140GHZ GaAs体效应谐波振荡器

本文介绍了采用国产GaAs Gunn二极管的工作频率在120～140GHz的谐波振荡器,其在120GHz与139GHz下的功率输出分别为13.5mW和3.5mW。     

体效应振荡器的频率温度补偿研究

本文分析了体效应振荡器温度特性不佳的主要原因，提出了变容管调谐的温度补偿方法，阐述了补偿原理，并给出了实验结果，实践证明，该方法具有良好的补偿效果。     

体交应振荡器的频率温度补偿研究

本文分析了体效应振荡器温度特性不佳的主要原因，提出了变容管调谐的温度补偿方法，阐述了补偿原理，并给出了实验结果，实践证明，该方法具有良好的补偿效果。     

26GHz变容管调谐体效应振荡器

本文给出一种微带波导型变容二极管调谐体效应振荡器设计过程。采用国产器件制作了三只中心频率为25.7GH_z的电调振荡器:在大于500MH_z电调范围内,输出功率均大于120mw 0.5dB,且具有小于0.5dB的功率平坦度、良好的频谱质量及电调线性度。目前已用于26GH_2锁相源系统。实际使用表明:该振荡器结构可靠,性能优良。     

一种具有深度二次谐波抑制的微波振荡器

微波振荡器作为通信系统中的关键器件,已经被广泛地研究和设计。因此,设计具有优秀性能的微波振荡器是至关重要的。提出一种具有深度二次谐波抑制性能的新型微波负阻型振荡器。该设计的新颖性在于利用一个装配于双极结型晶体管射极的并联结构(由一段短微带线和电容并联组成)来实现二次谐波抑制。该结构作为振荡器基波信号的反馈元件,同时作为二次谐波处的带阻结构。因为二次谐波没有反馈回路(接地),所以能被极大地抑制。更重要的是在振荡器的输出端无额外的滤波器来抑制二次谐波,这使得电路尺寸得以减小。给出了一个振荡器设计实例,并给出其测试结果来论证理论的正确性。测试结果表明相较于传统振荡器的二次谐波抑制度有25 dB 的提高。     

Ku波段脉冲耿氏振荡器

文章描述了脉冲耿氏管、微波电路和脉冲调制器的结构和设计原则;给出了Ku波段脉冲耿氏振荡器的研制结果:在13～15GHz范围内,脉冲功率大于5W,工作比≤1％,最大效率为5％。     

高稳定度中功率C波段耿氏DRO

文章介绍了 C 波段介质谐振器稳频耿氏振荡器实用电路结构,简明分析了耿氏 DRO 稳频和工作原理以及用高 Q 介质谐振器稳频和双金属补偿所得的实验结果:在5.3GHz 附近,振荡器输出功率为280mW,在-40～+60℃范围内,振荡器频率温度系数为0.56PPm/℃,功率温度系数小于0.01dB/℃。     

2cm波段耿管电调振荡器

报道了采用部分集成方案研制的Ｋｕ波段变容管调谐耿管振荡器（ＶＣＯ）及两管功率合成器。研制的两只中心频率为１６和１７ＧＨＺ的电调振荡器，其中１６ＧＨＺ的电调带宽大于６４０ＭＨｚ，输出功率大于１１０ｍＷ，功率起伏小于０．６ｄＢ；而１７ＧＨｚ的电调带宽大于２３０ＭＨｚ，输出功率大于１１０ｍＷ，功率起伏小于０．９ｄＢ。两管功率合成器的振荡频率为１７．３ＧＨｚ，输出功率达２５０ｍＷ．     

基于耿氏效应的太赫兹器件的研究进展

介绍基于耿氏效应的器件在太赫兹领域的研究,详细地阐述耿氏二级管的原理、工艺流程、关键技术的解决和耿氏二极管频率和功率的提高等.重点介绍耿氏二极管的封装工艺和耿氏二极管腔体的具体结构.系统论述通过制备腔体需要的关键尺寸,如腔体内部尺寸、波导型号,从而提取基波与谐波,并提出其提高频率和功率的途径.     

晶向的各向异性对InN耿氏二极管的影响

由于InN材料具有各向异性的特性,其电子迁移率沿c轴(Γ-A方向)和底面(Γ-M方向)不同,同时,其负微分电阻率在不同晶向上也不同。利用Farahmand Modified Caughey Thomas(FMCT)迁移率模型描述了InN材料在不同晶向上的电子输运特性,利用文中提出的参数提取方法分别提取了InN在不同晶向上的FMCT模型参数。为了将InN材料的各向异性特性应用于耿氏(Gunn)二极管的制作,使用Silvaco-atlas半导体仿真软件对纤锌矿InN n⁺ⁿⁿ⁺和n⁺ⁿ-nn⁺两种结构的耿氏二极管进行数值仿真,对沿两个晶向上制作的InN耿氏二极管的输出特性进行了比较。结果表明:InN耿氏二极管沿Γ-A方向比沿Γ-M方向获得的频率和转化效率更高。InN材料沿Γ-A方向更适合制作耿氏二极管,该研究为制作InN耿氏二极管提供了参考。     

高性能U波段砷化镓体效应二极管

介绍了一种新型的高性能毫米波砷化镓体效应二极管,通过对材料、参数、工艺的优化与设计,较好地解决了高工作频率与高输出功率之间的矛盾,实现了器件性能的提升与突破。在U波段,最大连续波输出功率达180mW,最高转换效率约5%。     

耿氏二极管的几种失效模式及其机理分析

介绍了耿氏二极管的工作原理及其基本结构,通过外观检查、电特性测试、环境试验、内部目检、X射线及扫描电镜(SEM)检查等失效分析手段和方法,针对耿氏二极管在使用过程中较常出现的短路、开路及管帽脱落等失效模式及失效机理进行了分析和讨论,并根据上述几种失效模式对应的机理,指出了避免失效的一些措施,对该器件的制造商和使用者具有一定的参考价值.     

一种带有开关电流源的低相噪压控振荡器

提出一种带有开关电流源的电感电容压控振荡器（LC VCO）。该技术通过反馈电容将电感电容压控振荡器的输出耦合到电流源,形成了电流源的开关特性,从而减小了电感电容压控振荡器的相位噪声。提出的电感电容压控振荡器采用华虹 NEC的0.18μm SiGe BiCMOS工艺,工作频率为5.7 GHz,相位噪声为-113.0 dBc/Hz@1MHz,功耗为2.3 mA。在其他性能相同的情况下,提出的电感电容压控振荡器的振荡频率比典型的电感电容压控振荡器的相位噪声小4.5 dB。     

高稳定Ka波段微带耿氏振荡器

报道了一种使用介质谐振器稳频的高性能和高稳定的Ka波段全微带GaAs Gunn振荡器。在33GHz下,输出功率高达170mW,频率稳定度为9.7ppm/℃。     

一种新颖的毫米波集成功率合成器

本文介绍一种结构新颖的毫米波Ｅ面混合集成功率合成器及其设计方法。功率合成器电路由鳍线和Ｅ面线构成,输出端口为标准矩形波导。具有结构紧凑、调试简便的优点。采用两耿氏管,在Ｋａ波段,６３０ＭＨｚ的机械调谐带宽内连续波输出功率大于２００ｍＷ,最大输出功率为２９３ｍＷ。