圆片规模集成电路光学互连的实现

本文评述了光互连技术在圆片规模集成电路中的应用现状。并据具体的工艺实施指出了存在的问题及将来的解决办法。     

3D封装中的圆片减薄技术

随着微电子工业迅猛发展,圆片直径越来越大,当150mm、200mm甚至300mm英寸圆片被减薄到150μm以下时,圆片翘曲和边缘损伤问题变得尤为突出。超薄减薄技术是集成电路薄型化发展的关键技术,它直接影响电路的质量和可靠性。文章从超薄圆片减薄中常见的圆片翘曲和边缘损伤造成的损失出发,分析了圆片翘曲和边缘损伤的原因,提出了相应的改善措施。     

300mm圆片等离子体蚀刻系统发展面临挑战

向３００ｍｍ圆片的转变对蚀刻系统供应商提出了技术和经济上的挑战。变化的动力来自芯片制造商的希望和设备供应商的技术发展目标。转变需要新的设备和生产过程控制技术的重大进步，也对从经济到环境的诸方面提出了新要求。产量的挑战每个３００ｍｍ圆片生产的芯片是２０...     

1995—2000年半导体设备的主攻方向──300mm圆片设备

本文就２０００年前开发３００ｍｍ圆片设备的必然性和重要性做了论述。并给出了研究３００ｍｍ圆片的课题，期望２０００年能建成若干条３００ｍｍ圆片生产线。     

世界SOI圆片市场终于展露风采

硅绝缘体(SOI)技术已有30年历史，一直是人们向往成为下一代高速或低耗器件。因材料成本高而蹒跚前进的SOI 技术真正开始了商品化,不过面前仍有一道难关：器件生产商究竟将在什么时候和怎样把SOI技术送上商品市场？市场概况Gartner Dataquest预测，1999～2005年间SOI圆片销量将以每年55%的增长率增长，从1999年的8600万平方厘米增加到2005年的11.7亿平方厘米（图１）。SOI器件需求的主要推动力将逐渐从传统的军事／宇航及工业设备转向数据处理、通信及消费电子产品，这更将加速超薄及薄膜SOI圆片的要求。按照SOI圆片生产技术的发…     

圆片级封装时代已经到来

所谓圆片级封装,是指封装和测试是在未分离的圆片上进行的,并且能在世界范围内被投入生产,主要是建立在薄膜凸点和再分布技术的基础上。采用这些技术的低引线数的硅器件和无源射频集成元件在今天的手持式电信产品中正在兴起。要使这项极具希望的技术获得很好的应用,圆片级老化和测试是必需的。     

一种新颖的微电子封装:圆片级封装

本文介绍了一种当前正在快速发展的微电子器件的新颖封装－圆片级封装（WLP）的定义，主要优缺点，焊盘再分布和植球等主要工艺过程等。     

适用200mm圆片、0.5μm线宽的半导体设备

本文论述了开发200mm圆片、0.5μm线宽半导体设备的必要性,并介绍4种适用200mm圆片、0.5μm线宽的半导体设备。     

金属化电迁移失效的圆片级监控技术

介绍3种圆片级金属化电迁移可靠性测试技术:(1)金属击穿能量技术;(2)标准圆片级电迁移加速测试技术;(3)标准圆片级等温焦耳热电迁移测试技术实验结果表明它们优于传统的电迁移寿命试验,可用作在线监控.     

300mm片子动向

３００ｍｍ片子动向本刊观察员多年来，为了更经济地加工半导体圆片，产业界总是不断地增大半导体圆片的直径，因而３００ｍｍ圆片便成为集成电路芯片制造商继续追求的下一个目标。图１给出了在各代ＤＲＡＭ器件技术推动下，圆片直径、芯片面积和图形线宽之间对应的发展趋...