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1.
应用低场下电解液技术观察了InSb、Hg_(1-x)Cd_xTe 和Pb_(1-x)Sn_xTe材料的电反射谱。得到了大于基本吸收边缘的垂直带间跃迁谱和自旋轨道分裂谱。测量了Hg_(1-x)Cd_xTe合金的组份。对低场下的电解液电反射(EER)谱的实验条件进行了讨论。 相似文献
2.
MIS器件是研究窄禁带半导体材料碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)体内及其界面特性的有效工具。我们主要对一种由双层介质组成的Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的电学特性进行了研究。对Hg_(1-x)Cd_xTe材料表面作适当的物理化学处理之后,利用阳极氧化的方法,在Hg_(1-x)Cd_xTe衬底上生长一层阳极氧化层(厚约600～1200(?)),再利用蒸发或溅射方法在阳极氧化层上淀积一层介质ZnS(厚约1000～2000(?)),组成双层介质结构。而金属栅电极则通过蒸发金属 相似文献
3.
早在Hg_(1-x)Cd_xTe器件的基本性能被充分了解之前,它们就已广泛地作为实际探测器使用。必须进一步研究的课题中有Hg_(1-x)Cd_xTe的缺陷结构和掺杂剂性能。在n型Hg_(1-x)Cd_xTe器件中常用锢形成蒸发欧姆接触。它也可如同对CdTe所作那样在生长时导入Hg_(1-x)Cd_xTe晶格以控制生成态晶体的电导率。资料〔4〕作者发现,铟是一种金属亚晶格替代式施主和快速扩散体。在器件加工和制备的低温退火循环时,接触中的铟就扩散进入晶格。形成了浓度梯度和 相似文献
4.
本文第一次报导Hg_(1-x)Cd_xTe的一种新表面钝化法,它以自身硫化物而不是自身氧化物为基础。在溶液中的电化学元件上用简单的可再现阳极法形成自身CdS膜。在窄带隙Hg_(1-x);Cd_xTe(在77K时为0.1～0.2eV)上由阳极化形成的自身CdS的带隙为2.4eV,看来很适用于表面钝化。研究结果说明已形成具有所要求电和电光性能的界面供在p型Hg_(1-x)Cd_xTe上制备的光伏器件所用。 相似文献
5.
在改进的开管液相外延生长系统中用富碲母液已经重复地长出了长波(8～14μm)Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延层。在外延过程中低温区的纯汞能够起到维持系统的汞压平衡和调整母液组份的作用,系统的温度分布、两温区降温的同步性及生长过冷度△T是液相外延Hg_(1-x)Cd_xTe的重要参量。通过对Hg_(1-x)Cd_xTe外延层的组份、结构分析和原生片的电参数测试表明,所生长的长波Hg_(1-x)Cd_xTe外延材料质地十分优良。文章最后还对Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延生长中的几个常见问题进行了简要的讨论,其中最重要的是应努力改善CdTe衬底的质量。 相似文献
6.
本文用塞曼效应石墨炉原子吸收光谱分析法(ZAAS)对淬火-固态再结晶制备Hg_(1-x)Cd_xTe材料的工艺进行了研究,探讨并建立了高纯原料(Te、Cd)、制备晶体的容器(石英、玻璃)及Hg_(1-x)Cd_xTe材料中杂质分析方法。结果表明:ZAAS法是Hg_(1-x)Cd_xTe材料研究中一种重要的痕量分析手段。 相似文献
7.
Hg1—xCdxTe组分x的横向均匀性 总被引：1，自引：1，他引：0
根据Hg_(1-x)Cd_xTe的吸收边规律,建立了从室温下体材料Hg_(1-x)Cd_xTe大光斑透过曲线确定样品平均组分x_0和均方差Δx的方法及计算软件. 相似文献
8.
本文首次报导了作为 Hg_(1-x)Cd_xTe 液相外延衬底的 CdTe 晶片中存在着狭窄的微细孪晶,其宽度由数十微米到数微米。这些微细孪晶在液相外延过程中将向Hg_(1-x)Cd)_xTe 外延层延伸,形成相应的 Hg_(1-x)Cd_xTe 微细孪晶,从而导致外延层表面出现细长的直线线痕,程度不同地破坏了 Hg_(1-x)Cd_xTe 液相外延层表面的平整性和光洁度。 相似文献
9.
决定Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器性能的主要指标是其零偏压电阻与面积之乘积R_0A,Hg_(1-x)Cd_xTe材料中的深能级就是影响其PN结R_0A值的一个重要因素。因此,研究Hg_(1-x)Cd_xTe半导体中的深能级,弄清楚它对PN结性能的影响,对提高Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的性能有重要意义。研究Hg_(1-x)Cd_xTe材料中深能级的电学方法主要有三种,即深能级瞬态谱(DLTS)、导 相似文献
10.
Hg_(1-x)Cd_xTe材料是一种缺陷半导体,它既可通过控制缺陷成结,也可用掺杂方法成结。掺杂的方法又有扩散及离子注入两种。对不同形式的Hg_(1-x)Cd_xTe PN结的性能进行研究,将有助于对Hg_(1-x)Cd_xTe PN结的物理过程的理解。另一方面,平面工艺又是研制红外焦平 相似文献