在电子束控制放电KrF*激光器中发生电离不稳定性的判据与讨论

本文用相平面方法导出了电子束控制放电KrF激光器中稳态放电的判据,并讨论了E/P、F_2浓度以及外电离源强度对放电中发生电离不稳定性的效应.     

H—600透射电镜高压电路的检测与维修

H-600TEM的高压电路的几种故障,其检测和维修,分下述几个方面介绍:一、高压放电故障(一)电子枪污染引起的高压放电,这是电镜在长期工作,电子枪发生污染,主要是由于真空性能下降,油扩散泵部分油蒸汽分子进入镜筒和电子枪中,在电子束轰击下被电离分解附着在电子路径和电子枪等组件上的有机沉积物,时间太长还会形成黄褐班的污垢,这种污垢是造成高压放电的一个重要因素。排除措施:     

电子束控制放电的超声CO激光器首次获得激光输出

我们在新近研制成功的一台电激励气动激光器上,使用电子束控制放电,在亚大气压的超声冷却的CO/N_2/Ar 混合气体中首次获得了激光输出。该激光器由卢特维奇管、破膜段、超声喷咀、放电和光腔段、排气筒、高压电子枪以及高压电子枪电源和主放电电源等部分组成。这台激光器用一个5米长、368×95毫米~2 截面的卢特维奇管以及一个超     

电子束控制放电的HgCl*激光器

用电子束控制放电泵浦Hg/Cl2/Ar混合气体时，观察到HgCl*的激光作用。荧光强度增强一个数量级。这使控制放电得到的激发效率比电子束直接泵浦产生的效率约高两倍。除以前报道的HgCl*5576埃激光跃迁外，还观察到5584埃处的强跃迁。     

电容火花阵列式紫外预电离TEA-CO_2激光器

目前,TEA-CO_2激光器中,已引入多种预电离技术。大致可分为双放电电晕预电离,紫外预电离和电子束预电离三大类。在每类中又有各种设计方案。比较起来,紫外预电离技术是一种长程(10cm)体电离技术,因而它比电晕预电离源能启动更大极间距下的均匀放电,而结构上又比电子束预电离技术要简单紧凑得多。其单位激活体积的输出已达20～40焦耳/升·大气压,效率达10～18％。我们在研制双触发丝紫外预电离TEA-CO_2激光器的基础上设计和研制了一种结构     

100kV充气球隙开关

正 本文介绍了一种用于电子束控制放电泵浦的准分子激光器的高压充气触发球隙开关。 七十年代初,强流电子束技术已被用于气体激光器。出现了电子束泵浦或电子束控制放电泵浦的气体激光器。这些激光器一般采用冲击电压发生器作为电子枪电源。这种冲击电压发生器的回路电感应当很小。但回路电感受球隙开关性能的影响很大,为此我     

偏转电子枪原理与结构

一、概述 随着光学、电子等工业的迅速发展,电子束加热方法在真空镀膜技术中也得到了较快的发展和应用,这是因为电子束作为热源能获得远比电阻加热更大的能量密度,并可避免坩埚杂质对蒸发源的沾污。 产生电子束的装置称为电子枪,根据枪体结构不同,可分三种:直形(自加速式)电子枪、环形(静电式)电子枪和最近发展起来的偏转电子枪。三种电子枪的性能比较略见表1。     

高功率X射线曝光源的环状阴极电子枪的设计

X射线光刻技术是当前制作亚微米工艺结构大规模集成电路的关键技术之一,倍受重视。在实用化的X光刻机的研究探索和技术开发中,强功率高电流密度电子枪的设计是其中重要的课题之一。本文介绍作为X光光源用的环状阴极电子枪的通用计算机程序,这一程序可供计算多电极系统任意电极形状的束流控制特性、电子束着靶轨迹及电流密度分布等。文中给出一些典型计算实例,这将有助于这类仪器设备的设计与改进。由于这种高功率环状阴极电子枪具备一系列优点,同样可推广应用于电子束熔炼、电子束蒸发等装置中。     

X光预电离高气压电子崩放电激光器的研究

本工作研究了X光预电离电子崩自持均匀放电XeCl~*3080A激光器的特性。该器件使用了多通道轨道开关技术,使放电电压上升前沿小于20nS,并使用水介质传输线作为放电能源。X光源是用大面积发射冷阴极电子枪改装而成。它在放电室内产生的X光单脉冲剂量约10~2mr数量级;水传输线特征阻抗0.6Ω,长度1.2m;放电室激活体积约1.8×1.5×70cm~3。在这个装置中,我们     

双束型电子束控制CO_2激光器

双束型电子束控制CO_2激光器是由一支电子枪相背发射两束电子,分别控制两台激光器件的放电,从而实现两束激光的同步输出.与通常的电子束激光器一样,双束器件的性能很大程度上取决于电子束的强度、均匀性、稳定性及两侧发射的对称性.     

