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设计了一个用于GSM系统的Sigma-Delta调制器.GSM系统要求信号带宽大于200 kHz,动态范围大于80dB.为了能取得较低的过采样率以降低功耗,采用了级联结构(MASH)来实现,与单环高阶结构相比,它具有稳定及易于实现的优点.设计工作时钟为16MHz,过采样率为32,基带带宽为250 kHz,电路仿真可以达到最高82dB的SNDR和87dB的动态范围.芯片采用SMIC 0.18μm工艺进行流片,面积为1.2mm×1.8mm.芯片测试效果最高SNDR=74.4dB,动态范围超过80dB,测试结果与电路仿真结果相近,达到了预定的设计目标.芯片工作在1.8V电源电压下,功耗为16.7mW. 相似文献
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设计了一个用于GSM系统的Sigma-Delta调制器.GSM系统要求信号带宽大于200kHz,动态范围大于80dB.为了能取得较低的过采样率以降低功耗,采用了级联结构(MASH)来实现,与单环高阶结构相比,它具有稳定及易于实现的优点.设计工作时钟为16MHz,过采样率为32,基带带宽为250kHz,电路仿真可以达到最高82dB的SNDR和87dB的动态范围.芯片采用SMIC0.18μm工艺进行流片,面积为1.2mm×1.8mm.芯片测试效果最高SNDR=74.4dB,动态范围超过80dB,测试结果与电路仿真结果相近,达到了预定的设计目标.芯片工作在1.8V电源电压下,功耗为16.7mW. 相似文献
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设计了一个用于GSM系统的Sigma-Delta调制器. GSM系统要求信号带宽大于200kHz,动态范围大于80dB. 为了能取得较低的过采样率以降低功耗,采用了级联结构(MASH)来实现,与单环高阶结构相比,它具有稳定及易于实现的优点. 设计工作时钟为16MHz,过采样率为32,基带带宽为250kHz,电路仿真可以达到最高82dB的SNDR和87dB的动态范围. 芯片采用SMIC 0.18μm工艺进行流片,面积为1.2mm×1.8mm. 芯片测试效果最高SNDR=74.4dB,动态范围超过80dB,测试结果与电路仿真结果相近,达到了预定的设计目标. 芯片工作在18V电源电压下,功耗为16.7mW. 相似文献
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1.8V电源电压81dB动态范围的低过采样率∑△调制器 总被引:3,自引:2,他引:1
采用222级联全差分结构和低电压、高线性度的电路设计实现了高动态范围、低过采样率的∑△调制器.在1.8V工作电压,4MHz采样频率以及80kHz输入信号的条件下,该调制器能够达到81dB的动态范围,功耗仅为5mW。结果表明此结构及电路设计可以用于在低电压工作环境的高精度模数转换中。 相似文献
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文章针对采样频率为44.1kHz的16位数字音频信号,采用CookBook方法,研究设计了用于过采样率为64倍的音频数模转换器的五阶3比特输出sigma-deha(∑-△)调制器。该调制器通带内信噪比(SNR)的matlab仿真实验结果达到了120dB以上,能够很好的抑制通带内噪声。该调制器设计结构采用前反馈和负反馈分支的∑△型.大大降低了电路的复杂性,使硬件实现十分方便,具有重要的应用价值。 相似文献
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在简要介绍高阶1位量化∑-△A/D转换器基本原理的基础上,分析了∑-△调制器的噪声特性;介绍了传统线性模型下的噪声传递函数的设计方法.同时,结合实际高阶模拟∑-△调制器的开关电容实现电路,重点对影响调制器性能的非理想因素进行了详细分析,并采用程序建模仿真的方法指导电路设计.与传统设计方法的结果对比表明,文中的方法可以为电路设计提供更加可靠的依据. 相似文献
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设计了一种适于嵌入式FPGA应用的可重构Σ-Δ调制器,并采用高效的流水线结构实现,它能够被设置为3阶或5阶,可支持不同字长(16-/18-/20-/24-位)PCM数据的满幅输入。通过Matlab仿真,针对16位、44.1 kHz、过采样率为128的输入信号,工作在三阶情况下的调制器可以获得超过100 dB的信噪比(SNR);而在输入为24位1、92 kHz、过采样率为32时,工作在5阶情况下的调制器的信噪比(SNR)超过了150 dB,很好地抑制了通带内的噪声。 相似文献
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ADS1202是美国德州仪器公司(TI)生产的1-Bit 10MHz2阶△-∑精密信号调节器芯片。文中详细介绍了ADS1202的技术特点、内部结构、工作原理和实际应用方法,同时提出了在设计电路时使用ADS1202需要特别注意的技术问题。 相似文献
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连续时间∑-△调制器较之传统的开关电容∑-△调制器具有更低的功耗、更小的面积,以及集成抗混叠滤波器等诸多优势.设计了一种应用于低中频GSM接收机的4阶单环单比特结构的连续时间∑-△调制器.在调制器中,采用了开关电容D/A转换器,以降低时钟抖动对性能的影响.仿真结果显示,在1.8 V工作电压、200 kHz信号带宽、0.18 μm CMOS工艺条件下,采样频率21 MHz,动态范围(DR)超过90 dB,功耗不超过2.5 mW. 相似文献