量小,便于维护和扩展。该电路对提高发射机的可靠性有重要意义。     

基于C8051F040的高性能CAN总线节点模块设计

经过分析CAN总线节点的功能,提出了CAN总线节点模块设计方案,介绍了典型C8051F040的CAN总线网络结构和CAN控制器结构,在硬件电路设计部分中,对模块实现原理及设计要点进行了详细的介绍,软件部分阐述了CAN总线节点模块的固件程序。给出了以此芯片为核心的CAN总线节点模块的应用层软件。设计的CAN总线节点模块功能强、性能高效,目前已经运用于工业现场使用的测量系统中。     

一种优异温度稳定性Ka波段上变频放大模块

研究了Ka波段变频放大电路的设计及其温度补偿技术,分析了上变频放大模块的基本原理,分别对射频增益及检波电压进行了温度补偿,提出了一种优异温度稳定性、高线性度、高增益稳定性的总体设计方案。该变频放大模块由放大电路、温补电路、混频电路、滤波电路及功率放大器等单元电路组成。运用Agilent ADS软件完成了模块的整体电路设计。同时,介绍了一种基于场仿真软件和实测相结合的方法,建立毫米波多芯片组件中互连的键合线模型,将键合线的寄生电感融入了上变频放大模块电路设计中,显著提高键合线互连电路的频率响应。采用多芯片组装工艺制作了高性能的变频放大模块,实现了在Ka波段输出功率＞于30.6 dBm,全温范围功率波动＜0.8 dB,全温检波电压指示波动＜0.2 V,测试结果与仿真结果一致。     

Gate Circuit Layout Optimization of Power Module Regarding Transient Current Imbalance

The layout of power multichip modules is one of the key points of a module design, especially for high power densities, where couplings are enlarged. This paper focuses on dynamic current imbalance between paralleled chips. It can be principally attributed to gate circuit dissymmetry, which modifies inductances and coupling, especially with the power circuit. This paper describes the analysis of an existing power module. An optimization process based on a modification of the gate circuit geometry allows balancing current during switching phases. This approach will be validated with experimental measurements and applied on an existing module.