一种新型存储器件——磁电存储器

磁电存储器不仅存取速度快、功耗小，而且集动态RAM、磁盘存储和高速缓冲存储器功能于一身，因而已成为动态存储器研究领域的一个热点。文章总结了磁电存储器的工作原理和特性，分析了它们的发展现状及存在的问题，并对其应用前景进行了展望。     

巨磁电阻传感器的特性测试与应用前景分析

介绍了巨磁电阻效应的发现、发展和应用情况，在自制实验平台上，分别测试了深圳华夏公司和美国NVE公司传感器的静、动态特性。结果表明，NVE传感器在线性区间、静态灵敏度、线性度、磁滞等方面优于华夏产品。在测试结果的基础上，对NVE公司巨磁电阻传感器的应用前景进行了探讨，给出了该传感器应用于电力系统母线大电流测试时的具体方案，并对方案实现过程中可能遇到的问题进行分析。     

面向非接触无源电流监测的耐高温柔性磁电复合材料

随着高度小型化和集成化电子器件的迅速发展，人们对监测电子设备电状态的器件有了更高的要求。当前基于接触式和传统非接触式的电流传感器等监测技术存在着诸多不足，如稳定性差、灵敏度低、成本高和不耐热等。采用原位涂布和无极化的方法制备了基于聚乳酸/核黄素(PLLA/VB₂)复合材料和铁钴钒(FeCoV)的新型磁电电流传感器(MCS)。PLLA/VB₂复合材料的应用使MCS具有自供电和高耐热性，FeCoV的应用使MCS具有高度的灵活性。原位涂布和无极化的方法赋予了PLLA/VB₂复合材料和FeCoV良好的界面耦合。实验结果表明，在1590 A·m^-1(@60 Hz)外加磁场下，MCS的输出电压高达0.76 mV,MCS的线性度高达0.996,平均误差为2%～3%,在120℃高温下性能保持稳定。MCS具有小型化、自供电、高耐热和高灵活性等特点，在电子器件安全监测领域具有巨大应用潜力。     

巨磁电阻材料的研究进展

由于巨磁电阻效应在基础研究上的重要意义广泛的应用前景,寻找既具有低饱和场,又具有高GMR效应的薄膜材料,已成为当前国际上磁性材料的研究热点之一。本文总结了巨磁电阻材料各类体系的研究方法,分析了其发展方向与研究趋势。     

超巨磁电阻薄膜物理及应用

由于在外界温度变化和磁场作用下表现出巨大的磁电阻效应(CMR)，超巨磁电阻材料成为一个热点研究课题。CMR材料在硬盘读出磁头，随机存储器上极具潜力，在磁传感器、光热辐射探测器、场效应晶体管及磁制冷等方面的应用也崭露头角。首先介绍了CMR薄膜材料的结构和机理，接着详细讨论了它们在器件应用上，尤其是在激光感生电压热电电压效应(LITV)、Bolometer、传感器等有关方面的应用进展。最后展望了CMR薄膜未来的应用前景。     

磁电复合材料的研究现状及展望

介绍了国内外磁电复合材料的研究历史和制备方法,如混相法,铁电/铁磁材料层状复合法。探讨了磁电复合材料应用研究中亟待解决的问题,指出了今后的发展趋势是改进复合材料的设计方法、制备工艺和集成器件应用。     

温度对磁电系电流表误差的影响及补偿方法

通过温度对磁电系仪表误差影响的分析，提出其补偿方法，以达到减小其附加误差。     

基于GMR及TMR效应的磁随机存储器的最新应用开发

介绍了巨磁电阻（GMR）及隧道磁电阻（TMR）效应,讨论了计算机磁随机存储器（MRAM）的最新应用开发。     

La0.67Ca0.33MnO3—δ薄膜中的巨磁电阻效应

采用直流磁控溅射法在ＺｒＯ２（００１），ＳｒＴｉＯ３（００１），ＬａＡｌＯ３（００１）和ＮｄＧａＯ３（００１）等单昌衬底上成功地制备了Ｌａ０．０７Ｃａ０．３３ＭｎＯ３－δ薄膜。Ｘ－射线衍射结果表明薄膜具有良好的外延性。低温、磁场下的电输过测量上加磁场后，电阻急剧下降，出现负巨磁阻现象，磁阻比ＭＲ＝在室温一为５０％，２２５Ｋ这高达２０００％以上。文中还对径向磁电阻和Ｈａｌｌ电阻的温度和磁场依赖关系作     

La1-xSrxMnO3（X=0．1，0．2，0．3）薄膜的微观结构

具有钙钛矿结构的混价锰氧化物La1-xSrxMnO3是一种庞磁电阻材料。由于其在磁电阻存储器、读写磁头及各类磁传感器方面潜在的应用前景以及其丰富的物理内涵，一直引起人们的普遍关注。在过去的几年里，La1-xSrxMnO3薄膜以多种技术如脉冲激光沉积、MOCVD和磁控溅射等生长在不同基体上，