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相似文献
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1.
为了提高放大算法的适应性,采用改进的非线性复扩散和自适应冲激滤波器,提出了一种图像放大方法。根据像素局部方差进行自适应改变扩散门限,扩散图像的虚部除以扩散时间以消除扩散时间的影响,特别是初期扩散近似线性扩散的特性,得到改进的复扩散模型耦合冲激滤波器进行无噪图像放大。对于噪声图像放大,根据像素局部方差进行自适应非线性复扩散,耦合局部方差约束的冲激滤波器增强模糊的图像边缘和细节。自适应非线性复扩散通过局部方差和图像二阶导数相结合分辨边缘和噪声,对噪声进行平滑的同时保持边缘,克服了复扩散不能分辨噪声和边缘的缺陷,同时保持复扩散保护斜坡结构,免除阶梯效应的优点。仿真实验验证了所提算法不仅对无噪图像有较好的放大效果,而且对一定范围的噪声图像也有较好的放大效果。  相似文献   

2.
用于彩色PDP中的误差扩散电路   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用子场技术来实现灰度显示的彩色等离子体显示器(PDP),在显示运动图象时会出现动态假轮廓现象,延伸编码的子场方案是一种行之有效的减少动态假轮廓的方法,但存在显示灰度等级不足的缺点,为此,引入误差扩散电路,在视觉上大大提高了彩色PDP的显示灰度等级,使图象质量大为改善。  相似文献   

3.
一种二维离散子波变换的滤波器结构   总被引:2,自引:0,他引:2  
子波变换具有良好的时间(空间)频率局部化性能,在图象子带编码中二维离散子波变换是一种接近理想的子带分析/综合子系统.本文提出一种利用一维离散子波变换实现二维有限长离散子波变换的方法,同时给出了二维离散子波正变换(DWT)和反变换(IDWT)的滤波器实现结构.实验结果表明新的方法具有良好的重构性,完全适用于图象压缩编码系统中的分析/综合子系统.  相似文献   

4.
史莹 《电子器件》1997,20(1):301-307
本文讨论了一种基于人类视觉特性的新的图象增强处理方法,该方法利用了人类视觉系统中视网膜上光感受细胞所具有的扩布作用和视网膜上神经节的侧抑制效应,为了改善2传统IDS只对图象边缘进行增强的局限性,我们对IDS点的散函数进行了改进,使该系统能对整幅图象进行增强处理。  相似文献   

5.
本文提出一种在空间域根据采集图象局部统计特性和相关信息进行噪声滤波算法─稳健混合M型滤波器.该滤波算法不仅能有效地抑制各种图象噪声分量,而且克服线性滤波算法引起的边缘模糊和细节损失,保持图象边缘和几何结构。选择中值做参考信号有效地改善图象的信噪比和对比度,使滤波后图象具有良好的视觉效果.同CS滤波器、HDMF滤波器、DWMTMF滤波器、自适应L滤波器性能相比较,本文提出的方法在滤波、边缘保持等方面有突出的优点。  相似文献   

6.
具有空间反馈噪声形成的自适应预测图象编码方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文提出了一种基于人的视觉特性的自适应预测图象编码方法,该方法核心是通过引入噪声反馈滤波器实现噪声重新分布,以抑制图象敏感区频带内的重构噪声。同时,在不灵敏频带内引入一定噪声以达到整个恢复图象的噪声平滑。因而,可以用更粗的非均匀量化器实验。引方法不仅设计复杂底低,且性能比传统的DPCM方法好。  相似文献   

7.
一种图象纹理特征提取与分割的新方法   总被引:2,自引:0,他引:2  
赵荣椿 《电子学报》1994,22(4):46-52
本文介绍了一种用于提取图象纹理特征的新的二维最佳数字滤波器(ODF),该滤波器是基于有限长球序列(FPSS)和离散付里叶变换(DFT)设计的,它具有能量损失最小的最佳频率响应特性。用若干具有不同中心频率和带宽的这种滤波器覆盖频率平面,可以抽取图象的纹理转征,进而利用一个非参数分类器,可对纹理图象实行有效的分类和分割。文中给出了一个人工纹理图象和一个自然纹理图象分割的实例。  相似文献   

