共查询到19条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
MBE[(AI_xGa_(1-x)As)_l(GaAs)_m_n/GaAs(001)超晶格结构参数的X射线双晶衍射测量研究 总被引:6,自引:0,他引:6
本文根据超晶格结构的台阶模型,利用X射线衍射的运动学模型,导出了超晶格的X射线衍射峰的相对光强比.利用X射线双晶衍射方法测定了MBE[(Al_xGa_(1-x)As)_1(GaAs)_m]./GaAs(001)一维超晶格的衍射迴摆曲线,除超晶格的主衍射峰外,还观察到一级和二级卫星峰.由这些衍射峰之间的角距离和相对光强比,计算出了超晶格的结构参数,其中包括周期D、垒宽L_B、量子阱宽度L_Z和Al含量x值. 相似文献
6.
分析了GaAs/GaAsAl阴极粘结工艺中应力产生的根源和晶体中应力对X射线双晶衍射峰的宽度和强度的影响,用X射线双晶衍射仪测量阴极和玻璃热粘结工艺过程中的阴极材料外延层和衬底的双晶回摆曲线,实验结果表明,GaAs/GaAsAl阴极粘结工艺没有带来明显的附加应力,外延层衍射角的展宽是由于GaAs阴极组件窗玻璃的非晶态性所致。 相似文献
7.
8.
分析了GaAs/GaAlAs阴极粘结工艺中应力产生的根源和晶体中应力对X射线双晶衍射峰的宽度和强度的影响。用X射线双晶衍射仪测量了阴极和玻璃热粘结工艺过程中阴极材料外延层和衬底的双晶回摆曲线。 相似文献
9.
GaAs中Si~+注入的X射线双晶衍射研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用X射线双晶衍射术,结合摇摆曲线的计算机模拟和电学测量,研究了 180keV Si+注入GaAs(100)样品及其退火过程中的结构变化.结果表明,注入态时Si原子基本上处在基体中的间隙位上,使点阵产生膨胀,在退火过程中逐渐进入替代位,但这一替代过程进行得并不彻底.当剂量高于 1×10~(13)cm~(-2)时,注入态就显著地产生了间隙Si原子进入替代位的过程.当剂量达到 1×10~(15)cm~(-2)时,经 800℃ 0.5 小时的炉退火仍然不能消除离子注入所引起的损伤和应变,大量Si原子留在间隙位上,使激活率难以提高.分析表明,空位和应力在Si原子从间隙位到替代位的过程中起了很大的作用,是GaAs中Si离子注入产生饱和现象的.主要原因. 相似文献
10.
11.
12.
13.
本文介绍X射线晶体衍射的测试原理,讨论了半导体薄片异质结构材料X射线晶体衍射测量中正、负失配,晶片微弯曲,摇摆曲线的对称性,复杂曲线的分解、干涉带等问题。指出了晶体衍射测试结果对MOCVD、LPE工艺调整的重要性。 相似文献
14.
介绍了X射线双晶衍射动力学理论和基于光干涉行为的Pendelloesung现象,给出了几种典型的模拟摇摆曲线和其组分与结构参数,较详细地介绍了采用计算机模拟摇摆缸线逼近并分析实测摇摆曲线的方法。 相似文献
15.
16.
Hg1-xCdxTe液相外延薄膜的X射线衍射 总被引:2,自引:0,他引:2
采用高分辨X射线衍射的方法,研究了Hg1-xCdxTe液相外延材料的X射线衍射摇摆曲线和晶格常数随外延层厚度的变化关系.实验观察到了组分互扩散效应对摇摆曲线和材料晶格常数的影响.衬底与外延层之间的互扩散区约为2~3μm,在此区域,摇摆曲线半峰宽变窄,表明从衬底扩散来的Zn元素降低了界面处的位错密度.通过测量晶格常数随厚度的变化,得到了Cd组分的纵向分布,表面组分低,越靠近衬底组分越高,组分分布呈非线性变化,符合指数衰减关系. 相似文献
17.
用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17",GaAs层与In0.1Ga0.9As层的相对晶格失配率仅为0.015 6%.对实验样品进行了双晶衍射回摆曲线的模拟,模拟结果与测试结果符合较好,说明生长的RTD材料结构与设计相符合.通过制成器件对材料进行验证,室温下对器件进行直流测试,PVCR达到5.1,峰值电流密度达到73.6 kA/cm2. 相似文献
18.
19.
用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低.依据X射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)面的衍射峰位展宽进行计算,并对4H-SiC原子结构进行了分析.研究结果证实,摇摆曲线中傍肩的存在与射线源中的Ka2射线参与衍射有关,而相对较低的衍射强度受其(004)面的特殊双层原子结构的影响. 相似文献