高分辨率定量电子显微学

本文将在综述高分辨率定量电子显微学及相关技术发展现状的基础上，讨论材料结构和缺陷的原子尺度直接观察与计算机模拟对比研究的意义及影响高分辨率定量电子显微学测量结果的几种因素的研究现状。     

一种制备冷冻含水生物样品的快速冷冻装置

长期以来,低温电子显微学被视为生物电子显微术中最有希望得到生物自然结构的手段。八十年代由Ad-rina等(1984)实现并迅速开展于世界许多著名实验室的在微筛支持膜上制备玻璃态含水生物材料的方法推动了生物大分子结构电子显微学研究接近原子分辨水平。利用这种制样方法,加一套减少电子辐射损伤的电镜技术和相位衬度成像方法,可获得较高分辨率的生物大分子结构像和晶体衍射花纹。若干报导冰包埋蛋白质晶体样品的电子衍射可记录到近3埃的信息。此种制样方法已广泛地用于蛋白质、核酸以及蛋白质一核酸复合体的单体、薄晶的形态结构研究中(Dubochet J.等1988)。     

冰冻电镜技术与结构生物学北京国际研讨会成功召开

"冰冻电镜技术与结构生物学北京国际研讨会"--首届郭可信电子显微学与晶体学暑期学位"于2008年7月14日至16日在清华大学理学院报告厅(郑裕彤课堂)举行.     

材料科学中的高分辨电子显微学—发展历史、现状与展望

本文综述了材料科学中的高分辨电子显微学发展历史、现状与展望。重点讨论了在高分辨电子显微学中能直接观察物质中原子排列的直接成像法 ,能区分原子种类的选择成像法、能量过滤选择成像法和 Z-衬度像 ,能研究物质结构变化动态过程的分辨时间高分辨电子显微学 ,能定量地分析物质结构的定量高分辨电子显微学和遥控电子显微术的发展以及其在材料科学中的应用和展望     

2011年全国材料科学电子显微学会议及征文通知（第一轮）

一、2011年全国材料科学电子显微学会议通知随着电子显微学事业的飞跃发展,材料的电子显微表征技术日新月异。具有场发射枪的高空间分辨分析型TEM,使人们可以采用高分辨技术、微衍射、电子能谱、电子能量损失谱对纳米尺度的区域进行形貌、结构、成分分析。     

材料科学中的高分辨电子显微—发展历史,现状与展望

本文综述了材料学中的高分辨电子显微常数发展历史,现状与展望,重点讨论了在高分辨电子显微学中能直接观察物质中原子排列的直接成像法,能区分原子种类的选择成像法、能量过滤选择成像法和Ｚ－衬度像,能研究物质结构变化动态过程的分辨电子显微学,能定量地分析物质结构的定量高分辨显微学和遥控电子显微术的发展以及其在材料科学的应用和展望。     

2011年全国材料科学电子显微学会议及征文通知（第一轮）

一、2011年全国材料科学电子显微学会议通知随着电子显微学事业的飞跃发展,材料的电子显微表征技术日新月异。具有场发射枪的高空间分辨分析型TEM,使人们可以采用高分辨技术、微衍射、电子能谱、电子能量损失谱对纳米尺度的区域进行形貌、结构、成分分析。球差校正TEM又将点分辨率提高到0.08nm。     

高分辨电子显微学与电子衍射相结合在测定晶体结构中的应用

本文简单介绍了高分辨电子显微学中测定晶体结构的尝试法及其局限法，以及以高分辨电子显微学与电子省射相结合为基础所建立的图像处理方法。并针对此图像处理方法提出了一种修正电子衍射强度的方法，它也建立在高分辨电子显微学和电子衍射相结合的基础上，文中重点介绍了此方法的步骤和应用效果。     

（001）SrTi03衬底上的Ba0．7 Sr0．3 Ti03／YBa2Cu3O7—δ外延生长薄膜的界面结构研究

本文利用透射电子显微学和高分辨电子显微学研究了SrTiO3衬底上的Ba0.7 Sr0.3 TiO3／YBa2 Cu3 O7-δ(BST／YBCO)外延薄膜的界面结构，结果表明在BSt/YBCO界面形成了阶梯(step-terrace)结构，同时BST外延膜生长良好。在YBCO薄膜表面形成梯形结构后，也可能按照台阶生长(step-flow)模式生长出完好的BST薄膜。     

透射电子显微学在半导体材料科学中的应用

本文介绍了将透射电子显微学应用于半导体材料科学研究中的几个典型课题中所取得的研究结果，展示出从体单晶到超薄、式层异质结材料，从平面型异质结到非平面异质结材料的广泛领域中所获取的关于材料中“微区”、“微量”、“微观结构”的全方位信息，说明了透射电子显微学在半导体材料科学中起到的独特重要作用，而且随着半导体材料的日新月异的发展，其重要性将日趋明显。     

电磁复合场三级几何像差方程的修正与像差系数

本文基于作者提出的“函数逼近的数值迭代概念”，修正了电磁复合场中电子成像系统的三级几何像差方程式，给出了具有更高精度的像差计算公式和用集中参数形式描述的像差系数表达式，为像差的数值计算和电子光学系统的计算机优化设计提供了实用的理论依据。     

毫米波带状注电子枪的设计方法

利用理论分析和仿真模拟相结合的方法对带状电子注的产生进行了系统的研究,并提出了一种带状注电子枪的设计方法.首先通过理论分析,提出了一种计算带状注电子枪结构参数的迭代算法,即根据注电压、注电流、电子注注腰处半厚度、阴极半厚度和阴极宽度,计算出带状注电子枪的阴极柱面半径、阴阳极间距、阳极柱面半径和射程等主要参数;在此基础上,通过仿真模拟,为毫米波真空电子器件设计了一种带状注电子枪.     

