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1.
本文根据X射线形貌相、扫描电镜和金相显微镜的实验结果和有关位错、相图的理论,分析了位错和亚晶界、亚晶界和X射线形貌相的关系以及住错对布里奇曼技术生长的HgCdTe体晶结构完整性的影响。因位错降低能量的要求,HgCdTe体晶中的密度位错要形成亚晶界和三维位错网络等亚结构。在X射线形貌相中,亚结构的取向衬度是比位错直接象更强的成象机构。正常凝固长晶过程中HgCdTe材料的组分要变化,并使其固液界面的温度梯度也发生相应变化,由此引入的热应力在结晶过程中会在HgCdTe晶体中产生高密度位错。位错形成的亚晶界和三维位错网络等亚结构严重破坏了BridgmanHgCdTe体晶结构完整性,这使其X射线形貌相往往不好。 相似文献
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用化学腐蚀法观察到,器件工艺过程中的机械应力和效应力使碲镉汞(HgCdTe)晶片的位错大幅度增殖,汞气氛下低温热处理(220℃)使(HgCdTe)体材料的位错密度增殖3~4倍,并分别对实验室结果进行了分析讨论. 相似文献
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金属有机化合物汽相外延碲镉汞薄膜的进展 总被引:3,自引:0,他引:3
回顾了金属有机化合物汽相外延碲镉汞薄膜的发展历程,简要叙述了MOVPEHgCdTe薄膜的三种主要技术,与HgCdTe晶格匹配和失配的衬底材料,各种金属有机物源和掺杂研究的新近进展。还介绍了MOVPE-HgCdTe薄膜和探测器目前达到的水平。大量结果已经表明,MOVPE生长的HgCdTe薄膜的质量适合于制造高质量的光伏型探测器,MOVPE是一种原位生长先进的HgCdTe红外焦平面列阵既实用又富生命力 相似文献
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MOVPE是生长HgCdTe薄膜的主要技术之一,它可以灵活地控制掺杂浓度的原位生长高性能的p-n异质结和双异质结双波段p-n-N-P的HgCdTe薄膜。文中还简要介绍近年在MOVPE-HgCdTe薄膜的掺杂研究中,施主掺杂和受主 掺杂的研究情况以及取得最新近展。EI和DMAAs分别是广泛采用的施主和受主掺杂剂。 相似文献
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研制HgCdTe焦平面器件是当前实现长波红外焦平面器件的主要途径。红外焦平面器件要求大面积、均匀性好和高质量的HgCdTe材料。用LPE、MOCVD和MBE外延生长的HgCdTe薄膜材料可满足焦平面器件对材料的要求。LPE是目前研制HgCdTe光伏列阵主要材料,用双层掺杂生长的p-n异质结得到当前最高的R_0A值。MOCVD和MBE生长的HgCdTe外延膜近期有了较大的进展,除了在硅衬底上MBE生长HgCdTe仍在研究之外,其它已趋向成熟并开始转向工业生产。为了研制高质量的HgCdTe外延膜,高质量的衬底材料与建立薄膜均匀性的检测工艺是十分必要的。 相似文献
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CdTe/GaAs是HgCdTe分子束外延的重要替代衬底材料。用X双晶衍射和光致发光测试研究了分子束外延生长的CdTe(211)B/GaAs(211)B的晶体结构质量,表明外延膜晶体结构完整,具有很高的质量。用高分辨率的透射电镜研究其界面特性,观察到CdTe(211)B相对于GaAs(211)B向着[111]方向倾斜一个小角度(约3°),界面的四面体键网发生扭曲,由于晶格失配,在界面存在很高的失配位错密度。用二次离子质谱分析仪分析了GaAs衬底中的Ga和As向CdTe外扩散的情况。结果表明:如果要在GaAs衬底上生长HgCdTe外延膜,必须先生长一层具有一定厚度的CdTe来阻止Ga和As向HgCdTe的外扩散和失配位错的延伸。 相似文献
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利用Ar^+束央求宙积技术在GgCdTe表面实现了低温CdTe介质薄膜的低温生长。在用-HgCdTe晶片表面分别用CdTe介质膜、HgCdTe自身阳极氧化膜进行表面钝化。利用光电导衰退测量技术测量了两种不同表面钝化的薄HgCdTe晶片的非平衡载流子(少数载流子)寿命,并通过光电导衰减信号波形的拟合,得到两种不同表面钝化的HgCdTe表面复合速度。实验结果表明,获得的CdTe/HgCdTe界面质量已 相似文献
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通过把迁移率的实测值与影响HgCdTe晶体电子迁移率的主要散射机构进行对比,得出结论:位错是HgCdTe晶体低温电子迁移率降低的主要原因。 相似文献