铝电解电容器的温度加速因子

采用温度作为铝电解电容器寿命加速因子,通常根据“１０℃法则”或“７℃法则”计算。作者通过对６３Ｖ－４７μＦ铝电解电容器在四种不同温度下的负荷试验（＋８５℃、＋９５℃、＋１０５℃、＋１１５℃）后对数百只样品、数万个测量数据进行了处理分析。认为单纯地使用“１０℃法则”或“７℃法则”不能准确地描述温度加速因子。作者结合铝电解电容器的结构,分析了铝电解电容器的失效因素,给出了负荷试验中温度与铝电解电容器寿命的关系。     

微型电解电容器

美国HB电子公司最近推出了其Rubicon微型铝电解电容器。当温度升高到105℃时,这种电容器还能保持很好的工作可靠性和稳定性。这种 PS_2系列产品成功地提高了电容器的温度、频率和高温负载(105℃时可使用2000小时)性能,并且降低了高频阻抗。PS_2系列共有7个规格,额定电压从6.3V到     

铝电解电容器耐低温、高频低阻抗技术的研究

介绍了铝电解电容器实现耐低温、高频低阻抗的意义和有关技术，通过对工作电解液用溶剂、溶质和添加剂的研究分析与选择，以及对材料选用与生产工艺的优化，研制出耐低温高频低阻抗铝电解电容器，工作温度下限达到-55℃，寿命达到＋105℃ 5000小时。     

电子镇流器用低损耗铝电解电容器

根据电子镇流器对铝电解电容器性能的要求,开发了高电导率、低漏电流的电解液。研制出ｔｇδ为常规品一半的铝电解电容器。在带负载的耐久性试验中通过了１０００ｈ,１００℃考核。从容量变化率考虑,低损耗铝电解电容器适用于电子镇流器线路。     

高频低阻抗长寿命无极性铝电解电容器的研制

从铝电解电容器的基本性能分析入手，对高频低阻抗无极性铝电解电容器的特性进行了分析和讨论，开发出新型的工作电解液，并选择合适的材料，研制出了可用于８５℃，３０００ｈ的高频低阻抗无极性铝电解电容器。     

材料的纯度对铝电解电容器耐久性的影响

为满足整机对铝电解电容器提出的１０５℃２０００ｈ及１０５℃５０００ｈ高可靠性要求,从溶质纯度、吸氢剂纯度以及电容器材料含水量等方面进行实验,研究了其对电容器耐久性的影响。实验结果表明,所用原材料的纯度及含水量均是影响铝电解电容器耐久性的重要因素。指出提高原材料纯度并进行耐久性考核,严格电容器芯子干燥工艺,尽快拟定１０５℃系列产品的国家标准的必要性。     

铝电解电容器工作电解液的新进展及应用

铝电解电容器用工作电解液的配制是关系到铝电解电容器电性能和寿命的技术关键之一，本文根据近几年来世界各先进铝电解电容器厂家在该领域的开发研究动态，并结合作者的工作实践，进行了较为新颖的多方面的综述。本文对了解铝电解电容器的技术动态，改进生产工艺技术以及明确攻关方向有一定的学术参考意义。     

铝电解电容器的技术发展

随着电子产品在“轻、薄、小”方向上的迅速发展,铝电解电容器的市场需求不断增大。这一方面要归因于铝电解电容器本身容量大、体积小、价格低等其它电容所无法比拟的优点,更重要的是近一、二十年铝电解电容器生产技术的巨大发展为产品满足市场需要提供了最终保证。其中,宽温产品适用温度可从-55℃——155℃;长寿命品工作时间可达105℃ 1000H;高频低阻抗品可用于100KHz以上的工作频率;小型品如片式壳     

材料的纯度对铝电解电容器耐久性的研究

为满足整机对铝电解电容器提出的１０５℃２０００ｈ及１０５℃５０００ｈ的高可靠性要求。从溶质纯度、听氢剂纯度以及电容器材料含水量等方面进行实验，研究了其对电容器耐久性的影响。实验结果表明，所用原材料的纯度含水量均是影响铝电解电容器耐久性的重要因素。指出提高原料纯度并进行耐久性考核，严格电容器芯子干扰工艺，尽快拟定１０５℃系列产品的国家标准的必要性。     

高频低阻抗铝电解电容器的研究

分析了高频低阻抗铝电解电容器系列产品的发展状况，讨论了实现高频低阻抗的有关技术、工艺，按开关电源的要求开发了宽温、高电导率、高稳定的工作电解液，成功地研制了ＣＤ２８６型铝电解电容器，该产品通过了＋１０５℃、２０００ｈ的耐久性试验。     

适合无铅回流焊的片式铝电解电容器研制

根据片式铝电解电容器结构的特殊性,通过对工作电解液用溶剂、溶质和添加剂的研究分析与选择,以及对生产工艺的调整,研制出适用于无铅回流焊条件的片式铝电解电容器,在105℃条件下的工作寿命达到2000h。     

