大口径多光谱ZnS头罩的研制

多光谱ZnS是一种综合性能优异的红外光学材料,在长波红外及多波段红外探测成像系统中被广泛应用.化学气相沉积和热等静压后处理是制备多光谱ZnS材料的关键技术.介绍了化学气相沉积工艺和热等静压处理工艺制备多光谱ZnS的工艺原理及沉积大口径头罩的结构设计;报道了研制成功的270 mm大口径多光谱ZnS头罩.经测试分析,头罩的全波段透过率均已接近理论水平、吸收系数≤0.01 cm-1、折射指数均匀性达到2.2×10-5硬度160 kg/mm2、抗弯强度70 MPa、断裂韧性1.0 MPa·m1/2.与美国Rohm＆Haas公司的多光谱ZnS产品相比,该头罩的主要性能指标与其处于同一水平.     

CVD金刚石的红外增透和抗氧化研究

CVD金刚石具有一系列优异的性能，红外透过率高、吸收系数低，抗热冲击、耐磨损能力强，是理想的长波红外（8μm～12μm）高速飞行器窗口和头罩材料。但是，CVD金刚石的高温氧化现象严重损害了其红外透过率。因此，CVD金刚石的红外增透、抗氧化就成为大家关注的焦点。这里介绍了目前提高CVD金刚石红外透过率的主要途径和研究进展。     

新型的发光材料

本文主要介绍最新开发的高效率纳米微粒ＺｎＳ：Ｍｎ的制备工艺、光学性能、发光机理和初步应用，强调了这类发光材料的重大理论意义和广阔的开发前景。     

MBE生长Zn_（1－x）Cd_xSe／ZnSe超晶格的SIMS和AES谱

本文简要叙述了运用ＭＢＥ技术成功生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的一些工艺和参数，并对不同的样品进行了ＳＩＭＳ和ＡＥＳ的测试，首次测得了这种材料的元素分布，结果显示ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格有着良好的纵向元素分布．     

MBE生长Zn1—xCdxSe／ZnSe超晶格的SIMS和AES谱

本简要叙述了运用ＭＢＥ技术成功生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的一些工艺和渗数，并对不同的样品进行了ＳＩＭＳ和ＡＥＳ的测试，首次测得了这种材料的元素分布，结果显示ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格有良好的纵向元素分布。     

氧化锌薄膜材料在SAW元件中的应用

本文评述ＺｎＯ（氧化锌）薄膜材料在ＳＡＷ（声波）元件中的应用，主要涉及ＺｎＯ薄膜材料的特性，制备技术，在ＳＡＷ元件中的应用举例，并介绍ＺｎＯ薄膜研制和进展以及发展动向。     

ZnO变阻器低压化研究及其在LCD中的应用

本文阐述了ＺｎＯ变阻器在两端有源矩阵ＬＣＤ器件的应用，指出该元件是驱动ＬＣＤ良好的非线性元件。针对ＺｎＯ变阻器阈值电压高的不足，通过改变材料配方，采用ＴｉＯ２添加剂取代传统传统配方中的Ｓｂ２Ｏ３添加剂，并选择合适的工艺参数，研制出了满足ＬＣＤ应用的低阈值电压高非线性系数的ＺｎＯ变阻器。     

掺P、B对纳米Zn—0薄膜电学特性的影响

现在普遍采用ＩＴＯ薄膜 (Ｉｎ2 Ｏ3 ∶Ｓｎ)作为太阳电池的窗口材料 ,但由于Ｉｎ资源的稀缺 ,使太阳能电池的成本增加。Ｚｎ Ｏ是一种低成本材料 ,具有良好的电学、光学特性 ,因此可代替ＩＴＯ薄膜作为窗口材料。由于ＺｎＯ ｎ Ｓｉ异质结太阳电池的转化效率为6 9%～ 8 5 % ,而ＩＴＯ光电转换效率为 12 %～ 15 % ,采用液态源掺杂方法 ,取得较好效果 ,证实了掺Ｐ、Ｂ对纳米ＺｎＯ薄膜提高导电性是有效的。本文利用扫描俄歇探针等手段研究分析了掺Ｐ、Ｂ随热处理温度的变化对纳米Ｚｎ Ｏ薄膜电学特性的影响。在研制过程中 ,对掺入Ｐ、Ｂ的纳…     

长波光导HgCdTe探测器芯片钝化研究

在长波光导碲镉汞器件研制过程中，表面钝化是不可缺少的一个重要环节。在早期，表面钝化只进行阳极氧化处理。通过阳极氧化加ＺｎＳ复合钝化实验，得到了比较可靠的表面钝化层，并制造出了高性能、耐高温环境试验的实用化擦探测器芯片，文章对表面钝化层进行了分析。     

金属粘结Sm2Fe17Cx永磁体

由电弧熔炼和气固反应（ＧＳＲ）可制备出Ｓｍ２Ｆｅ１７的碳化物。研究了用Ｚｎ粘结体来增加这些碳化物的矫顽力，发现经过适当的热处理后，由ＧＳＲ制备出的Ｚｎ粘结碳化物的矫顽力达０．９Ｔ以上。由于歧化作用产生的α－Ｆｅ可能是达不到Ｚｎ粘结氮化物的矫顽力值的主要原因。本文讨论了热处理条件和含Ｚｎ量对Ｓｍ２Ｆｅ１７的碳化物矫顽力的影响，并与其氮化物的性能进行了比较。