苯甲酸质子交换LiTaO_3波导及其退火性能的研究

报道了在苯甲酸中制作质子交换ＬＩＴａＯ３光波导的方法和波导的退火特性，给出了退火前后波导层中折射率的分布，计算了波导层的表面折射率增量和扩散系数，结果表明波导层表面折射率增量和退火时间与交换时间的比值有关。     

利用缓冲质子源制作LiNbO3光波导:光学特性及稳定性研究

利用缓冲质子源(苯甲酸中掺入一定量的苯甲酸锂)在Z切LiNbO3基底上制作了质子交换平面光波导，得到了不同掺杂摩尔分数(0．5％，1．0％和1．5％)的缓冲质子源质子交换波导的有效扩散系数及折射率分布。随着质子源中苯甲酸锂的摩尔含量逐渐增加，质子交换的有效扩散系数呈指数衰减，同时波导表面折射率增量线性递减。研究了有效折射率的稳定性特征，并与用纯苯甲酸制作的光波导进行了比较，发现利用缓冲质子源制作的LiNbO3光波导的稳定性明显优于纯苯甲酸制作的光波导。     

十八酸质子交换铌酸锂光波导的性能及其退火性能的研究

报道了采用十八酸作为质子源制作的铌酸锂光波导的性能及其退火对波导性能的影响，给出了退火前后波导层中非常光有效折射率的剖面分布，得出了质子交换的扩散参数和波导层的表面非常光折射率的增量．给出了波导层的表面非常光折射率的增量和扩散深度的增量与退火时间的指数关系．     

缓冲质子源LiNbO3波导折射率计算及实验

为实现铌酸锂退火质子交换(APE)波导折射率分布的准确计算,选择含苯甲酸锂的苯甲酸缓冲液作为质子交换质子源,高温退火制作了波导样本.针对该工艺过程建立退火质子交换波导模型,包括非线性扩散模块和光学数值仿真模块,分别计算APE波导折射率及其模式有效折射率.以测得的样本波导模式有效折射率和计算的有效折射率差的均方根构建评价函数(FOM),结合遗传算法提取该工艺条件下质子扩散参数,实现了不同交换深度和退火时间波导折射率分布及其光学特性的一体化计算.实验表明:FOM小于0.001,计算折射率分布同IWKB方法测得结果吻合较好,最大偏差约0.002.     

质子交换LiNbO3波导的特性研究

本文研究了采用质子交换与退火工艺相结合所制作的LiNbn_3波导的特性。用WKB法测量了折射率分布剖面,并提出一种新的两棱镜法测量了波导损耗。结果表明:质子交换与退火工艺相结合,可使LiNbo_3波导的表面折射率降低0.0363,波导层向衬底内扩展,折射率剖面变为渐变形,同时损耗降低到0.4dB。     

质子交换LiTaO3平板光波导的表征

本文采用质子交换法制备了Ｚ切ＬｉＴａＯ３晶体平板光波导，并研究了退火前后波导的光学性能。讨论并用实验结果验证了退火前后波导内折射率的分布，实验证明退火前波导层的折射率分布为阶跃型，退火后其分布为费米型。在６３２．８ｎｍ的Ｈｅ－Ｎｅ激光波长下的测量结果表明：质子交换ＬｉＴＡＯ３波导层折射率增量退火前约为０．０１２，退火后为０．０２５。     

硅包层质子交换条形光波导的频率响应

退火质子交换工艺已成为一种制备低损耗铌酸锂光波导的重要技术.但目前对该类光波导传输特性的研究还不多.利用半矢量光束传播法,对硅包层X切退火质子交换铌酸锂条形光波导的频率响应特性进行了数值分析.给出了几种波导结构参数下的计算结果.结果表明,波导传输模式的衰减特性与波长相关.波导的衰减特性,可以通过调整波导表面中心处折射率增量,硅包层厚度,及缓冲层的折射率和厚度来控制.硅包层光波导可以用来制作光频滤波器.     

质子交换铌酸锂波导的退火工艺

介绍了质子交换铌酸锂波导的制作工艺，比较分析了不同切向、不同退火温度、不同退火时间下铌酸锂波导的特性．     

质子交换铌酸锂波导MMI光功分器

利用三维非旁轴近似光束传输法对退火质子交换铌酸锂渐变折射率分布波导中的自镜像效应进行分析与模拟 .在此基础上 ,利用退火质子交换技术在 X切 Y传铌酸锂衬底上进一步制作了 1× 8MMI光功分器 .测试表明器件实现了 1路分成 8路的光功分功能 .     

