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主要报道了用于提高液相外延(Liquid Phase Epitaxy, LPE)长波碲镉汞薄膜质量的碲锌镉衬底筛选方法研究。通过对碲锌镉衬底的锌组分、红外透过率、沉淀/夹杂、位错密度、X射线形貌像和X射线衍射半峰宽等参数进行全面测试以及对外延后碲镉汞薄膜的X射线形貌像和X射线衍射半峰宽进行测试评估,发现目前X射线形貌像和锌组分是影响LPE长波碲镉汞薄膜用碲锌镉衬底的重要参数。结果表明,锌组分处于4.2%~4.8%之间、形貌像衍射强度高且均匀性好是长波碲镉汞薄膜外延用衬底的理想选择。 相似文献
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针对高质量、大规模碲镉汞红外焦平面探测器需求的持续增加,本文开展了使用分子束外延方式在50 mm×50 mm(211)B碲锌镉衬底上外延碲镉汞材料技术的研究。通过对碲锌镉衬底改进湿化学腐蚀、碲锌镉衬底预处理、碲锌镉衬底缓冲层生长、碲锌镉基碲镉汞材料工艺开发等方面的研究,开发出了能够稳定获得碲锌镉基碲镉汞材料的工艺。材料质量、工艺重复性良好,获得的碲锌镉基碲镉汞材料双晶衍射半峰宽(35±5)arcsec,组分平均值为0.2160;碲镉汞薄膜材料厚度平均值为6.06μm。 相似文献
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通过研究碲锌镉衬底(112)B面缺陷腐蚀坑和(111)B面缺陷腐蚀坑之间的关系,揭示了(112)B面腐蚀坑与材料缺陷之间的关系。结果显示,Everson腐蚀剂在碲锌镉材料(112)B面上揭示的棒状腐蚀坑起源于材料中的体缺陷,或由延伸缺陷腐蚀坑在缺陷终止后演变而成,三种典型形状的锥形腐蚀坑分别来自延伸方向为110、112和123的延伸缺陷。研究结果同时显示,Everson腐蚀剂对部分取向的延伸缺陷所形成的腐蚀习性面在(112)B表面不能构成锥形腐蚀坑,通过观察(112)B面锥形坑随腐蚀深度发生横向移动的方向,进一步证实Everson腐蚀剂只能揭示延伸方向位于(112)极图上[011]和[101]连线附近区域的延伸缺陷。基于上述实验结果,文章进一步讨论了(112)B面Everson腐蚀坑密度与材料缺陷密度的关系,其结果将有助于碲镉汞分子束外延识别源自衬底的材料缺陷,并对碲锌镉(112)B衬底的质量进行更好的控制。 相似文献
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采用传统布里奇曼法生长碲锌镉晶体,在配料过程中添加适当过量的Cd,并在晶体生长结束阶段的降温过程中加入晶锭原位退火工艺,晶体的第二相夹杂缺陷得到了有效抑制。根据晶体第二相夹杂缺陷的形成机理,结合热扩散理论和碲锌镉晶体的P-T相图,研究了退火温度对晶体第二相夹杂缺陷密度和粒度(尺寸)的影响,获得了抑制碲锌镉晶体第二相夹杂缺陷的退火条件。利用优化的退火条件制备碲锌镉晶体,晶体第二相夹杂缺陷的尺寸小于10 μm,密度小于250 cm-2。 相似文献
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芯片制备工艺完成后,给芯片留有一定厚度的衬底,同时利用丝切割技术将多余的碲锌镉衬底取下,并对其进行重复抛光处理。碲锌镉衬底的锌值分布及半高宽(Full Width at Half Maximum, FWHM)测试结果表明,碲锌镉衬底质量较好,可以再次用来制备液相外延碲镉汞薄膜。该薄膜经过标准探测器芯片工艺后,性能合格。该研究使原本要完全去除的衬底得以重复利用,提高了碲锌镉衬底的利用率,降低了探测器的制造成本。 相似文献
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报道了近年来昆明物理研究所在富碲水平推舟液相外延碲镉汞外延薄膜制备技术方面的进展。2019年以来,突破了?120 mm碲锌镉晶体定向生长技术,使碲锌镉衬底沉积相和夹杂相密度≤5×103 cm-2,位错腐蚀坑密度(EPD)≤4.0×104 cm-2,?120 mm(111)晶圆衬底的Zn组份分布极差≤0.36%。基于碲锌镉衬底技术的进步,液相外延碲镉汞薄膜的最大生长尺寸达到了70 mm×75 mm,薄膜位错腐蚀坑密度均值为5×104 cm-2,X射线双晶回摆曲线半峰宽(DCRC-FWHM)≤35 arcsec,部分可控制到25 arcsec以下;50 mm×60 mm尺寸长波碲镉汞薄膜的厚度极差≤±1.25 μm,室温截止波长极差≤±0.1 μm,中波碲镉汞薄膜相应指标分别为≤±1 μm、≤±0.05 μm。材料技术的进展促进了制冷型碲镉汞探测器产能提升和成本的降低,也支撑了高性能长波/甚长波探测器、高工作温度(HOT)探测器以及2048×2048、4096×4096等甚高分辨率高性能探测器的研制。 相似文献
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Kathiravan Vaiyapuri Thangavel Subramani Ashok Kumar Rajamani Muthu Lakshmi Thangavel Satheesh Kumar Ganesan Selvarajan Palanisamy Kumaresavanji Malaivelusamy 《电子科技学刊:英文版》2022,20(4):345-355
Single crystals of L-alanine cadmium iodide (LACI) were grown by the slow evaporation technique at room temperature. A single-crystal X-ray diffraction (SXRD) model was used to evaluate the crystal structure of the as-grown LACI crystal. The energy dispersive X-ray (EDX) analysis and ultraviolet-visible-near infrared (UV-vis-NIR) transmittance studies were carried out, and the results reveal the presence of elements in the title compound. From the transmittance data, the optical bandgap as a function of photon energy was estimated, and the different optical constants were calculated. A fluorescence study was performed for the LACI crystal. Thermogravimetric and differential thermal analyses have also been studied to investigate the thermal property of the LACI crystal. The efficiency of the second harmonic generation (SHG) of the title crystal was investigated. The magnetic and electrical properties were estimated by the vibrating sample magnetometer (VSM) analysis and impedance study, respectively. 相似文献