8.
提出了一种新型的各向异性扩散图像放大的邻域扩散选择平滑法(ADASS),将邻域扩散法与选择平滑滤波器相结合,降低了算法的复杂度,并提高了图像的放大质量.该算法在平滑噪声的同时可以有效地增强边缘,使得放大后的图像无论在边缘处还是平滑区域均能达到理想的效果.实验结果的主观质量及峰值信噪比(PSNR)值表明了算法的有效性.  相似文献   

9.
朱江  张军  付强 《现代雷达》2005,27(11):7-11,15
在线性调频+PD雷达模式下,利用噪声的随机特性和M/N检测原理,提出了一种能改善雷达系统检测性能的检测方法,并比较了两种不同采样频率下幅值检测和M/N检测对检测概率的影响。仿真实验结果表明:改进的M/N检测方法明显优于幅值检测方法。根据高重频脉冲多普勒雷达的特点,分析了在此条件下的目标回波特性,讨论了如何实现高重频脉冲多普勒雷达对频率展宽信号的精确测量。  相似文献   

10.
基于广义Gabor变换的最优LOFDM系统的脉冲成形   总被引:3,自引:1,他引:2  
LOFDM(Lattice Orthogonal Frequency Division Multiplexing)是时频弥散信道上的一种高速数据传输技术。但当LOFDM系统的脉冲成形滤波器不具有最优的时频局域化特性时,必将引入严重的ISI和/或ICI。因此脉冲成形滤波器的设计是最优LOFDM系统设计的重要组成部分。Strohmer和Beav(2001,2003)给出了一种LOFDM脉冲成形滤波器的设计方法,但是计算量较大。为此,该文提出了一种广义Gabor变换,通过构造广义紧致Gabor原子来完成最佳LOFDM脉冲成形滤波器的设计的数值实现。理论分析和仿真试验都证明该方法比Strohmer和Beaver给出的方法更简单有效。  相似文献   

11.
对硼扩散浓度和扩散深度的控制技术进行了研究。通过采用两步扩散步骤、预扩散采用双面扩散的方式、再分布采用密闭碳化硅管、控制扩散温度和扩散时间,有效地控制了扩散层浓度和结深。  相似文献   

12.
A radiotracer technique has been used to measure both mercury self-diffusion and surface concentration values in bulk and liquid phase epitaxy, LPE, grown Hg1−xCdxTe. A high resolution sectioning technique has allowed profiling of thin epitaxial layers in submicron steps. Hg1-xCdxTe samples with composition values betweenx Cd= 0.16 and 0.23 were isothermally annealed in carefully controlled and monitored diffusion con-ditions. Mercury reservoirs containing Hg203 were used to provide vapour diffusion sources during closed tube isothermal anneals in the temperature range 300° C to 400° C. Evidence has been found which may indicate the presence of two components in the radio-tracer profiles for both bulk and epitaxially grown material. In some cases it was possible to estimate two diffusion coefficients,D 1andD 2, from the near surface and deeply penetrating components, respectively. Our results forD 1andD 2are compared with other work. For bulk material annealed at 400° C under a saturated mercury pressureD 1= 2.0 x 10-12cm2s-1 andD 2= 1.1 x 10-11cm2s−1. Diffusion coefficients at 310° C under saturated mercury pressure, have been measured in bulk and epitaxial material. Close agreement was found between these results with an average value ofD 1= 1.4 x 10−13cm2s−1. We believe this to be the first time radiotracer results for epitaxial material have been presented. We have collated diffusion data, as a function of reciprocal temperature, from several workers and suggest there is evidence for a change in the activation energy for mercury diffusion around 350° C. This may be due to a change in the dominant diffusion mechanism.  相似文献   

13.
Rapid thermal diffusion of zinc into semi-insulating GaAs from spin-on Zn doped silica film was performed. Spin-on films act both as Zn diffusion sources and GaAs surface encapsulant layer against decomposition during the rapid thermal diffusion. The very shallowp + layers were obtained at a diffusion temperature of 900° C for 5 sec. Non-alloyed ohmic contacts to thesep + layers were achieved with an average contact resistivity of 2.4 × 10−6 Ω cm2. The interface is very smooth. The zinc diffusion coefficient for rapid thermal diffusion with effective diffusion time of 6 sec at 900° C was numerically calculated from SIMS profiles. In contrast to the common Longini-Weisberg-Blanc model, the rapid thermal diffusion is under nonequilibrium condition. Complications due to interstitial-substitutional nonequilibrium, vacancy supply resulted from the interface stress field, and zinc precipitation are briefly discussed.  相似文献   

