固体磷酸催化剂中活性相的晶体结构与形貌的电镜研究

利用电子衍射几何构图法确定固体磷酸催化剂中活性相正磷酸硅(Si_3(PO_4)_4)属于三角晶系。其晶格参数a_r=b_r=c_r=9.26(?),α=50°。确定焦磷酸硅(SiP_2O_7)为单斜晶系。其晶格参数a=4.7,b=12.0,c=7.6(?),β=91°。两种活性相的结晶形态明显不同。正磷酸硅呈规则六边形片晶。片晶面的法线为C_h轴方向。焦磷酸硅具有棱柱状外形。棱平行于a方向。而b与c在棱柱的横截面内。     

高临界温度超导材料BiSrCaCu_2O_y的电子显微镜研究

新的高Tc超导材料B:SrCaCu_2O_y具有两个主要的超导相,它们的超导转变温度分别为89k(称之为A相)和110k(称之为B相)。电子衍射分析得到A相和B相的平均结构都是正交晶胞。A相的晶胞参数为a=0.541nm。b=0.543nmc=3.07nm,B相的晶胞参数为a=0.541nm,b=0.543nm,c=3.68nm。图1 a、b分别是A相沿[001]和[110]方向的高辩象,沿b方向有无公度的调制,调制周期约为2.53nm。这种超导材料具有沿c方向的层状组织,并且A相和B相存在交生(图2)。此外也观察到沿c方向周期为2.48nm的铋锶钙铜氧化物。     

铊—钡—钙—铜—氧超导材料的透射电子显微镜研究

T1—Ba—Ca—Cu—O超导材料问世以来的研究表明,该材料中有Tc约为120K和90K两个超导相,它们皆属于体心四方晶系,晶胞参数分别是a=3.85A,c=35.8A和a=3.85A,c=29.4A,同时还发现该超导材料中有c=35.8A相与c=29.4A相的交生。本工作用高分辨透射电子显微镜JEM—200CX对T1—Ba—Ca—Cu—O超导材料进行了研究。图1和图2分别是该材料的[100]电子衍射花样及晶格条纹象。分析表明,T1—Ba—Ca—Cu—O超导材料中确有c=35.8A相与c=29.4A相的交生。沿[100]方向电镜观察发现,C=35.8A相与C=29.4A相均有面缺陷。     

偏铌酸铅压电陶瓷的研制

<正> 一、前言 偏铌酸铅系钨青铜型结构的铁电体,分子式为:Pb_5Nb_(1D)O_(3D),简写PbNb_2O_5,它的A位仅被填充了5/6,而且分布是随机的。在居里点以上,偏铌酸铅是四方晶系结构,其a=12.56(?),c=3.925(?)。在居里点以下,晶格向斜方晶系畸变,晶胞体积约增大四倍,晶格常数则变为a=17.63(?),b=     

Tl—Ba—Ca—Cu—O体系超导相的会聚束电子衍射研究

在 Philips EM420上,用会聚束电子衍射(CBED)研究转变温度为114K超导材料 TIBaCaCu_3O_(6.5)。发现了两个超导相,属四方晶系。对应超导相的转变温度120K和90K,其点阵参数分别是a=5.47A,c=36.1A和a=5.47A,c=29.7A。点群4/mmm,空间群14/mmm。图a是c=36.1A相的[001]会聚束带轴图。其对称性为4mm,镜面在[100]和<110>方法,{200}和{400}暗场对称性为含一个二次轴的2mm,这意味着存在一个垂直[001]带轴的镜面,因而点群为4/mmm。第一个劳埃环投影到零层衍射位置,第二个劳埃环投影到零层衍射之间,这说明点阵是有心的.空间群是14/mmm。从高阶劳埃环的半径(G),可测得沿带轴方向的周期(H)。C~2=2KH     

