基于H.264的精细可分级编码结构改进方案

介绍了一种基于H.264的精细可分级编码方式的改进结构,作为H.264扩展质量可分级编码结构,该结构还可以与时域、空域可分级编码方式结合.编码结构简单,易于实现.比较了质量可分级编码结构与双环编码结构.     

增加重要的自由度与结构动特性的分析

本文首先在工程的意义上阐述了结构动特性灵敏度与结构各阶模态的势能与动能的关系,分析了灵敏度与结构转角自由度的关系.然后提出了一种增加结构转角自由度的有效方法。并在此基础上,对一个自由——自由梁,在增加转角自由度振型以后,进行了灵敏度分析、结构修改与模态频率配制的研究,分析结果验证了所提方法的可行性与实用性.从本文的研究中可以看到对结构进行灵敏度分析的实质.     

一种基于基板缺陷的共面波导电磁带隙结构

提出了一种通过湿法腐蚀实现的基板缺陷共面波导电磁带隙结构,并进行了建模仿真、加工和测试.重点研究了基板缺陷结构与传统金属缺陷结构的差异,以及采用湿法腐蚀工艺的优势.实验结果显示:新结构具有明显的电磁带隙特性;与干法刻蚀工艺相比,采用湿法腐蚀工艺加工可以获得更宽的阻带范围和更强的阻带抑制.该结构完整保留了50 Ω共面波导的信号线和接地板金属,可以与传统的金属缺陷结构结合,以获得性能更好的器件.     

MEMS压阻超声传感器的设计与优化

提出了一种新的压阻式超声传感器结构,该结构由主振梁和微传感梁组成,在声压的作用下,主振梁振动从而带动微传感梁的振动.通过有限元软件Ansys仿真分析该结构的灵敏度,并与悬臂梁结构压阻式声传感器相比,结果表明灵敏度有了一定的提高.为了实现结构的优化,仿真了结构的尺寸与共振频率的关系,对相同共振频率的结构进行了静力分析,计算并对比了不同尺寸结构的灵敏度,从而得到灵敏度最高的结构,实现了结构的优化.     

双层耦合结构的振动与声辐射性能研究

利用周期性定理和傅里叶技术,得到双层耦合结构的振动能量及声辐射功率表达式.研究了双层耦合结构的振动与声辐射特性.当流体介质由空气变为水时,结构的振动峰谷值数目及声辐射功率均有所增加.结合工程实际,进一步讨论了敷设阻尼橡胶层对于结构的振动与声辐射特性的影响.结果表明,在未受激励板上敷设阻尼橡胶层后结构的振动与声辐射性能得到较好控制.     

一种改进的旋转式微机械结构

给出了一种改进的旋转式微机械薄膜残余应变测试结构.与已有的普通微旋转结构相比,改进的微旋转结构执行梁的宽度都保持一致.改进的微旋转结构在旋转变形之后,整个执行梁都会发生弯曲变形,所以在变形之后结构的残余应力非常小且分布均匀,没有普通微旋转结构的高应力集中,因此测量精度高于传统微旋转结构,更适合于高残余应变薄膜的测试.文中详细推导了改进微旋转结构的力学模型,并用有限元软件进行了模拟分析,同时详细地给出了改进的微旋转结构与传统微旋转结构的性能对比,最后用实验对改进微旋转结构的理论模型进行了验证.     

加法器结构的大功率固态脉冲调制器的研究

介绍了大功率固态调制器电路常用的拓扑结构,讨论了开关直接串联与加法器叠加两种拓扑结构的特点.设计了基于绝缘栅双极性晶体管的加法器结构的大功率固态脉冲调制器,探讨了该类型大功率调制器的关键技术,介绍了调制器系统参数,并与国内外大功率调制器进行了对比.重点阐述了调制器实验,给出了实验结果,并对实验结果进行了分析.最后探讨了加法器结构的大功率固态脉冲调制器的优势及应用潜力.     

全反射镜结构对AlGaInP发光二极管发光效率的影响

采用计算机模拟的方法,计算了SiO2/Al,ITO/Al,SiO2/Au和ITO/Au全方位反射镜结构和分布式布拉格反射镜的反射特性.用PECVD和溅射设备制作了Glass/SiO2/Au结构,用LP-MOCVD生长了DBR结构,并测量了其反射特性,实验与模拟结果基本吻合.从模拟和实验的结果得到,SiO2/Au ODR结构在波长为630nm的垂直入射光下反射率很高,达到91%以上.对于不同角度的入射光,SiO2/Au在20°～85°都有很高的反射率,远高于DBR结构的反射率.在实际器件测试中,ODR结构的AlGaInP红光LED比无DBR结构的LED提高了115%,比DBR结构的LED提高了28%.这说明,ODR结构与DBR结构相比可以大幅提高红光LED的出光效率.     