纳米氮化铝粉末表面修饰的研究

以活化指数和pH值为考核指标,通过变化改性剂的用量、处理温度以及处理时间等,研究了偶联剂–苯乙烯接枝改性剂对纳米AlN粉末的表面改性效果。结果表明:纳米AlN粉末经偶联剂–苯乙烯接枝进行表面修饰可显著提高其抗水解的能力,室温下长达一个月遇水不发生变化;在70℃的热水浴浸泡24h,其悬浮液pH值仍能保持在7.0。并对工艺条件进行了优化,其最佳工艺条件是:以无水乙醇为溶剂、处理剂的加入量为5%(质量分数)、70℃反应3h,活化指数可以达到1.0。     

两种热电分离式MCPCB导热性能的对比研究

利用SMT工艺将两种功率不同的LED分别与设计完全相同的热电分离式铜基板及铝基板组装成模组,然后借助结温测试系统及积分球系统对两种金属基板的散热性能进行了对比研究。结果表明,热电分离式铜基板较之热电分离式铝基板仅具备微弱的散热优势,这种优势随着LED的功率增加有所扩大。当LED功率为9 W时,铜基板及铝基板所对应的LED模组热阻分别是3.16℃/W、3.26℃/W;当LED功率为15 W时,铜基板及铝基板所对应的LED模组热阻分别是2.33℃/W、2.46℃/W。     

变频器用螺栓型铝电解电容器长寿命技术的研究

为了提高变频器用螺栓型高压大容量铝电解电容器的使用寿命、高温高压稳定性以及耐大纹渡电流冲击的特性．通过对工作电解液溶剂、溶质和添加剂的研究与分析,以及对原材料的优选和生产工艺的优化,研制出的产品105℃高温负荷达5000小时。     

高纹波高温高压铝电解电容器的研制

针对整机电源滤波对铝电解电容器提出的105℃,2 000 h的高纹波高压的要求,从材料、工艺、工作电解液及纹波电流等方面进行试验,研制出一种新型铝电解电容器。试验结果表明,此类电容器能够承受高纹波高温高压的冲击,在105℃,450 V高纹波(470μF 1.85 A,56μF 0.51 A)状态下可稳定地工作,耐久性可达105℃ 2 000 h。     

中高温条件下6061-T651铝合金激光冲击强化研究

利用高功率、短脉冲Nd∶YAG激光对6061-T651铝合金进行表面冲击强化处理,并分别在200℃、300℃、400℃和500℃的温度下对其进行性能测试,从残余应力、显微硬度和微观组织等方面分析了激光冲击处理(LSP)对其在高温条件下性能的影响。研究结果表明中高温条件下激光冲击6061-T651铝合金的强化效果明显。200℃和400℃时试件的最大残余压应力出现在次表层,且温度越高残余压应力释放得越快,激光冲击硬化层深度约为0.3mm,500℃时的晶粒平均尺寸要比400℃时的大,晶粒尺寸和强化相是提高硬度的主要原因,不连续且粗大的晶界析出物提高了6061-T651铝合金的抗腐蚀性能。     

电脑主板用长寿命铝电解电容器的研制

根据电脑主板使用条件,分析了其配件长寿命铝电解电容器的设计原理。通过低比电阻高温稳定性好的工作电解液等关键技术的突破,制得的电容器具有低漏电流、低阻抗、耐高频高纹波和耐高温的特点,在带负载的耐久性试验中通过了105℃,5000h考核,达到电脑主板线路长寿命的工作要求。     

带金属密封环的AlSiC管壳制备与性能

采用模压成形制备预制件,经真空-压力浸渗后成功制备出带金属密封环的A1SiC管壳,评价了带密封环的A1SiC管壳的性能当磷酸铝含量为1．2％,成形压力为200MPa,800℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为12．4MPa,孔隙率为37％。A1SiC电子封装材料在100℃～500℃区间的热膨胀系数介于（6．52-7．43）×106℃^-1,热导率为160W·m^-1·K^-1,抗弯强度为380MPa,漏率小于1．0×10^-9 Pa·m^3·s^-1、无任何约束条件下,A1SiC管壳升温至450℃．恒温90min,然后随炉冷却,密封环为铝合金的管壳明显变形,与有限元分析结果相符,而密封环为4J45的管壳基本朱变形。4J45密封环与铝合金扩散形成（Fe,Ni）Al3,但4J45密封环与A1SiC壳体间界面结合不紧密,导致A1SiC管壳漏率大于1×10^-8Pa·m^3·s^-1。     

Sn-0.7Cu钎料的蠕变性能研究

采用一种微型圆形截面试件对Sn-0.7Cu在23,60,90,120℃时进行了蠕变性能研究。引入门槛应力值方法(threshold stress approach)来描述Sn-0.7Cu的蠕变性能。得出在低温区蠕变真实应力指数为7,高温区蠕变真实应力指数为5。并确定了Sn-0.7Cu的蠕变本构方程。     

彩电用双极性铝电解电容器

ＣＤＳ型双极性铝电解电容器具有无极性、低损耗、耐高温、耐高纹波电流等特性。介绍了１０５℃长寿命型及耐纹波电流型的设计原理、关键制造技术。产品性能达到国外同类产品水平。