共查询到20条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
2.
利用InSb晶片阳极氧化时的氧化速率依赖于晶片的载流子浓度这一特性,成功地显示出InSb扩散结剖面及其形貌,并由此测出了在不同条件下Zn,Cd在InSb中扩散的P-N结深度。 相似文献
3.
利用X射线光电子能谱(XPS)分析了不同氧化条件下InSb阳极氧化膜的组成成分以及各种组分纵向分布;用观察在扫描电子显微镜(SEM)不同氧化条件下InSb阳极氧化膜的微观形貌。研究了InSb阳极氧化膜的化学和结构特性及其对自身电学性能的影响。为提高InSb阳极氧化膜制备工艺水平提供了有效参考。 相似文献
4.
本文报告了一种适用于大规模生产 GaAs 红外发光二极管的开管 Zn 扩散新工艺。详细叙述了开管 Zn 扩散的方法。实验结果表明表面载流子浓度达10~19cm~(-3),结深为2.0μm。 相似文献
5.
采用开管扩散在GaAs中扩散获得成功。比较了不同温度及不同的扩散条件下的扩散结深,扩散浓度的关系;并测量了不同扩散时间Zn的损耗量。采用红外光谱法分析了表面扩散浓度,并在实际的GaAs正面LED中得到了应用。 相似文献
6.
本文在实验的基础上,对电解水氧化显微法测量结深的三种方法进行了分析,为了提高测量精度,在实验方法上作了新的尝试;并将测量结果与阳极氧化法,理论计算值进行比较.分析认为电解水氧化显微法的两种测试结深的方法——干涉条纹法和相似比法是更为精确可靠的. 相似文献
7.
本文报道用开管充气扩散法制备InSb的p-n结,使探测器的零偏压阻抗和探测率得到很大的提高。结合采用表面钝化技术后,器件的反向击穿电压也大大提高,单元器件的边缘效应和多元列阵的串音问题也得到较彻底的解决。现已用此工艺制造出高性能的单元、64元InSb列阵器件及10元TDI和20元多路传输红外COD。 相似文献
8.
引言InSb红外光电探测器的性能尤其阻抗除与P-N特性有关外,与表面状态直接有关。近几年国外一些研究人员采用ESCA和AES并结合离子溅射技术研究了InSb扩散Cd的P-N结,各种抛光腐蚀剂处理后InSb的表面状态;InSb表面氧化机理和电导率的关系;各种腐蚀剂处理后表面沾污及In/Sb比变化等。本工作的目的在于研究阳极氧化InSb表面的化学状态及工艺过程中的表面沾 相似文献
9.
InSb多元器件的制作较复杂,其中某些关键工艺对器件的性能,成品率及可靠性影响极大。为了找到一种适用于InSb多元器件制作的较理想的工艺流程,本文对这些关键工艺进行了一系列的研究和分析,获得了满意的结果。扩散工艺即成结是制作多元器件的重要一步,扩散结的好坏,均匀性、结深选择是否适当,对器件的特性有决定性影响。器件的量子效率,光电流和反向饱和电流与结深有直接的 相似文献
10.
11.
12.
13.
研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的Ⅰ-Ⅴ特性和光响应度.结果表明:扩散结深对器件的Ⅰ-Ⅴ特性影响不大,而对光响应度影响很大,当结深处在InGaAs吸收层上表面时,光响应度最大值出现在波长1.55um处;而当结深进入衬底InP层后,光响应度最大值则出现在波长1um处.另外,在闭管扩散实验中,严格控制温度和扩散时间是控制结深的关键,研究了不同扩散温度和扩散时间下的结深,为器件的制备提供了参考. 相似文献
14.
比较了阳极氧化和Photo-CVD氧化两种钝化方式制备InSb 探测器的性能,结果表明前者反偏漏电流小,击穿电压是后者的5倍,背景光电流和零偏阻抗基本相同。C-V测试结果:前者固定表面电荷密度为21011 cm-2,后者为1.51011 cm-2。两种氧化方法制备的器件经过高温高湿老化试验后,在反偏1 V时,阳极氧化器件漏电比变化率只有Photo-CVD氧化器件的50%,二者背景光电流均有增加,可能与器件光敏面扩大有关。阳极氧化钝化方法,工艺过程易于控制,钝化效果一致性较好,器件的界面状态更加稳定。 相似文献
15.
16.
本文介绍了用于n-InSb上扩散Cd的开管充氮箱式扩散系统和工艺.该工艺是在总结硅器件箱法扩散特点的基础上,结合我们的具体情况设计研制出的,它具有自己的特色.通过试验得出Cd在InSb内的扩散系数D=D_0cxp(-AE/kT),其中D_0=4.22×10~(-4)cm~2/s,△W=1.38eV. 相似文献
17.
18.
19.
本专利是关于红外摄象装置等所需的列阵红外探测器的制造方法。特别是把许多微小面积的光伏型器件以微小间隔排成列阵的红外探测器的制造方法。该方法的特点是:在具有电子导电性的InSb衬底的表面上形成薄薄的阳极氧化薄膜和厚厚的绝缘薄膜。然后,去掉阳极氧化薄膜和绝缘薄膜的一部份,使该处的InSb衬底露出来。在这个露出来的InSb衬底上粘附一层具有空穴 相似文献
20.
对一系列InSb红外探测器阵列已进行了俄歇和深度-分布分析,目的在于检测界面沾污并阐明其原因是由于阵列工艺过程不当所致。确定在工艺过程中发生的局部界面沾污和错用材料对阵列性能和成品率严重影响的方面有三,即薄片扩散、SiO淀积和InSb表面阳极氧化。在扩散时杂质源镉在局部集结会形成不良的结和成核,这种局部集结有可能使接触脱落。不良的SiO淀积所产生的不平整和非化学配比SiO层会降低器件性能。阳极氧化过程是引起铜沾污的一个可能来源。对所怀疑的阵列界面都发现有碳沾污,若其浓度大于10原子%,就会严重影响阵列性能。已证明俄歇电子光谱技术在阵列工艺过程的质量控制检验方面是非常有用的。 相似文献