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相似文献
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1.
王瑞忠  罗广礼 《电子学报》1997,25(8):59-62,58
本文在对原有模型改进的基础上建立了一个P^+-GexSi1-x/p-Si异质结内光发射长波红外探测器量子效率的解析模型。与原有模型相比,其特点是考虑了载流子输运作用对量子效率的影响。理论计算与实际结果比较表明,该模型与现有模型相比能更好地与实际相符合。  相似文献   

2.
通过对GexSi(1-x)/Si红外探测器结构及机理的研究,建立了计算量子效率的模型,并计算了内量子效率与波长的关系,与他人的实验结果符合得很好。  相似文献   

3.
根据电子能带的畸变势常数计算了生长在GexSi1-x(001)衬底上的量子阱Si/GexSi1-x的电子势垒高度,讨论了电子势垒高度随合金组分x的变化情况。并用包络函数方法计算了不同合金组分x时的量子阱的子能带结构。计算结果表明[001]及[001]导带底电子量子阱处在Si层,而其它四个导带底能谷的电子量子阱处在GexSi1-x合金层。两类量子阱的电子势垒高度均随着衬底合金组分x的增加而增加。  相似文献   

4.
李国正  张浩 《半导体光电》1995,16(4):322-325
通过对GexSi1-x/Si红外探测器结构及机理的研究,建立了计算量子效率的模型,并计算了内量子效率与波长的关系,与他人的实验结果符合得很好。  相似文献   

5.
对1.55μm波长的Si1-xGex光波导开关和Si1-xGex/Si红外探测器的集成结构进行了系统的理论分析和优化设计。设计结果为:(1)对Si1-xGex光开关,Ge含量x=0.05,波导的内脊高、脊宽和腐蚀深度分别为3,8.5和2.6μm,分支角为5~6°。要实现对1.55μm波长光的开关作用,pn+结上所需加的正向偏压值应为0.97V;(2)对Si1-xGex/Si探测器,Ge含量x=0.5,探测器由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5和17nmSi交替组成厚度为550nm,长度约为1.5~2mm的超晶格,内量子效率达80%以上。  相似文献   

6.
徐至中 《半导体学报》1994,15(9):588-595
采用包络函数方法及Kronig-Penny模型计算了量子阱GexSi1-x/Si(001)的电子结构.对量子阱的光跃迁几率进行了估算,并讨论了量子阱参数的最佳选择.  相似文献   

7.
通过对GexSi1-x/Si超晶格机理的研究,算出了GexSi1-x/Si超晶格红外探测器的最佳结构参数,以对1.3μm红外光有最大的利用率。  相似文献   

8.
用二次离子质谱对As+注入Si(1-x)Gex的快速退火行为进行了研究.Si(1-x)Gex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43.As+注入剂量为2×10(16)cm(-2),注入能量为100keV.快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒.实验结果表明,Si(1-x)Gex中As的扩散与Ge组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快.对于Ge组分较大的Si1-xGex样品,As浓度分布呈现“盒形”(box-shaped),表明扩散与As浓度有关.Si1-xGex样品中As的快  相似文献   

9.
应变Si1—xGex层材料和Si/Si1—xGex器件物理参数模型   总被引:4,自引:0,他引:4  
Si/Si1-xGex异质结系统已成功地应用于高速数字、高频微波和光电器件中。对这些器件进行理解和分析时,往往受到应变Si1-xGex材料参数缺乏的制约。本文建立和给出了常温和低温下重要应变Si1-xGex层材料和Si/Si1-xGex器件物理参数模型,对Si/Si1-xGex异质结器件的理解、研究和设计有重要的实际意义。  相似文献   

10.
Ge_xSi_(1-_x)等离子体色散效应及电光调制器   总被引:1,自引:0,他引:1  
在研究了Si的等离子体色散效应之后,我们预计GexSi1-x也会有这一效应。理论分析和实践的结果都表明GexSi1-x具有比Si更强的等离子体色散效应。  相似文献   

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