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1.
曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1994,(4)
75~110GHzInGaAs/GaAsHEMT高增益MMIC放大器毫米波InGaAs/GaAsPHEMT已在通信、雷达、灵巧武器、电子战和辐射测量系统等方面获得广泛应用。近来,以PHEMT为基础的工艺技术已取得令人瞩目的进展,因而能在兼顾高性能的情... 相似文献
2.
本文重点论述GaAs IC CAD方法,包括:精确的GaAs MEsFET、HEMT和HBT等有源器件模型;大、小信号模型参数提取;噪声模型;成品优化;高频、高速微带传输线模型;电路模拟与优化;砷化镓门阵等。还评述了GaAs IC CAD集成软件包及进一步工作。 相似文献
3.
本文描述了Al/n-GaAs肖特基接触的正向脉冲退化效应,探讨了当肖特基二极管承受正向电流冲击时,势垒高度ΦB升高,直接影响Al栅MESFETs的特性,导致Al/n-GaAs IC失效的机理。 相似文献
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GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了n型GaAs上欧姆接触的制备及其可靠性,以及基于欧姆接触退经的GaAsMESPET的失效分析,结果表明,n型GaAs上欧姆接触的制备已日趋成熟,接触电阻有所减小,表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高,接触材料也日趋丰富GaAsMESFET的失效分析方法也有明显改进。 相似文献
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7.
本文给出了一种利用GaAs MESFET负阻特性实现的微波单片有源滤波电路,并考虑到MMIC工艺兼容性,提出了一种GaAs MESFET变容管结构,从而实现了滤波器的压控功能。 相似文献
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高温正向大电流下TiAl、TiPtAu栅GaAs MESFET的栅退化机理及其对器件特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
针对GaAs MESFET在微波频率的应用中的射频过驱动导致高栅电流密度现象,设计了Tial栅和TiPtAu栅GaAs MESFET的高温正向大电流试验,通过对试验数据和试验样品的扫描电镜静态电压衬度像以及试验中的失效样品进行分析,确定了栅寄生并联电阻的退化是导致器件的跨导gm、栅反向漏电流Is、夹断电压Vp等特性退化,甚至导致器件烧毁失效的主要原因。 相似文献
9.
曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
新结构高性能In_(0.3)Ga_(0.7)As/In_(0.29)Al_(0.71)As/GaAsHEMT研究证明,InGaAsHEMT的结构优于GaAsMESFET和习用的AlGaAs/GaAsHEMT。在GaAs上制备的赝配结构HEMT(PM-HE... 相似文献
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介绍了微波低噪声GaAs FET恒定应力加速寿命试验结果,沟道温度T_(ch)为145℃时,平均寿命MTTF为9.64×10~6h,最主要的失效模式是源漏饱和电流I_(DSS)退化降低。建立了表征GaAs FET稳定性的敏感参数I_(DSS)的退化模型InP=a+blnt,分析了I_(DSS)退化与温度应力的加速关系。提出了快速推断器件可靠性的建议。 相似文献
12.
GaAs红外发光二极管加速寿命试验 总被引:7,自引:1,他引:6
近年来光电器件在航空、航天及通信领域应用相当广泛,其可靠性问题显得日益突出。如何评价其可靠性水平成为一个难点。文章通过步进应力试验的方法设计出可靠性加速寿命试验方案。用恒定应力和步进应力试验相结合的方法评价了液相外延工艺制作的BT401A型GaAs红外发光二极管的可靠性水平;摸清了该种器件的失效模式及寿命分布,为进一步研究该器件的可靠性问题提供了依据。 相似文献
13.
半导体激光器的主要失效机理及其与芯片烧结工艺的相关性 总被引:2,自引:0,他引:2
分析了GaAs/CaAlAs高功率半导体激光器的暗线缺陷,腔面损伤退化和电极退化等主要失效机理及主要失效模式。通过样品老化试验,从微观物理角度分析了光功率输出下降与芯片烧结工艺相关性,明确了烧结焊料引起PN结短路,烧结空隙,焊料沾污等是导致半导体激光器退化的一个主要因素。 相似文献
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15.
时间分辨特性是GaAs光电阴极应用于泵浦探测等领域的一种极为重要的性能参量。采用矩阵差分求解光电子扩散模型的方式计算了光电子连续性方程和出射光电子流密度方程,发现影响GaAs光电阴极时间分辨特性的因素包括GaAs/GaAlAs后界面复合速率、GaAs电子扩散系数和GaAs激活层厚度,之后较为系统地研究了这三种物理因素对GaAs光电阴极时间分辨特性的影响。研究结果表明,GaAs电子扩散系数和GaAs/GaAlAs后界面复合速率与光电阴极的响应速率存在非线性正比关系,且随着两者的增大,GaAs光电阴极将出现饱和响应速率。激活层厚度对GaAs光电阴极响应时间的影响最大,通过激活层厚度的适当减薄可以将GaAs光电阴极的响应时间缩短至20 ps,可满足绝大多数光子、粒子探测的快响应需求。该研究为快响应GaAs光电阴极的实验和应用提供了必要的理论支撑。 相似文献
16.
The authors calculated the effective dielectric constant, characteristic impedance, and dielectric loss of a shielded microstrip line manufacture on namely GaAs, Si, and GaAs/Si. Dielectronic loss versus frequency for the GaAs and Si substrates are shown. The same parameters for GaAs/Si substrate were plotted for two different resistivities of the GaAs overlay material, and for each of three different GaAs overlayer thicknesses. The measurements covered the 10-100-GHz frequency range. Depending on the thickness, results show that high-resistivity GaAs epitaxial layers on Si substrates having moderate resistivities reduce the dielectric loss 相似文献
17.
Stefan Steinhoff IXYS Berlin GmbH 《电力电子》2005,3(6):22-25
在200W连续导通模式功率因数校正(PFC)系统中,新一代600V砷化镓(GaAs)肖特基二极管与硅和碳化硅(SiC)二级管比较,砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25%。由于砷化镓有较低的结电容,砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比,砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说,新一代的砷化镓二级管是很有前景的。 相似文献
18.
S. Shirakata Y. Fujiwara M. Kondo T. Nishino Y. Hamakawa 《Journal of Electronic Materials》1986,15(6):323-329
The interface stress at InGaPAs/GaAs heterostructure has been investigated using the energy shift and splitting of the Cr-related
zero-phonon photoluminescence line at 0.839 eV observed in GaAs. It has been found that the GaAs substrate suffers both compressive
uniaxial stress and tensile hydrostatic pressure at the InGaPAs/GaAs heterointerface. These shifts and splittings of the 0.839
eV line have been systematically examined as a function of the lattice mismatch between InGaPAs and GaAs, and the thicknesses
of the epitaxial-layer and substrate. The amount of the interface stress existing at InGaPAs/GaAs heterostructure has been
estimated, based on uniaxial stress data for GaAs: Cr wafers. 相似文献
19.
20.
W. D. Sun Fred H. Pollak Patrick A. Folkes Godfrey Gumbs 《Journal of Electronic Materials》1999,28(12):L38-L41
Low temperature photoluminescence (PL) measurements on pseudomorphic modulation-doped transistors with a low-temperature (LT)
GaAs layer in the GaAs buffer layer clearly show a decrease in the quantum well PL transition energies compared to a structure
with no LT GaAs. Self-consistent calculations of the electron and hole bandstructure suggest that the observed increase in
the redshift in PL energies with increasing quantum well-LT GaAs spacing can be attributed to band bending induced by the
Fermi level pinning at the undoped GaAs/LT GaAs interface and a novel carrier compensation effect of LT GaAs. 相似文献