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相似文献
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1.
一种低温漂的高精度带隙基准源的设计与分析   总被引:2,自引:2,他引:0  
根据基准源产生的基本原理、特性,综合温度补偿及电阻分压技术,设计出了一款能广泛应用于开关电源PWM控制器、隔离反馈发生器等的带隙基准源。该基准源电路基于6μm标准BJT工艺实现,仿真结果表明,当电源电压为15 V时,当温度为25℃时,VREF输出为5 V;当12 V≤VCC≤25 V时,线性调整率为0.16 mV;当1 mA≤I0≤20 mA时,负载调整率为1.61 mV左右;温度稳定性良好,大约为0.05 mV/℃。  相似文献   

2.
根据基准源产生的基本原理、特性,综合温度补偿及电阻分压技术,设计出了一款能广泛应用于开关电源PWM控制器、隔离反馈发生器等的带隙基准源。该基准源电路基于6μm标准BJT工艺实现,仿真结果表明,当电源电压为15 V时,当温度为25℃时,VREF输出为5 V;当12 V≤VCC≤25 V时,线性调整率为0.16 mV;当1 mA≤I0≤20 mA时,负载调整率为1.61 mV左右;温度稳定性良好,大约为0.05 mV/℃。  相似文献   

3.
基于0.13μm工艺设计的低功耗无片外电容LDO,文中采用动态自偏置技术使电路根据负载变化,提供不同的偏置电流,实现两级和三级结构下相互转化。电路采用Cascode Miller补偿,实现高稳定性。输出端加入过冲抑制电路,优化瞬态响应。仿真得到压差电压为57 mV;在-55~125℃范围内,温漂系数为27 ppm/℃;在电源电压1.2~3.3 V和负载100 nA~50 mA的变化范围内,线性调整率为0.452 mV/V,负载调整率为0.074 mV/mA。满载50 mA和电源电压1.2 V时,电源抑制比-53 dB@100 kHz,环路相位裕度大于60°。负载100 nA时静态电流2.5μA。负载瞬态响应结果展示过冲电压小于50 mV,建立时间约420 ns。此电路可调节性强,作为低功耗芯片,有着优秀的稳定性,适用于便携式产品。  相似文献   

4.
尹洪剑  万辉  高炜祺 《微电子学》2017,47(4):461-464
基于XFAB 0.6 μm CMOS工艺,设计了一种具有大电流驱动能力的低温度系数带隙基准电压源。通过设置不同温度系数的电阻的比值,实现带隙基准的2阶曲率补偿。采用新的电路结构,使基准源具有驱动10 mA以上负载电流的能力。经过Hspice仿真验证,常温基准输出电压为2.496 V,-55 ℃~125 ℃温度范围内的温度系数是3.1×10-6/℃;低频时,电源电压抑制比为-77.6 dB;供电电压在4~6 V范围内,基准输出电压的线性调整率为0.005%/V;负载电流在0~10 mA范围内,基准输出电压波动为219 μV,电流源负载调整率为0.022 mV/mA。  相似文献   

5.
提出了LDO,其基于缓慢滚降式频率补偿方法,通过在电路中引入三个极零对(极零对的产生没有增加静态功耗),不仅克服了常规LDO不能使用低等效串联电阻、低成本陶瓷输出电容的缺点,而且确保了系统在整个负载和输入电压变化范围内稳定工作.由于LDO通常给高性能模拟电路供电,因此其输出电压精度至关重要;而该补偿方法能满足高环路增益、高单位增益带宽的设计要求,从而大幅提高LDO的精度.该LDO基于0.5μm CMOS工艺实现.后仿结果表明,即使在低压满负载条件下,其开环DC增益仍高于70dB,满载时单位增益带宽可达3MHz,线性调整率和负载调整率分别为27μV/V和3.78μV/mA,过冲和欠冲电压均小于30mV,负载电流为150mA时的漏失电压(dropout电压)仅为120mV.  相似文献   