急冷Al4Cr合金的透射电镜研究

研究与准晶结构相关的晶体相将有助于对准晶的原子结构的了解。在急冷的AL_4Cr合金中,我们观察到一个与二十面体准晶有密切联系的晶体相。通过电子衍射确定该相具有底心正交点阵,x射线能谱分析表明其成分接近Al_4cr,x射线点阵参数测量的结果与S.S.Lu等报道的正交Al_7Cr的点阵参数相符(a=19.99A,b=34.51A,c=12.47A),因此,我们所观察到的正交相与S.S.Lu报道的Al_7Cr是同一个相,为区别于我们在急冷Al_2CrSi合金中发现的μ-Al_4Cr,我们称之为ε-Al_4Cr。     

Bi2Sr2Can—1CunO2n＋4＋δ调制结构中的缺陷

众所周知,Bi系超导氧化物Bi_2Sr_2Ca_(n-1)Cu_nO_(2n+4+δ)晶体结构的特征是具有一维调制结构。其基本结构中的原子在位置和成份两方面沿[010]方向作周期性变化的结果,使(BiO)_2层中交替出现Bi密集和Bi疏稀的区域,形成a=0.54nm,b=2.7nm和C=2.46nm,3.1nm和3.7nm(对应于n=1,2和3的2201,2212和2223相)的调制结构。由于b和c较大,沿[100]方向较容易得到调制结构的晶格象。和一般晶体结构相类似,在调制结构中也会出现各种缺陷,我们利用[100]方向的晶格象。结合电子衍射图,研究了B_i系超导氧化物调制结构中的缺陷,讨论了它们的特征和作用。1.(001)90°旋转孪晶面(图1),一维调制使晶体对称性由四方降为正交,ab轴不等价,上部晶体沿[001]轴     

BaLaGdTi_3O_(10)晶体的透射电子显微镜研究

BaLaGdTi_3O_(10)晶体是为研制微型激光器件生长的新晶体,其结构未知。由于晶体缺陷太多,用x射线衍射未能确定它的结构。我们用透射电子显微镜Philips EM420和JEM—200CX对BaLaGdTi_3O_(10)晶体进行了研究。从电子衍射花样和晶格象(图1,图2)测得该晶体有正交晶胞,其参数为:a=7.72A b=56.4A c=7.62A晶胞参数c与BaNd_2Ti_3O_(10)晶体的相近,a与b约为BaNd_2Ti_3O_(10)的两倍。晶体极易沿(010)晶面解理。     

安康矿无公度调制结构的研究

安康矿是近年在我国陕西安康发现的一种新矿物,其化学式为Ba_(0.827)(Ti_(5.827)V_(2.294)Cr_(0.053)_(8.174)O_(16)。X射线衍射测定其平均结构属四方晶系,a=10.118A,c=2.956A,空间群为I_4,并发现有沿c方向的一维无公度调制衍射。安康矿晶体结构属柱红石类型,与锰钡矿相类似,而锰钡矿中无公度调制结构的形成通常认为是由Ba原子填充在四方通道所引起的。图1a,b,c是沿安康矿[001]、[100]和[110]带轴的电子衍射图。由此可知安康矿沿c轴方向存在无公度调制结构,其调制波波矢(?)=(?)/2.27。     

高温超导材料Y_yV_(1-y)Ba_2Cu_3O_(9-x)的电子衍射分析

本文用透射电镜双倾台围绕某一密排点列旋转拍摄了一系列电子衍射谱图,然后利用几何构图法以及正空间和倒空间的关系,确定了高温超导材料YyV_(1-y)Ba_2Cu_3O_(9-x)的晶系和晶胞参数及可能的空间群,经研究该材料由相(主相)和相组成,它们皆为正交晶系,相的晶胞参数a=3.85A,b=3.26A,c=11.7A,相的晶胞参数为a=6.60A,b=5.35A,c=11.71A,可能的空间群为Pmmm或P222,同时,我们还将电子衍射和X光衍射结果相比较,二者十分接近,另外我们还结合Y—Ba—Cu—O体系的晶体学特征,讨论了α相、β相的晶胞参数和成分之间的关系,认为由于Y~(+3)、V~(+3)、Ba~(+2)离子半径差异较大,且含量不同引起了品胞大小和性能上的差异。     