激光诱导Ni等离子体电子温度与电子密度的时空演化特性研究

在实验上通过测定原子谱线的相对强度和Stark加宽、线移，计算了激光诱导Ni等离子体的电子温度和电子密度，通过改变光谱信号与激光脉冲之间的延迟时间及移动成像透镜的位置，研究电子密度和温度这两个重要参数与延时、空间位置之间的关系。实验结果表明：电子温度及电子密度与延时、空间位置密切相关，在时间分辨中，等离子体的电子温度和电子密度与延迟时间都成指数衰减；在空间分辨中，电子温度和电子密度与距靶面空间距离都呈Lorentz线型。     

利用增强等离子体谱线反演高精度电子密度

提出了一种基于非相干散射雷达（incoherent scatter radar,ISR）等离子体谱线提取高精度电子密度的方法. 以欧洲非相干散射雷达科学联合会（European Incoherent Scatter Scientific Association,EISCAT）在2015年10月31日14:00—14:09UT观测到的增强等离子体谱线为例,进行了具体的分析讨论. 首先,采用曲线拟合的方法将增强的等离子体谱线从频谱中提取出来. 然后,利用线性朗缪尔波的色散关系反演得到电子密度. 最后通过对等离子体谱线的反演进行误差分析,并与传统的离子谱线分析方法作对比. 结果表明:增强的等离子体谱线具有更高的电离层电子密度估计精度; 同时证明在非相干积累时间很短的情况下,利用等离子体谱线能够反演得到高精度的电子密度.     

电子管石墨阳极

石墨具有优良的高温热性能和极好的真空性能,因此在电真空器件制造中获得了广泛应用;用作内辐射阳极更有突出的优点。本文将多年来在电子管制造中应用石墨的经验及有关知识作一总结和介绍,供同专业技术人员交流及讨论。     

低能电子束照射电介质样品的二次电子特性简

 为阐明低能电子束照射下电介质样品的二次电子电流及产额的动态特性,将蒙特卡洛法和有限差分法相结合,建立了较为准确的电子散射、俘获、输运和自洽场等过程的数值计算模型;采用一个改进二次电子检测实验平台,准确测量了二次电子电流.模拟和实验结果表明,相对于电子束脉冲照射模式,电子束连续照射会导致二次电子产额明显降低.在连续照射模式下,随着电子束照射,二次电子电流和产额逐渐减小至一个稳定值.二次电子产额受入射电子束电流的影响较小,但随样品厚度的增大而增大.本文结果为提高扫描电镜成像质量、降低带电效应提供了理论指导,而且提供了依据二次电子特性研究样品参数的新思路.     

电子显微镜中的康普顿散射

在电子显微镜中,通过记录大角非弹性散射电子能量损失谱来研究固体材料基态电子动量密度分布的方法,称为固体的电子康普顿散射技术(electron Compton scattering from solids,ECOSS)。利用该技术得到的康普顿轮廓的动量分辨率可以达到从同步辐射光源上得到的康普顿轮廓的动量分辨率水平;而其非常短的收集时间,使利用康普顿散射对固体材料电子动量密度的系统研究成为可能。本文简要介绍了该技术的背景、实验方法、理论基础,研究进展和应用。     

双壁碳纳米管的电子显微学研究

本文分析研究了甲酸镍二水合物作为催化剂前驱体,多壁管为原料,采用氢电弧放电法制得的双壁碳纳米管样品中不同管壁数目碳纳米管的分布及双壁碳管直径分布,发现样品中单壁和双壁碳管占主要地位,双壁管的内径主要分布在1.67 nm～3.67 nm之间,外径主要分布在2.33 nm～4.33 nm之间.此外,精确测定了三个双壁碳纳米管的螺旋指数,分别为[(28,3)(29,17)],[(19,8)(29,6)]及[(23,15)(28,22)],其电学性能分别为[半导体性,金属性],[半导体性,半导体性]及[半导体性,金属性].同时,观察了在不同条件下的电子辐照效应.结果表明,经辐照碳管的最内层管壁先发生断裂,其形变速度逐渐变慢,单根碳管易依附于大块物质.在相同的辐照条件下,管壁数目越多碳管越稳定.当管壁数目相同时,直径小的管比直径大的管稳定.高加速电压能够加速碳管的变形.     

光电对抗新技术的应用与展望

综述光电对抗基本特征 ,论述其在现代战争中的地位 ,从电子战的角度论述光电对抗新技术在现代防空作战中的应用。最后指出发展光电对抗技术的趋势以及我军应注意的几个发展方向。     

高精度测量电子全息中的位相变化

本文好一种能够高精度测量电子全处民位相变化的新方法。