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温度控制在大型工业和日常生活用品生产中都具有广泛的应用。神经元网络是智能控制的一个新的分支,为解决复杂的非线性、不确定性、不确知系统的控制问题开辟了一条新途径。针对烤箱温控具有升温单向性、大时滞性和时变,以及温度在工作区域内的变化具有非线性的特点,运用神经网络逆控制和预测控制相结合的方法对整个系统进行控制,根据神经元模型结构特点,用Matlab工具进行设计和仿真,仿真结果令人满意。 相似文献
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本文根据某药厂车间环境的控制要求,介绍了一套药厂车间空调机组温度控制系统模拟装置的设计与制作。该装置主要利用PLC技术进行控制,使用PLC的扩展模块EM231、EM232,将温度传感器采集的信号进行模数转换,通过PLC进行实时处理数据并发送指令调控室温。该装置经过多次安装、调试与使用,验证了其可行性,不仅在教学过程中有利于学生学习PLC知识,而且在教学上增加了实践性较强的教学内容,同时教师自制教学装置,提高了教师的科研能力。 相似文献
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对印制板生产中电镀槽加热装置引发的安全隐患进行分析并提出新的技术改进方案,提高设备使用的安全性,为同行对PCB电镀设备安全管理和技术研究提供借鉴。 相似文献
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由于智能配电数字终端[1]内部的工作温度会受到周围环境的影响,从而导致箱体内部的一些正常元器件无法正常地工作。因此一种能自动检测温度并且实时自动调节温度的技术应运而生。通过使用Silicon Laboratories公司生产的C8051F系列的高速SoC单片机结合DALLAS公司的高精度的数字温度采集芯片DS1820,以及外围的扩展电路,完成对终端内的温度的实时的精确的控制和调节。 相似文献
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《电信工程技术与标准化》2014,(9):23-23
正日前,中国移动通信集团设计院有限公司河北分公司的《一种通信机房智能温度控制系统》专利获得中华人民共和国国家知识产权局批准,正式授予实用新型专利证书。本专利提供了一种通信机房智能温度控制系统,主要涉及温度控制领域。通信机房智能温度控制系统主要包括用于采集机柜实时温度数据的温度传感器;与温度传感器连接,将接收的温度数据与预设的温度门限作比较,并根据比较结果控制安装在机柜内的电机,同时对安装在机柜下方的出风地板进行调节的操作端。上 相似文献
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基于单片机的双模糊温度控制器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
传统的温度控制存在难以建立精确的数学模型以及控制性能较差等缺点,为此,在基本模糊控制理论基础上提出一种双输入单输出的双模糊温度控制器,根据系统不同的工作状态采用不同的模糊温度控制器。并结合单片机技术,设计了体积小、功能强的双模糊温度控制器,给出了温度控制器的硬件及软件设计思想与方法。该控制器简单易行,能有效改善温度控制性能,提高温度控制的稳定性。 相似文献
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一种双极性高精度半导体激光器温度控制系统 总被引:1,自引:1,他引:0
温度是影响半导体激光器(LD)寿命和输出特性的重要因素之一。为保证LD输出稳定的激光模式和功率,采用以ADC和DAC集成的微处理器芯片C8051F350和具有双极性输出电流的TEC驱动芯片MAX1968为控制核心,以积分分离和变速积分增量式相结合的数字PID算法为运算程序的自动温度控制系统(ATC)控制TEC驱动电流的方向和大小,实现对LD的加热或制冷,使其工作在恒定温度。实验证明,应用该系统,LD在0℃~40℃环境温度范围内能很快稳定在设定温度,且其不确定度为±0.03℃。 相似文献
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介绍了基于单片机C8051F310和DS18B20设计的机柜温度控制系统。该系统电路结构简单,以单片机为控制核心,利用温度传感器DS18B20芯片采集机柜内温度数据并送至控制器,并根据设定的温度范围自动控制空调出冷气,外围配备功能按键和数码显示,可根据实际环境自行设置温度范围。实际应用证明,该系统具有结构简单、温度转换精度高、稳定性好等特点,能实现一般要求的机柜温度实时自动控制。 相似文献
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控制器设计微控制器(MCU)为核心,基于RTX51编制软件系统,结合必要的外围电路,完成微波炉的可编程智能控制.系统由计时控制、火力设定、用户界面、音响发生、数据保持及远程信息控制模块组成.能够根据键盘输入完成相应的功能,使用LCD显示系统状态.并且可以通过串口与计算机通信,利用Internet实现远程操作、烹调方案下载、时间同步等信息控制功能. 相似文献
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针对恒温晶体振荡器(OCXO)必要的控温电路,提出了几种恒温槽温度控制电路解决方案,包括单运放控制电路直接加热、电阻加热和双运放控制电路等,并对它们的原理和特点进行分析和比较,给出必要的数学计算和分析。在分析总结这几种控温电路的基础上,着重探究了双运放控温电路的原理和特点,总结了双运放控温电路的优缺点,并据此搭建了一个热槽状态对电源变化不敏感的控温电路,实现了恒温晶振频率稳定度的提高。 相似文献
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M. Tong D. G. Ballegeer A. Ketterson E. J. Roan K. Y. Cheng I. Adesida 《Journal of Electronic Materials》1992,21(1):9-15
The etching characteristics of AlxGa1-xAs in citric acid/H2O2 solutions and SiCl4/SiF4 plasmas have been studied. Using a 4:1 solution of citric acid/H2O2 at 20° C, selectivities of 155, 260, and 1450 have been obtained for GaAs on AlxGa1-xAs withx = 0.3,x = 0.45, andx = 1.0, respectively. Etch rates of GaAs in this solution were found to be independent of line widths and crystal orientations
for etched depths up to 1000?. GaAs etch profiles along [110] and [110] directions displayed different slope angles as expected.
Selective reactive ion etching (SRIE) using SiCl4/SiF4 gas mixtures at 90 mTorr and -60 V self-biased voltage yielded selectivities between 200 and 500 forx values ranging from 0.17 to 1.0. SRIE etch rates for GaAs were relatively constant for etch depths of less than 1000?. At
greater etch depths, etch rates varied by up to 76% for line widths between 0.3 and 1.0μm. Both selective wet etch and dry
etch processes were applied to the fabrication of pseudomorphic GaAs/AIGaAs/lnGaAs MODFETs with gate lengths ranging from
0.3 to 2.5 μm on heterostructures with an embedded thin AlAs etch stop layer. A threshold voltage standard deviation of 13.5
mV for 0.3 μ gate-length MODFETs was achieved using a 4:1 citric acid/H2O2 solution for gate recessing. This result compares favorably with the 40 mV obtained using SRIE, and is much superior to the
230 mV achieved using the nonselective etch of 3:1:50 H3PO4: H2O2: H2O. This shows that selective wet etching using citric acid/H2O2 solutions in conjunction with a thin AlxGa1-xAs(x ≥ 0.45) etch stop layer provides a reasonably simple, safe, and reliable process for gate recessing in the fabrication of
pseudomorphic MODFETs. 相似文献