紫外双折射晶体α-BaB2O4的光学特性

偏硼酸钡晶体(BaB2O4)以高温相和低温相两种晶型结构形式存在,其晶型转变温度为925±5℃。其中低温相的β-BaB2O4(简称β-BBO)是一种优越的非线性光学材料,被广泛应用于激光领域,而作为高温相的α-BaB2O4(简称α-BBO)晶体属三方晶系,R3c,a=b=0.7235nm,c=3.9192nm,α=β=9...     

用EHMO方法计算晶体电子态密度的一种改进

本文讨论Si集团的EHMO计算.适当选择参数k可使集团总能量当晶格常数a=5.42A|°(即硅的晶格常数)时为最小.在基函数中引进Si-3d轨道后,便可改进集团计算的禁带宽度.     

Y1Ba2Cu3O7—8超导体层错的高分辨电镜研究

我们在运用高分辨电子显微术,在T_c为90K通过固态反应制备的YBaCuO超导体中观察到两种类型的层错,其层错面均为(001)面。结构象衬度及晶体周期性分析表明层错均为附加Cu-O链插入包含基本Cu-O面的两层Ba-O层之间所致,两种层错分别具有位移矢量R_1=[0,/2,c/b]和R_2=[a/2,b/2,c/b]。图1为[100]带轴的高分辨象,图中显示了R_1型层错并标出了层错附近原子排列情况,结构模型在[100]方向的投影如图4A区所示。图2是与图1同一样品稍不同区域不同欠焦量的[100]带轴高分辨象。图中B区沿水平方向晶格参数与A区相同,故A、B两区具有相同的晶带轴B区显示的层错与A区不同,具有位移矢量R_2,图中标出了原子排列情况,结构模型如图4B区所示。(001)层错可以穿过整个晶粒,也可中止在其中。在层错中止处,存在伯格斯矢量和层错位移矢量相同的不全位错。图     

Bi—Sr—Ca—Cu—O系超导相中共生结构的会聚束观察

按照Bi:Sr:Ca:Cu=1:1:1:2的原子比制成Bi-Sr-Ca-Cu-O单晶样品,超导转变温度约为85K·采用会聚束及选区电子衍射的方法在 Philips EM420电子显微镜上对其结构进行研究,结果证明,这是一种正交结构·由图d的[001]带轴衍射图(EDP)可知单胞的a=5.4A,b=27.7A,而在c方向至少存在3种不同周期·较多的情况如图a所示:由全图及暗场的对称性可知其点群为mmm,箭头所指的一阶Laue环表明了[001]方向c=30A的周期排列。但在同一种样品中还发现了如图b和c中上下箭头所指的双重一阶Laue环现象,这显然是[001]方向不同周期排列共生所产生的效果计算表明,     

α—PbO2型TiO2纳米晶微结构的HREM研究

TiO2是一种具有广泛应用前景的氧化物材料,其结构及相关的物理化学特性一直是实验和理论研究的焦点.常温常压下TiO2可以以四种形态存在,即锐钛矿、金红石、板钛矿和α-PbO2型.其中属四方晶系的金红石是最稳定的,其它几种形态在高温下都将转变成金红石.板钛矿和α-PbO2型TiO2都属正交晶系,但前者只是以亚稳相的形式存在,而后者则是一种高压淬火相.α-PbO2型TiO2可以在0.8到10.0GPa的压强下形成,其晶格参数为a=4.55、b=5.46、c=4.92[1].     

