高压回流法生长碲镉汞晶体

HgCdTe的汞蒸汽压很高,使材料的制备与结晶过程的研究变得十分困难.采用高压回流的工艺生长HgCdTe晶体,可使整个长晶过程在一个开口的石英管内进行,汞的压力可严格地进行控制,从而避兔了闭管工艺所存在的一系列问题。高压回流的工作原理与扩散泵一样,当碲镉汞材料化合时,熔料内的汞元素被蒸发,在炉腔内高压惰性气体与陡峭的     

软着陆闭管扩散炉几个关键控制单元的设计与应用

为了适应太阳能电池生产的新工艺需求,提出一种新型的软着陆闭管扩散炉系统,为扩散炉系统向智能型、精密型的方向发展进行有益的探索,并阐述了软着陆闭管扩散炉系统的结构组成和工艺原理以及技术指标,重点对扩散炉系统中送料装置软着陆单元、炉门自动封闭单元以及炉管压力平衡单元的电气控制部分进行了详细的分析,其中运用了上下位机与PLC结合的控制方式对送料装置软着陆、炉门自动封闭进行了设计,运用PID控制方式对炉膛内压力进行控制,使其达到平衡。     

用籽晶生长碲锡铅单晶的闭管汽相传输法

1.碲锡铅单晶的生长闭管汽相传输法已证明可获得高质量的单晶。这种工艺就是使碲锡铅固态源汽化,并把气体分子传输到生长管的另一端而凝聚在定向的籽晶上。升华过程在抽空的封闭石英管中发生,该石英管放在生长炉接近等温的温区中,而温度远低于熔点。源材料是均     

闭管气相生长掺铝ZnTe

ZnTe 半导体材料的反型(制备 n 型材料),对于发光和光电器件是很有意义的。一般说来闭管化学气相法是一种适于易挥发材料单晶生长的方法。但过去在制备 n 型 ZnTe 方面用得较少。日本三重大学等单位的科学家用气相方法闭管生长了掺杂 ZaTe n 型层。通常实验上用封闭石英管系统,用碘作为输运物质。将6个9的锌和碲及适量的5个9的铝直接合成原料。掺杂剂铝的量为5mol%或10mol%,衬底使用(100)非掺杂 GaSb 或是在晶锭单相     

用水汽氧化系统代替扩散炉

据报导,最近采用的能在高达25个大气压下工作的高压低温水汽氧化系统可代替各种普通的扩散炉。不象较早的HiPOx氢氧氧化系统那样,新的系统采用直接向氧化装置输入去离子水的方法。由于使用了去离子水,高压氧化的工作温度范围比较宽。而且较低的工作温度得到了如下结果:几乎没有晶格缺陷,没有纵向和横向的扩散以及石英管的失透现象。     

液态源大箱法硼扩散

一、引言 液态源硼扩散是应用比较普遍的一种扩散方法,典型的作法是采用气体携带法,用N_2把扩散源蒸汽携带到要扩散的样品附近,以实现扩散。此法的优点是适合于大批生产。在平面工艺发展的初期,固态源箱法扩散,在扩散工艺中,曾处于支配地位。它的优点是均匀性、重复性较好;不足之处是由于受扩散箱容积的限制,每次扩散片数不多。液态源气体携带法和固态源箱法各有千秋。我们把二者结合起来,取其所长,形成了一种液态源硼扩散的新方法——大箱法扩散。就是把整个石英管看成是扩散箱,先采用液态源气体携带法,使石英管充分饱和;然后在不通源,只通入保护N_2的情况下,放入样品进行扩散。石英管每饱和一次,可以连续使用4～5小时以上。且具有重复性好,操作简便的优点。在硅平面管生产中,几年来,我们采用这一方法作硼扩散,已取得良好的效果。     

采用双层石英管道减少工艺中的沾污

采用无火焰原子吸收光谱法测定双层管道各部位石英中金属杂质的含量,指出双层石英管道能阻挡高温下炉衬耐火材料中的金属杂质(尤其是钠、铝)通过石英管道的扩散,减少了热氧化工艺中杂质的沾污;并证明采用氯化氢“清洗”管道对减少杂质的沾污是有效的。     

Zn在Ge中扩散的研究

用Zn作扩散源在封闭的真空石英管中,研究了Zn在Ge中的扩散问题,给出了xj-t1/2关系和C-1/T关系,比较了扩散源温度对样品表面形貌的影响。采用双温区扩散工艺可获得表面光亮的样品。采用真空退火工艺可使扩散样品表面漏电流降低。     

锌在磷化铟单晶中扩散行为的研究

本文采用 Zn_3P_2作扩散源进行真空闭管扩散,对锌在 InP 单晶中的扩散行为作了研究。通过实验给出了扩散系数与温度的关系,并得到了锌在InP 单晶中的激活能。通过实验发现:在相同扩散温度下表面受主浓度随结深加大而减少。采用空位随时间变化的模型解释了这一实验结果,研究了高阻衬底片 p-n 结显示时出现双线的问题。     

适用于200mm太阳能电池片的闭管扩散/氧化系统设计

介绍了适用于太阳能电池生产线闭管磷扩散设备,着重阐述了该设备的结构组成、工艺原理及控制。