6.
沈良国  严祖树  王钊  张兴  赵元富 《半导体学报》2007,28(12):1872-1877
提出了LDO,其基于缓慢滚降式频率补偿方法,通过在电路中引入三个极零对(极零对的产生没有增加静态功耗),不仅克服了常规LDO不能使用低等效串联电阻、低成本陶瓷输出电容的缺点,而且确保了系统在整个负载和输入电压变化范围内稳定工作。由于LDO通常给高性能模拟电路供电,因此其输出电压精度至关重要; 而该补偿方法能满足高环路增益、高单位增益带宽的设计要求,从而大幅提高LDO的精度,该LDO基于0.5μm CMOS工艺实现,后仿结果表明,即使在低压满负载条件下,其开环DC增益仍高于70dB,满载时单位增益带宽可达3MHz,线性调整率和负载调整率分别为27μV/V和3.78μV/mA,过冲和欠冲电压均小于30mV,负载电流为150mA时的漏失电压(dropout电压)仅为120mV。  相似文献   

7.
一种新型指数补偿BICMOS带隙基准源   总被引:1,自引:1,他引:0  
在分析了带隙基准的指数曲率补偿原理的基础上,设计了一个低功耗、低温度系数、高电源抑制比的新型BICMOS带隙基准源电路.该电路基于0.6μm BICMOS工艺进行设计、仿真和实现.仿真结果表明,该带隙基准源在5V电源电压下,电源电流为50μA;温度变化范围从-40℃~110℃时,温度系数为2ppm/℃;低频电源抑制比为-105dB;负载从空载到驱动1k电阻时调整率为0.6mV.  相似文献   

8.
基于TSMC 0.18 μm BCD工艺,设计了一种无电阻高精度基准电压源。利用具有高阶温度系数的电流消除VBE温度系数中的非线性项,对输出基准电压实现高阶补偿。与传统无电阻基准电压源中MOS管工作于亚阈值区不同,电路中的MOS管均工作于强反型区,具有更高的仿真模型精度。仿真结果表明,当温度在-55 ℃~125 ℃范围变化时,该基准电压源的温度系数为8.5×10-7/℃。在无滤波电容的情况下,电源抑制比可达-80 dB。当电源电压在2.5~5 V范围变化时,线性调整率小于0.3 mV/V。  相似文献   

9.
设计了一种基于UMC 0.25μm BCD工艺的带隙基准电路。采用放大器钳位的传统实现方式,运用自偏置启动电路,鉴于对温漂的要求选用了二阶补偿电路。HSPICE仿真结果显示:在5.0 V供电电压下,温度在–40~+125℃变化时,基准输出1.196 2 V,波动范围为1.195 9~1.196 3 V,温度系数为3.76×10–6/℃;电源电压从2.5 V到5.0 V变化时,基准输出电压VREF的线性调整率为0.38%,低频时电路的电源抑制比(PSRR)为–83 d B。  相似文献   

10.
低于1×10-6/℃的低压CMOS带隙基准电流源   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种新颖的CMOS带隙基准电流源的二阶曲率补偿技术,通过增加一个运算跨导放大器(OTA),使带隙基准参考电路的电流特性与理论分析相符合,实现低温度系数(TC)的参考电流。该电路采用SMIC0.13μm标准CMOS工艺,可在1.2 V的电源电压下工作,有效面积为0.045 mm2。仿真结果表明,在-40~85℃温度范围内参考电流的温度系数为0.5×10-6/℃;当电源电压为1.1 V时,电路依然可以正常工作,电源电压调整率为1 mV/V。  相似文献   

11.
电信价格管制与创新   总被引:1,自引:0,他引:1  
曲喆  孙涛 《世界电信》2001,14(7):25-27
在电信业中,价格上限管制方式有取代公正报酬率管制方式的趋势。与公正报酬率管制相比,价格上限管制接受管制的评述周期一般比较长,受其管制的运营公司的收益率同时受到了上调限制和下调限制,这种管制方式为受管制公司提供了更好的定价灵活性。潜在的不足是需要更多相关的技术信息,且为管制者提供了随机判断运营者利润的机会,目前,英、美、法等国采取了这种可以促进放松管制和竞争的价格上限管制。  相似文献   

12.
全业务运营背景下我国电信管制策略研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
在三部委发布了电信业重组方案后,电信市场正在向三家全业务运营主体的竞争市场迈进。分析了全业务背景下电信管制面对的问题,提出了尽快出台电信法律法规、建立独立管制部门机构和合理利用非对称管制政策等策略来对市场进行规范,以促进资源优化配置。  相似文献   