Bi系超导体中界面的高分辨电子显微术研究

Bi系超导体是一种类钙钛矿型体心四方结构,元胞参数为:a=b=5.41A,c=30.8A(对应于T_c～85K或c=37.1A(对应于T_c～110K),而且存在无公度调制结构,这种结构可以用两上独立的调制波矢q_1和q_2描述,本文利用高分辨电子显微术对两种界面进行了研究。图1是90°扭转界面的高分辨像。界面上侧不出现超结构调制网格,对应于a-c面,c方向周期为30.8A。界面下侧出现了二维调制网格,对应于b-c面,这种调制可用上述两个独立的调制波矢q_1和q_2     

MnQ2 ( Q =S ,Se,Te)and [Mn(en) 3]Te4StructuresandTheir

The solvo-thermal technique is used for the synthesis of Te 4 (I).The crystal structure has been determined by single crystal X-ray diffraction techniques.The crystal belongs to the monoclinic, space group p 2 1/ c with unit cell: a =0.846 1(1), b =1.565 3(2), c =1.426 9(2) nm, α =90°, β =91.37(1) (3)°, γ =90°, V =1.889 3(4) nm 3,and Z =4.The results show that the structure contains a linear chain Zintl anion, 2- and a complex cation, 2+ . Optical studies have been performed on the powder sample of I, suggesting that the compound is a semiconductor with a band gap of 0.73 eV. The semiconductor properties for MnQ 2(Q=S,Se,Te) and Te 4 have been discussed by molecular orbital theory.     

热效应对高功率b轴Nd:YAP、Nd Cr:YAP连续激光器输出的影响

本文在文献[1]的基础上提出了含有椭圆折射率分布介质谐振腔的设计方法,分析了b轴Nd:YAP、Nd Cr:YAP连续激光器中热效应对激光横向场分布、输出偏振方向以及输出功率的影响。 Nd:YAP晶体的热焦距f_(x=0)~((z))和f_(z=0)~((z))较短,这就使得在较大的输入功率时,激光的输出特性发生变化。在非对称(A=16厘米,B=11.9厘米)平面腔中,当输入功率为3.615千瓦时,沿a轴和c轴偏振的激光,在a轴和c轴位置腔的g值都处在稳定区(0≤g_1g_2≤1),由于c轴偏振跃迁截面大,所以激光以c轴偏振的1.0795微米起振。随着泵浦功率的提高,热焦距缩短,增加到6.3千瓦时,c轴偏振在c轴位置腔的g参数落在稳定和非稳定区的交界处,而在a     

两种大带隙的长方晶格二维光子晶体

利用快速平面波展开法研究了两种长方晶格光子晶体,发现它们在高频区都存在大带 隙,经参数优化,原胞结构为“工”字形的光子晶体,最大绝对禁带宽度Δω为0. 1393ωe (ωe =2πc / a, a为晶格常数, c为光速) ,绝对禁带中心频率ωmid为1. 7368ωe ,Δω/ωmid = 8. 02%;原胞结构为“王”字形的光子晶体,最大绝对禁带宽度Δω为0. 1544ωe ,绝对禁带中心频率ωmid为1. 5854ωe ,Δω/ωmid = 9. 74%。     

MnQ2（Q=S,Se,Te）and [Mn（en）3]Te4 Structures and Their Semiconductor Properties

The solvo-thermal technique is used for the synthesis of [Mn(en)3]Te4 (I).The crystal structure has been determined by single crystal X-ray diffraction techniques.The crystal belongs to the monoclinic, space group p21/c with unit cell:a=0.8461(1),b=1.5653(2), c=1.4269(2)nm, α=90°,β=91.37(1) (3)°, γ=90°,V=1.8893(4)nm3,and Z=4.The results show that the structure contains a linear chain Zintl anion,[Te4]2-and a complex cation,[Mn(en)3]2+. Optical studies have been performed on the powder sample of I, suggesting that the compound is a semiconductor with a band gap of 0.73eV. The semiconductor properties for MnQ2(Q=S,Se,Te) and [Mn(en)3]Te4 have been discussed by molecular orbital theory.