质子交换铌酸锂波导MMI光功分器

利用三维非旁轴近似光束传输法对退火质子交换铌酸锂渐变折射率分布波导中的自镜像效应进行分析与模拟.在此基础上,利用退火质子交换技术在X切Y传铌酸锂衬底上进一步制作了1×8 MMI光功分器.测试表明器件实现了1路分成8路的光功分功能.     

the Good,the Bad and the Ugly

《Sat Magazine》,2012年11月刊对于当红的有效载荷商业搭载(Hosted Payload)业务,由十余家知名航天企业组成的"有效载荷搭载联盟"(HPA)显然颇具发言权。在最新一期Sat Magazine杂志上,HPA的代表撰文细数了有效载荷搭载业务最近面临的"善、恶、丑":"善"——美国总统奥巴马在向国会提交的2013财年预算申请中为与有效载荷     

唯产业是根唯亮点是本--回眸"中国信息安全战略与趋势"高层研讨会4年之履

引言四季轮回,大自然总是不偏不倚地遵循着这一守则,使人类感受着异样的景观和不断的期待。《信息安全与通信保密》杂志社感受自然恩泽的同时,也期盼着能为信息安全产业界带来四季如春的新意与生机。 二零零一年始办的“中国信息安全发展趋势与战略”高层研讨会已经走过了4个年头,承蒙主管领导、专家学者及广大安全企业和行业用户之关照与呵护,4年后的今天依然能够站在产业的前沿,架设各方之间的桥梁,领略产业风景。此心情不敢独有,现就产业发展之线,连贯研讨会4年的历程,与各方人士共飨。     

Comparing the Impacts of the Capillary and the Molded Underfill Process on the Reliability of the Flip-Chip BGA

In the assembly process for the conventional capillary underfill (CUF) flip-chip ball grid array (FCBGA) packaging the underfill dispensing creates bottleneck. The material property of the underfill, the dispensing pattern and the curing profile all have a significant impact on the flip-chip packaging reliability. Due to the demand for high performance in the CPU, graphics and communication market, the large die size with more integrated functions using the low-K chip must meet the reliability criteria and the high thermal dissipation. In addition, the coplanarity of the flip-chip package has become a major challenge for large die packaging. This work investigates the impact of the CUF and the novel molded underfill (MUF) processes on solder bumps, low-K chip and solder ball stress, packaging coplanarity and reliability. Compared to the conventional CUF FCBGA, the proposed MUF FCBGA packaging provides superior solder bump protection, packaging coplanarity and reliability. This strong solder bump protection and high packaging reliability is due to the low coefficient of thermal expansion and high modulus of the molding compound. According to the simulation results, the maximum stress of the solder bumps, chip and packaging coplanarity of the MUF FCBGA shows a remarkable improvement over the CUF FCBGA, by 58.3%, 8.4%, and 41.8% (66 $mu {rm m}$), respectively. The results of the present study indicates that the MUF packaging is adequate for large die sizes and large packaging sizes, especially for the low-K chip and all kinds of solder bump compositions such as eutectic tin-lead, high lead, and lead free bumps.      

电磁脉冲参数对二极管击穿特性的影响分析

为研究电磁脉冲作用下p-n-n+型二极管的击穿及损伤情况,文中结合Si基p-n-n+型二极管,采用漂移—扩散理论结合热流方程,建立了二极管的二维电热模型。仿真结果表明,电压信号的上升时间和幅值对二极管是否击穿有直接影响,上升时间越短、初始偏压越高,则二极管越容易击穿。损伤及烧毁阈值随电压幅度的增加而升高,随上升时间的增加而降低。     

澳洲插头产品的法规要求及标准解析

介绍了澳大利亚插头产品的法规要求及插头的型式、尺寸、参数和测试要点,分析了插头的电流额定值和配线之间的关系,强调了插销绝缘套的要求.对重要的试验项目,如弯曲试验、插销绝缘套的耐磨试验、温升试验、高温压力试验进行了说明.     

3G中移动台主呼接入过程中安全问题分析

本文对当前3G反向链路呼叫及通话过程中的安全问题做了分析,并分别从MS和BS相互之间的AKA、信令完整性保护和数据保密、入侵检测等进行了讨论。另外,在讨论中适当地将安全与移动性管理相结合,并根据实际应用中的安全问题提出了一些新的设想和解决的方法。     

宇航元器件应用验证指标体系构建方法研究

通过分析宇航元器件应用验证指标体系的特点,建立了一套面向宇航元器件应用验证的指标体系构建方法,该方法分别应用专家遴选系统、头脑风暴法和德尔菲法,解决了宇航元器件应用验证指标体系构建中的专家遴选、因素识别和指标体系构建问题。最后,应用该方法建立了宇航元器件应用验证综合评价指标体系基本结构。     

下一代网络的演进--从SoftSwitch到IMS

文章介绍了国际标准组织中下一代网络（NGN）体系结构的最新研究进展,探讨了下一代网络可能的演进路线：从软交换到因特网协议（IP）多媒体子系统（IMS）,即网络走向融合的道路。文章着重介绍了IMS的结构和功能实体。