具有动会聚透镜系统的新型电子枪

为５０ｃｍ彩色显示管开发的能校正全屏会聚的电子枪,用各自的抛物波驱动两个新型电极来校正水平会聚和垂直会聚。这种电子枪能够控制整个屏幕上红电子束与兰电子束的轨迹。     

电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si双界面系统的作用

采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对S i3N4/S iO2/S i双界面系统进行了电离辐照剖面分析。实验结果表明:电离辐照能将S iO2和S i构成的界面区中心向S i3N4/S iO2界面方向推移,同时S iO2/S i界面区亦被电离辐照展宽。在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加电离辐照相当程度地减少位于S iO2/S i界面区S i3N4态(结合能B.E.101.8 eV)S i的浓度。同时辐照中所施偏置电场对S iO2/S i界面区S i3N4态键断开有显著作用。文中就实验现象的机制进行了初步探讨。     

X射线预电离TEA CO2激光器的振荡特性

在CO2激光器中谋求输出增大的手段之一是增加工作压力，在大气压以上的髙气压下要达到均匀的辉光放电是非常困难的。为此，有很多研制各种预电离方法的研究报告。代表性的方法有紫外光产生的光电离法，借助于高能电子束的方法等等，最近也报导了诸如采用由外部高速脉冲反应堆进行照射来作为电离源的中子束方法。     

快速扫描阴极射线管激光器

美国纽约州的美国菲利浦公司的H.J.Comelissen等人发明一种快速扫描阴极射线管激光器。此光—电系统是由一个射线管、一个激光晶体靶和电子枪组成。阴极射线管有一外壳,其内部有激光晶体靶,当电子束激励靶时,便产生激光。电子枪发射电子束,电子束对准偏离靶的轴,并使电子束汇聚在靶     

长脉冲大面积强流电子束源

本文介绍的长脉冲大面积强流电子束系统是为横向泵浦和控制放电泵浦大能量气体激光而设计和研制的。电子束能量为200250keV,脉宽约为13s,电流密度在0.58A/cm2范围内可调,束截面积约为10010cm2。用这台电子束系统已成功地进行控制放电泵浦XeCl激光,在1.91的激活体积中获得激光能量为1J。今年又用它作为CO2激光的泵浦源,在7.851的体积内初步获得360J的激光能量。     

用电子束激发经彭宁倒空的含氖稠密混合气体得到的585.3 nm等离子体激光器

大家知道，当用电子束电离稠密气体时会产生复合-非平衡等离子体,在其中可以实现建立粒子数反转的有趣机理。它是通过复合过程泵浦上能级和彭宁反应倒空下能级实现的。据我们所知，仅有一次建立这种工作在λ=706.5 nm跃迁上用电子束泵浦He-H2混合气体的激光器的的尝试。尽管在此以前已经在脉冲放电余辉作出了λ=706.5 nm的激光器。这个尝试还是失败了。     

高浓度臭氧超净水制备及在硅片清洗中的应用

利用自主研发强电离放电的臭氧超净水产生系统,采用强电场电离放电把氧激发、电离,电离离解成O,O-,O+,O(1 D)和O2(a1△g)等活性粒子,它们进一步反应形成高浓度气态O3,再用强激励方法把气态O3高效率溶于超净水中形成高浓度臭氧超净水.实验结果表明,当强电离放电电场强度为96 kV/cm,放电功率为800 W,形成高浓度臭氧超净水反应时间为30 min时,臭氧超净水质量浓度达到34.2 mg/L,去除Fe,Cu和Al颗粒物效率达到90％以上,满足硅片清洗的要求,为硅片清洗提供了一种形成高浓度臭氧超净水新方法.     

采用半导体预电离技术的TEA CO_2激光器

一、引言对于TEA CO_2激光器,预电离技术是极其重要的,它直接影响激光器的各种运行参数。目前,国内外采用的预电离技术多为针预电离,该系统只能在沿电极长度方向排布的有限几个点产生紫外光辐射,这就使得预电离不够均匀,主放电容易起弧,能量大量损失,甚至无激光输出;并且在预电离计之间产生的强弧会使CO_2分子离解,严重影响了器件运行寿命及重复频率,也使得对催化还原的要求提高了。为此,我们试用半导体预电离技术,用高     

气体激光器冷阴极的研究

回顾气体激光器的发展史,初期的器件常用热阴极,之后逐渐广泛采用冷阴极。近几年来发展的新型横向激励高气压激光器(TEA器件)采用了电子束控制气体放电新技术,它把放电大流子形成的过程(导电离)和使这些大流子有效地获得激发激光上能级所必须的能量的过程(主放电)分离出来,从而使冷阴极的应用拓广到大功率器件的范围。 热阴极缺点是明显的:温升时间长(造成电子发射的时间迟滞)     

问与答

(8 6 )什么是平面彩电和超平面彩电 ?答 :什么是平面彩电和超平面彩电 ,到底谁更好 ?为了说明这个问题 ,还得从彩色电视机的显像管谈起。显像管成像的原理是这样的 ,在显像管的后部有一个电子枪 ,顾名思义它是通过灯丝加热发射出电子束的部件 ,这束电子流经过电子透镜汇聚后成为非常细的聚焦电子束 ,再经过偏转线圈生成的磁场产生偏转 ,使射击到显像管荧光屏上的电子束做有规则的扫描 ,并使荧光粉发光。由于电视信号对电子束强弱进行控制 ,于是在屏幕上就可以看到了电视图像。在成像时电子束必须非常精确地聚焦在荧光屏上 ,否则图像是不可能…