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Single crystal of the ternary semi-conductor AgInSe2 has been grown by Bridgman technique. The AgInSe2 crystal crystallizes in the tetragonal chalcopyrite structure. Using melt temperature oscillation method polycrystalline charge was synthesized. The synthesized charge was subjected to powder X-ray diffraction analysis. Thermal property of AgInSe2 was analyzed using differential scanning calorimetry (DSC) technique. The melting and solidification temperature is 777 °C and 761 °C respectively. The synthesized polycrystalline charge was employed to grow AgInSe2 single crystals. The grown crystal was confirmed by single crystal X-ray diffraction. The crystal exhibits 60% transmission in the Infrared region. The stoichiometric composition of AgInSe2 was confirmed by Energy dispersive X-ray analysis (EDAX). The electrical properties of the crystal were studied by Hall Effect measurements and photoconductivity. 相似文献
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Ba6-3xNd8+2xTi18O54晶体结构与微波介电性能的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用纳米Nd2O3以较低温度烧结出性能优良的Ba6-3xNd8 2xTi18O54(BNT)微波介质陶瓷。以X-射线衍射法测定了BNT陶瓷粉末的室温点阵常数,确定其空间群为Pbam。分析了BNT晶格结构随配比x的变化情况,与Ba6-3xSm8 2xTi18O54(BST)、Ba6-3xEu8 2xTi18O54(BET)进行比较,结果表明各离子在ab晶面内的分布对Ba6-3xR8 2xTi18O54(BRT)微波介电性能的影响较大。给出了BRT介电常数和品质因数变化的可能解释,即BRT因配比x及稀土元素的不同而产生晶格变化所致。 相似文献
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为提高晶体对波长为0.1~20 nm的X射线的衍射效率,通过特殊工艺对特定晶体表面进行位错处理。将云母、α-石英和LiF晶体劈成80 mm×10 mm的晶体薄片,其中LiF晶体厚度研磨到1 mm,其余三种晶体厚度为0.2 mm。将LiF晶体加热到400 ℃,然后用椭圆型折弯机进行多次弯曲,自然冷却降到室温,使晶格发生位错现象。在波长为0.154 nm的Cu靶X射线衍射仪上进行衍射试验,经晶体后利用成像板或X射线CCD获得衍射谱线,其中Mica球弯晶获得多级衍射谱线,经过表面处理的LiF晶体获取的X射线光子数比未处理的高2倍。结果表明晶体表面经过位错处理后提高了衍射效率,更适合X射线诊断研究。 相似文献
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包含高阶衍射的X射线分光晶体积分衍射效率是X射线光谱准确辨识、X射线分光晶体性能研究、X射线光谱定量测量和高分辨X射线单能成像的基础。基于X射线衍射仪,选择适当厚度的镍滤片和控制X射线管电压,极大地抑制Cu K及韧致辐射,将X射线管光源Cu K单能化。以常用的X射线分光晶体季戊四醇[PET(002)]为样品,对X射线分光晶体的高阶积分衍射效率进行标定其结果表明,在 Cu K能点,PET(002)晶体的积分衍射效率,二阶为一阶的14.36%,三阶为一阶的4.07%;Cu K1最大峰值比,二阶衍射为一阶的7.7%,三阶衍射为一阶的1.3%。基于X射线衍射仪的X射线分光晶体高阶衍射效率实验标定具有快速高效、方便灵活的特点。 相似文献
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用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低.依据X射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)面的衍射峰位展宽进行计算,并对4H-SiC原子结构进行了分析.研究结果证实,摇摆曲线中傍肩的存在与射线源中的Ka2射线参与衍射有关,而相对较低的衍射强度受其(004)面的特殊双层原子结构的影响. 相似文献
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研制了高精度在线准直、超宽光谱范围和高能谱分辨的在线凸圆柱面弯晶谱仪。使用耦合针状CsI(Tl)闪烁体的大面阵CMOS相机对X射线光谱进行在线测量,用QTZ(1010)(2d=0.851 2 nm)X射线晶体的能谱测量范围是1.84~7.38 keV,能谱分辨880@2.375 keV,动态范围 1 000。在神光-Ⅲ主机高功率激光装置上,对钛激光等离子体发射的X射线谱进行实验测量,获得了优质的光谱图像;对钛离子X射线精细结构光谱进行了辨识,与理论计算和其他实验结果吻合。该谱仪用于神光-Ⅲ主机通用诊断搭载平台,具有抗瞬发超强电磁脉冲干扰能力,工作稳定。 相似文献