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1 引言 近半个世纪以来,红外物理和红外技术在军事需要的推动下发展非常迅速,已形成一个相对独立的学科,也造就了一个庞大的产业。根据20世纪90年代初的统计,美国仅从事红 相似文献
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基于第一性原理计算得到了 Zn-,Be-掺杂以及Zn-H-,Be-H-共掺杂的GaAs0.5P0.5材料的形成能、原子结构、能带结构、态密度以及复折射率.结果表明Zn原子更容易作为代位式掺杂原子存在,而Be原子更容易表现为间隙式掺杂原子.代位式的Be和Zn原子都作为受主杂质存在,使GaAs0.5P0.5材料呈现p型导电... 相似文献
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基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似下,研究了(5,0)和(5,5)硅纳米管结构和电子性质。计算结果表明:(5,0)管硅原子相邻键长波动范围为0.068 nm,大于(5,5)管的0.006 nm;通过对(5,0)管的分波态密度进行分析发现,其3s电子和2p电子能量分布在-13~3 eV,但2p电子集中分布在能量较高的-6~3 eV,出现了明显的sp3轨道杂化。同时对(5,0)和(5,5)硅纳米管最高占据轨道和最低未占据轨道的能隙进行了分析,发现两种管导电性能与结构的手性相关,锯齿型(5,0)管能带交叠具有明显的金属性,而扶手型(5,5)管能隙为0.151 eV是半导体纳米管。 相似文献
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GaAs纳米线通常呈现纤锌矿结构(WZ),而WZ(1010)侧面已被实验所观测到。利用第一性原理计算了GaAs(1010)的表面弛豫和表面能,计算结果表明:(1010)A表面只出现原子的弛豫现象,表面能为40.6×1020meV/m2;而(1010)B表面却重构形成了GaGa和AsAs二聚体,表面能为63.5×1020meV/m2。相对于ZB(110)表面,WZ(1010)A面具有更低的表面能,(1010)A表面具有更好的稳定性,说明了在表面能占重要影响的纳米线中WZ结构存在的合理性。 相似文献
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利用平面渡赝势密度泛函的方法,结合广义梯度近似,对纤锌矿GaN的光电性质进行了研究.对纤锌矿GaN的能带结构、态密度分布、复介电函数和吸收光谱进行了计算.文中分析了纤锌矿结构GaN晶体可能的跃迁及其对应的吸收光谱.结果显示GaN晶体的光学性质与晶体的电子结构直接相关.计算结果为进一步理解和改进纤锌矿GaN的光电性质提供理论基础. 相似文献
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《电子元件与材料》2017,(12):42-46
采用基于密度泛函理论框架的第一性原理计算方法,利用广义梯度近似方法研究了CdCO_3的晶体结构、电子结构和光学属性,理论计算结果表明,CdCO_3属于间接宽带隙半导体材料,带隙宽度为2.59 e V,带隙主要由价带顶的Cd 4p、O 2p和导带底的Cd 4p、5s轨道能级决定的。而电荷密度结果显示CdCO_3晶体是一种离子性较强而共价性较弱的混合键半导体,具有强烈的p轨道与d轨道杂化分布特征。利用精确计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的CdCO_3材料的光学属性,光学性质的计算结果显示在0~15 e V的能量范围内出现了三个明显的介电峰,吸收带边对应于紫外波段。以上结果对于探索基于CdCO_3纳米材料的潜在应用具有重要的理论指导意义,也为精确监测和控制CdCO_3材料的生长提供了理论依据。 相似文献
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直接耦合场效应逻辑(DCFL)具有简单的结构、良好的速度/功耗性能,是GaAsFETLSI电路中一种重要的逻辑形式。传统E/D型DCFL电路具有较低的成品率和较差的温度特性,本文研究了改进的E/E型DCFL电路。对E/D、E/E型DCFL电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较,E/E逻辑具有良好的高温性能。经优化设计,最后制作出单门延迟约100ps、单门功耗约1mW的E/D和E/E型DCFL电路,且E/E型电路较E/D型电路具有更高的成品率。 相似文献
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介绍了4∶1砷化镓高速数据选择器(MUX)的测试原理和测试系统的组建,提出测试过程中需要解决的几个问题。利用该系统测得电路的最高工作频率达到800MHz 相似文献
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GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了n型GaAs上欧姆接触的制备及其可靠性,以及基于欧姆接触退经的GaAsMESPET的失效分析,结果表明,n型GaAs上欧姆接触的制备已日趋成熟,接触电阻有所减小,表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高,接触材料也日趋丰富GaAsMESFET的失效分析方法也有明显改进。 相似文献
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综述了近年来以 HBT、MESFET及 HEMT为基本单元的 Ga As超高速集成电路的发展情况 ,并对其市场的应用作一介绍。 相似文献
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用波长范围为 70 0 nm到 350 0 nm的光电流测试系统研究了 SI- Ga As衬底、有源层和MESFET中的深能级。结果显示在 SI- Ga As衬底、有源层和 MESFET中的深能级有着较为密切的联系 ,这些深能级影响着器件的性能 相似文献
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