场致发射显示器

介绍了场致发射显示器的基本工作原理及性能优势，展望了它的应用前景。对目前的发展状况及生产中的主要关键技术进行了分析。     

场致发射显示器技术分析

本文给出了场致发射显示器的基本工作原理,性能优势和应用前景。对目前的发展状况及研究,生产中的主要关键技术进行了分析。     

场致发射显示器会卷土重来吗?

佳能(Canon)和东芝(Toshiba)的合资公司-SED公司宣布,将于2006年生产55英寸场致发射显示器(FED).此外,SED公司还在2005年举行的两个会议上介绍了一些技术细节.本文将评述FED的某些技术信息.     

场致发射显示器会卷土重来吗?

佳能(Canon)和东芝(Toshiba)的合资公司-SED公司宣布,将于2006年生产55英寸场致发射显示器(FED)。此外,SED公司还在2005年举行的两个会议上介绍了一些技术细节。本文将评述FED的某些技术信息。     

场致发射显示器会卷土重来吗?

佳能（Canon）和东芝（Toshiba）的合资公司-SED公司宣布，将于2006年生产55英寸场致发射显示器（FED）。此外，SED公司还在2005年举行的两个会议上介绍了一些技术细节。本文将评述FED的某些技术信．     

场致发射显示器发展近况

介绍了一种新型平板显示器－场致发射显示器（ＦＥＤ），它与液晶显示器（ＬＣＤ）相比具有更薄、视角宽、响应速度快和功耗低等优点。ＦＥＤ已在美国的ＰｉｘＴｅｃｈ公司开始生产。     

场致发射显示器的现状与发展

通过对场致发射显示器（FED）发展现状及其应用前景进行系统的比较与分析，着重讨论了场致发射体与其阵列制备工艺以及各种关键技术的优缺点，并介绍国外著名公司的研究动态，展望FED的发展趋势。     

金刚石薄膜场致发射平板显示的研究

从场致发射实验中发现一种较适合于场电子发射的金刚石薄膜表面微结构。胜表面为这种微结构的金刚石薄膜作阴极制做的简单平板显示器件具有起始发射场强低，发光强度大的特点，且重复性较好。     

场致发射显示技术分析

本文介绍了场致发射荧光显示技术的工作原理及特点,分析了场致发射荧光平板显示屏的工作方式,结构及其制作工艺,并讨论了影响显示屏性能的主要因素。     

场致发射平板显示器的研究进展

利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示器是一种新型的平板真空器件。介绍了二极管型和三极管型场致发射显示器的各种基本结构,给出了场致发射平板显示器的基本行列矩阵寻址方式原理,重点分析和讨论了在制作大面积平板器件方面所存在的支撑结构问题,这种新颖的平板显示技术将会进一步降低生产成本和提高显示质量。     

真空微电子平板显示器（FED）进展述评

本文描述了场致发射阵列平板显示器（ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＤｉｐｌａｙ）工作原理，和其他平板器件性能的比较，关键技术及未来市场发展前景。     

场发射显示器研究现状

目前，场发射显示阴极仍以Spindt型为主。碳纳米管由于其独特的性质，也成为了各国研究的热点问题之一。本文概述了Spindt—FED和CNT—FED各自所具有的特点，并且对目前存在的问题及国内外的发展动态进行了综述。     

场发射显示器阴极结构的发展

场发射显示器（FED）集传统的阴极射线管显示（CRT）与液晶显示器（LCD）的优点于一身,具有很大的发展潜力,有望成为数字电视时代显示器件的主流。文章详细论述了电子场发射的原理．从F—N公式出发探讨了FED阴极材料的选取和阴极结构设计的原则,最后论述了FED阴极结构的发展。     

金刚石薄膜场发射显示器

简要介绍了一般ＦＥＤ（场发射显示器）的工作原理,研究了非晶金刚石薄膜低场发射特点,讨论了金刚石薄膜制做场发射器的可行性;指出利用金刚石薄膜和阳极选择的方法可对Ｓｐｉｎｄｔ ＦＥＤ进行改进,从而使平面ＦＥＤ更容易实现。     

场发射平面显示器件面临的困难和前景

分析了以Ｓｐｉｎｄｔ场发射尖锥为基础的场发射平面显示器（ＦＥＤ）,在技术上所面临的困难及其前景,同时也展望了很有希望的、其他类型场发射平面显示器。     

场发射显示器发展动态

概述场发射显示器件的原理，结构和制作工艺及发展水平。展望ＦＥＤ的前景并介绍了国际上围绕ＦＥＤ展开的激烈竞争。     

场致发射显示领域专利分析

由于优异的显示特性,场致发射显示器被认为是最有发展前景的平板显示器件之一.分析场致发射显示领域的专利有助于了解该领域的技术发展动态.通过检索欧洲专利局的专利数据库,对筛选出的主要场致发射领域相关的专利进行统计分析,讨论了美国、日本、韩国、中国等的厂商在场致发射显示领域技术的发展现状和未来发展趋势,着重研究了我国场致发射显示领域专利的发展趋势和存在的问题.