14.
A study of metal (Li, Ag) diffusion has been carried out in an archetypal OLED device based on N,N′-di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine|tris(8-hydroxyquinolinato) aluminum|4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (NPB|Alq3|Bphen). Using single-stack and two-stack tandem OLED structures with variations of layer thicknesses and metal layer placements, we have found that Ag vapor-deposited on Alq3 layer can diffuse or penetrate deep into Alq3, up to ∼2,000 Å, causing luminescence quenching. This diffusion can be substantially prevented by a thin layer of Li or Bphen deposited on Alq3 prior to the deposition of Ag. In contrast, Li diffusion in either Alq3 or Bphen is limited to about 50–100 Å. Li appears to be able to diffuse into Bphen irrespective of the order of Li and Bphen depositions.  相似文献   

15.
The diffusion of oxygen into SiO2 encapsulated polycrystalline CdSe films and the diffusion of indium into polycrystalline CdSe films have been investigated over the temperature range 350 C to 500 C using SIMS. The oxygen profiles in the SiO2 indicated that both isotopic oxygen exchange and the diffusion of molecular oxygen along short circuit paths were occurring with activation energies of 1.1 eV and 0.66 eV, respectively. The activation energies determined for the diffusion of the oxygen and indium in the grains (0.39 eV and 0.10 eV, respectively) were smaller than the values determined for the diffusion in the grain boundaries (0.70 eV and 0.78 eV, respectively), and was attributed to impurities and intrinsic defects accumulating at the grain boundaries.  相似文献   

16.
王亚强  陈波 《液晶与显示》2015,30(2):310-316
针对传统的各向异性扩散算法中扩散系数函数的平滑效果不好,扩散过程中扩散门限K的选取依靠经验确定,扩散过程对图像细节保护不足的问题,提出了一种改进的各向异性扩散算法。介绍了几种当前比较典型的各向异性扩散去噪算法;在典型算法分析的基础上提出了一种基于自适应中值滤波的改进扩散模型;根据扩散系数应满足的3个条件及经典的扩散系数函数,提出了改进的扩散模型中的改进扩散系数函数;提出了一种扩散门限K的自适应选取的方法。通过在改进的扩散模型中使用改进的扩散系数函数并结合扩散门限K的自适应选取,对超声图像进行去噪。实验结果表明,所提算法优于PM模型、Catte模型、王常虹算法等,去噪后图像的FOM值比PM模型高出3.34%,PSNR值比PM模型高出0.250 6。该算法在去除散斑噪声的同时有效保护了图像的细节及边缘,有助于医务人员对患病区域的准确诊断。  相似文献   

17.
基于信息扩散原理的RBF网络的分析与设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
从信息扩散的角度对RBF网络进行了分析,从理论上证明了RBF网络具有信息扩散功能,并分析了其网络的物理意义。说明了根据正态扩散的择近原则确定RBF网络中规划因子的合理性,也说明了在训练样本数目大时用聚类方法确定中心参数的优越性。  相似文献   

18.
研究了Zn在InP、InGaAsP以及InGaAsP/InP中的扩散,扩散结深均与时间的平方根成正比.对于InGaAsP/InP单异质结,扩散结深还与InGaAsP覆盖层的厚度x_0有关.推导出其结深与扩散时间的函数关系为x_j/t~(1/2)=-x_0/(rt~(1/2))+I.  相似文献   

19.
于德利  陶永祥  尹宪华  王润文 《中国激光》1999,26(12):1057-1060
推导了铜蒸气激光器带电粒子的双极扩散系数。结合铜蒸气激光器动力学模型对铜蒸气激光器动力学过程中的铜亚稳态粒子热扩散去激发及带电粒子双极扩散进行了分析。定量地给出了粒子热扩散项对铜亚稳态粒子密度及电子的双极扩散对电子密度的影响。  相似文献   

20.
应用于扩散工艺中的闭管扩散技术   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了一种用于晶体硅太阳能电池p-n结制造的闭管扩散技术,它主要是针对目前使用的开管扩散技术的不足而提出的,实践证明,该技术不仅扩散均匀性优,而且节源、节能、环保,同时它还可以运用于其它半导体材料的扩散掺杂工艺。  相似文献   

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