13.
14.
建立适合我国电信市场发展的非对称管制体系   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 中国电信业实施新一轮重组后,亟须制定和实施有效的非对称管制政策以在较短时期内形成有效竞争的市场格局,本文在分析国外电信业非对称管制政策及实践的基础上,结合中国电信业当前的市场状况,提出了建立适合中国电信市场发展的非对称管制体系的原则和相应的政策建议。  相似文献   

15.
单周期技术和PID调节相结合的控制方法研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
单周期控制技术可以看成是一种以前馈控制为主的复合控制策略,故而具有很好的输入电压调整性能;但因其对输出电压采样的间接性,导致了负载调整性能薄弱。而PID调节恰好在负载调整性能上有优势。文章从工程实用的角度出发,设想将两者结合起来,从而得到优异的抗扰性能。在理论分析之后,通过试验证明了设想的可行性。  相似文献   

16.
随着近几年互联网及移动互联网市场的快速发展,IDC市场需求极度膨胀,于2012年底IDC/ISP市场准入停滞多年后重新启动,市场出现了新的情况和新的变化。我国政府相关部门希望从事前、事中、事后三个环节加强作IDC和ISP的管理,确保互联网相关业务发展安全可控。目前,通过增加技术评测,事前监管关工作已经有效开展,服务能力及水平不断提升,良好效果。  相似文献   

17.
Nanoparticles (NPs) have been studied for several decades, and outstanding advancements have been made involving fabrication methods and various properties for many different applications. NP assemblies exhibit collective properties that are superior to the properties of individual NPs, and their assembly behavior is significantly affected by interparticle interactions and surrounding layers. The temporal/spatial regulation of NPs and the active species present in NP systems are crucial for achieving desirable performances. Here, the interparticle interactions, surrounding materials (especially ligands), and temporal and spatial regulation are the main topics discussed. The principles and classical examples of these regulation strategies are provided, and the resulting NPs regulated by these strategies exhibit remarkable properties and have great potential for various applications. Finally, the future prospects of the NPs are outlined with respect to the surface modification, temporal and spatial regulation, as well as the binary cooperative complementary principle.  相似文献   

18.
过去垄断环境下的管制方法已经不能适用于眼下多运营商的竞争环境。近年来,从欧洲到拉美,再到亚太地区,世界各国都尝试进行电信体制改革,以寻求适应竞争的管制模式。全球监管体制呈现出以下发展趋势:监管机构进一步独立;管理经费市场化;竞争管制与行业管制并重;技术融合引发管制融合;行业自律机构积极参与到管制行为中来;专家咨询委员会在监管中发挥作用。  相似文献   

19.
超低压差CMOS线性稳压器的设计   总被引:11,自引:3,他引:8       下载免费PDF全文
代国定  庄奕琪  刘锋 《电子器件》2004,27(2):250-253
设计出一种输出电流为300mA且具有微功耗超低压差低噪声性能的单片CMOS线性稳压器,对其电路结构及工作原理进行了分析并给出各子电路模块的设计。该稳压器具有过流过热保护,工作电压范围为2.5V~6V。基于现代公司的0.6μm CMOS工艺模型,Hspice模拟结果表明其输入输出压差的典型值分别为0.4mV@1mA和120mV@300mA,静态电流的典型值为90μA。  相似文献   

20.
一种BiCMOS低压差线性稳压器的设计   总被引:1,自引:1,他引:0  
巩怀青  常昌远 《电子器件》2005,28(1):142-145
设计了一种低压差线性稳压器,对其结构原理进行了分析,并用0.6μmBiCMOS工艺进行模拟验证。Hspice模拟结果表明在输出负载电流为150mA,温度为25℃,输入电压为4.3V时压差为120mV,输出噪声74.2pVRMs,静态电流只有15.43pA,而待机工作模式静态电流小于0.04pA。体现其具有低功耗、低噪声的优点,且该稳压器可工作在3.45~10V电源电压范围,并有过温保护和限流保护功能。  相似文献   

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