全反射镜结构对AlGaInP发光二极管发光效率的影响

采用计算机模拟的方法,计算了SiO2/Al,ITO/Al,SiO2/Au和ITO/Au全方位反射镜结构和分布式布拉格反射镜的反射特性.用PECVD和溅射设备制作了Glass/SiO2/Au结构,用LP-MOCVD生长了DBR结构,并测量了其反射特性,实验与模拟结果基本吻合.从模拟和实验的结果得到,SiO2/Au ODR结构在波长为630nm的垂直入射光下反射率很高,达到91%以上.对于不同角度的入射光,SiO2/Au在20°～85°都有很高的反射率,远高于DBR结构的反射率.在实际器件测试中,ODR结构的AlGaInP红光LED比无DBR结构的LED提高了115%,比DBR结构的LED提高了28%.这说明,ODR结构与DBR结构相比可以大幅提高红光LED的出光效率.     

大功率倒装结构LED芯片热模拟及热分析

对功率型倒装结构发光二极管(LED)温度场分布进行了有限元模拟,与实测结果进行了比较,并结合传热学基本原理对模拟结果进行了分析.结果表明,凸点的形状及分布与芯片内部温差有着密切的关系,蓝宝石的厚度对芯片内部温差也有一定的影响.同时,对倒装结构与正装结构的热阻进行了比较.     

CMOS与CCD性能及高清应用比较

互补金属氧化物半导体（CMOS）与电荷耦合器件（CCD）是目前主流的图像传感器件。CMOS与CCD图像传感器的研究几乎同时起步,但是CMOS的应用有相当一段时期落后于CCD。近些年,各个级别质量的图像采集领域,都有COMS图像传感器的应用。从CMOS和CCD图像传感器采用的技术手段和性能表现两大方面做了较为全面的比较和分析,给出了较为详细的对比参数表,并介绍了CMOS和CCD传感器在高清摄像方面的高端应用。     

激光对CCD及CMOS图像传感器的损伤阈值研究

针对激光对CCD及CMOS图像传感器的干扰损伤进行了理论分析和实验研究.实验测量出常压及真空条件下1064nm激光对CCD及CMOS图像传感器的干扰阈值、损伤阈值及完全损坏阈值.实验结果表明,CCD或CMOS图像传感器的各种阈值在常压和真空两种不同条件下的差别不明显.实验结果还显示,无论在常压还是在真空条件下,CCD比CMOS更容易受到激光的干扰和损伤甚至严重损坏;而CMOS相机具有很好的抗干扰和抗损伤能力.     

CMOS图像传感器及其研究

介绍了CMOS图像传感器的工作原理,比较了CCD图像传感器与CMOS图像传感器的优缺点,指出了CMOS图像传感器的技术问题和解决途径,综述了CMOS图像传感器的现状和发展趋势.     

CMOS image sensors: electronic camera-on-a-chip

CMOS active pixel sensors (APS) have performance competitive with charge-coupled device (CCD) technology, and offer advantages in on-chip functionality, system power reduction, cost, and miniaturization. This paper discusses the requirements for CMOS image sensors and their historical development, CMOS devices and circuits for pixels, analog signal chain, and on-chip analog-to-digital conversion are reviewed and discussed     

CMOS图像传感器优势和最新产品

概述了CMOS图像传感器的优势,介绍了现阶段市场最新产品的情况.结合实际应用中CMOS图像传感器的弱点,提出了相关的改进措施和新技术.     

紫外增强图像传感器的研究进展

近年来图像传感器在紫外成像的应用越来越广泛,尤其是以CCD（charge coupled device）和CMOS（complementary metal oxide semiconductor）为主的紫外图像传感器受到了研究人员的广泛关注。半导体技术的进步和纳米材料的发展进一步推动了紫外图像传感器的研究。本文综述了国内外紫外增强图像传感器的研究进展,介绍了几种增强器件紫外响应的材料,另外还简要概述了紫外图像传感器在生化分析、大气监测、天文探测等方面的应用,并讨论了CCD/CMOS图像传感器在紫外探测方面所面临的挑战。     

CCD图像传感器发展与应用

主要介绍了线阵CCD、面阵CCD、帧转移CCD、ITO-CCD和电子倍增CCD等图像传感器的发展现状.以CMOS器件作为比较,探讨和研究CCD图像传感器的应用领域以及未来发展趋势.     

Special Issue on Solid-State Image Sensors

This editorial summarizes the contents of this special issue of the IEEE Transactions on Electron Devices on solid state image sensors. Several researches on CCD and CMOS image sensors are included in this issue.     

CCD与CMOS图像传感器特点比较

简要介绍了CCD(电荷耦合器件)与CMOS图像传感器的结构,并对二者的性能特点进行了比较,指出二者在未来的发展中不会出现谁消灭谁的结局.     

Scaling and Pixel Crosstalk Considerations for CMOS Image Sensor

With the scaling development of the minimum lithographic size, the scaling trend of CMOS imager pixel size and fill factor has been computed according to the Moore rule. When the CMOS minimum lithographic feature scales down to 0.35 μm,the CCD imagepixel size is not so easy to be reduced and but the CMOS image pixel size benefits from the scaling minimum lithographic feature. However, when the CMOS technology is downscaled to or under 0.35μm,the fabrication of CMOS image sensors will be limited by the standard CMOS process in both ways of shallow trench isolation and source/drain junction, which results in pixel crosstalk. The impact of the crosstalk on the active pixel CMOS image sensor is analyzed based on the technology scaling. Some suppressed crosstalk methods have been reviewed. The best way is that combining the advantages of CMOS and SOI technology to fabricate the image sensors will reduce the pixel crosstalk.