Reactive Ion Etching of GaAs, GaSb, InP and InAs in Cl2／Ar Plasma

Reactive ion etching characteristics of GaAs,GaSb,InP and InAs using Cl_2/Ar plasma have been investigated,it is that,etching rates and etching profiles as functions of etching time,gas flow ratio and RF power.Etch rates of above 0.45 μm/min and 1.2 μm/min have been obtained in etching of GaAs and GaSb respectively, while very slow etch rates (<40 nm/min) were observed in etching of In-containing materials,which were linearly increased with the applied RF power.Etched surfaces have remained smooth over a wide range of plasma conditions in the etching of GaAs,InP and InAs,however,were partly blackened in etching of GaSb due to a rough appearance.     

热处理对（Ba,Cd）TiO3纳米粉体制备的影响

从Ba（CH3COO）2-CA（NO3）2-Ti（OC4H9）-H2O-CH3COOH--CH3CH2OH体系，采用溶液．溶胶-凝胶法研究多层陶瓷电容器用（Ba1-xCAx）TiO3（x=0．05）（BCT）超细粉体的制备。利用热重差热分析仪（TG--DSC）研究BCT前驱体干凝胶加热过程中各阶段的反应历程。借助X射线衍射（XRD）、比表面积测定仪研究了热处理温度对BCT粉体的物相组成、晶粒尺寸、比表面积等的影响。得到晶相单一、颗粒尺寸在35-40nrn左右、比表面积为12．9m^2／g的BCT超细粉体。     

不含短环的(n,3,k)LDPC码的几何构造方法

该文基于不含短环的(n,2, k)规则低密度奇偶校验(LDPC)码,提出了一种最短环长为8的(n,3, k)规则LDPC码的几何构造方法,该方法简单直观而有效。仿真结果显示,在AWGN信道中其具有明显优于随机构造的规则LDPC码的性能。     

关于(k,n)-门限方案的进一步讨论

1979年,Shamir提出的(k,n)-门限密钥分散管理的概念使密钥管理更加安全灵活,但这一方案也有其不完善之处,因为在现实中参与密钥管理的人在系统中所处的地位不尽相同,有许多活动要求某些特定的人必须参与才能进行。本文考查了此类情形,将(k,n)-门限方案加以推广,提出了更为一般的(t,k,n)-门限方案,并利用(k,n)-门限方案给出了实现(t,k,n)-门限方案的方法。     

Numerical simulation of the inhomogeneous barrier height of an Au/n-InP Schottky diodeKamel Zeghdar1, Lakhdar Dehimi1, 2, Achour Saadoune1, Nouredine Sengouga1,*

We report the current-voltage(I-V) characteristics of the Schottky diode(Au/n-InP) as a function of temperature. The SILVACO-TCAD numerical simulator is used to calculate the I-V characteristic in the temperature range of 280-400 K. This is to study the effect of temperature on the I-V curves and assess the main parameters that characterize the Schottky diode such as the ideality factor, the height of the barrier and the series resistance. The I-V characteristics are analyzed on the basis of standard thermionic emission(TE) theory and the inhomogeneous barrier heights(BHs) assuming a Gaussian distribution. It is shown that the ideality factor decreases while the barrier height increases with increasing temperature, on the basis of TE theory. Furthermore, the homogeneous BH value of approximately 0.524 eV for the device has been obtained from the linear relationship between the temperature-dependent experimentally effective BHs and ideality factors. The modified Richardson plot, according to the inhomogeneity of the BHs, has a good linearity over the temperature range. The evaluated Richardson constant A^* was 10.32 A·cm^-2·K^-2, which is close to the theoretical value of 9.4 A·cm^-2·K^-2 for n-InP. The temperature dependence of the I-V characteristics of the Au/n-InP Schottky diode have been successfully explained on the basis of the thermionic emission(TE) mechanism with a Gaussian distribution of the Schottky barrier heights(SBHs). Simulated I-V characteristics are in good agreement with the measurements[Korucu D, Mammadov T S. J Optoelectronics Advanced Materials, 2012, 14:41]. The barrier height obtained using Gaussian Schottky barrier distribution is 0.52 eV, which is about half the band gap of InP.     

多步退火对(Pb,La)(Zr,Ti)O_3反铁电厚膜的影响

采用溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb0.97La0.02(Zr0.95Ti0.05)O3反铁电厚膜材料,研究了单步和多步退火工艺对反铁电厚膜结构及电学性能的影响。结果表明:与传统的单步退火方式相比,多步退火工艺制备的反铁电厚膜材料晶粒尺寸较大,结构致密性好,室温下反铁电态更稳定,具有良好的择优取向度(100)、较高的介电常数(达529)和饱和极化强度(达42μC/cm2)。其反铁电-铁电和铁电-反铁电的相变电场强度分别为198和89 kV/cm,反铁电-铁电相变电流密度达2×10-5 A/cm2,多次退火工艺可提高反铁电厚膜的成膜质量。     

(k,l)-递归极大平面图的结构

对于一个平面图G实施扩3-轮运算是指在G的某个三角形面xyz内添加一个新顶点v,使v与x, y, z均相邻,最后得到一个阶为|V(G)|+1的平面图的过程。一个递归极大平面图是指从平面图K₄出发,逐次实施扩3-轮运算而得到的极大平面图。 所谓一个(k,l)-递归极大平面图是指一个递归极大平面图,它恰好有k个度为3的顶点,并且任意两个3度顶点之间的距离均为l。该文对(k,l)-递归极大平面图的存在性问题做了探讨,刻画了(3,2)-及(2,3)-递归极大平面图的结构。     

超细（Ba,Sr,Cd）TiO3基多层陶瓷电容器陶瓷的研究

采用溶液-溶胶-凝胶法制备(Ba0.70Sr0.25Cd0.05)TiO3纳米粉体,利用所得到的纳米粉体研究了(Ba0.70Sr0.25Cd0.05)TiO3基多层陶瓷电容器用超细陶瓷的制备.对比研究了超细电容器陶瓷和传统固相法电容器陶瓷的性能.采用扫描电镜分析了两种方法得到的陶瓷的显微结构.结果表明:采用纳米粉体制备的(Ba0.70Sr0.25Cd0.05)TiO3基电容器陶瓷具有晶粒尺寸约为1μm,其性能为:介电常数为140 9.44,介质损耗为0.017 5,陶瓷的密度是5.22 g*cm-3,烧结温度为1300 ℃,大大降低了烧结温度,比传统固相法的陶瓷性能有较大的改善.     

(Li,Mg):ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及特性表征

利用溶胶-凝胶旋涂制膜方法制备了具有良好表面形貌及c轴择优取向性的(Li,Mg):ZnO薄膜.重点研究了该法制膜时不同膜厚(Li,Mg):ZnO薄膜的结构及光学性质.扫描电子显微镜(SEM)图像及X射线衍射(XRD)图谱分析结果表明随着膜厚的增加,薄膜晶粒尺寸逐渐增大,薄膜的晶化程度及c轴择优取向性增强.但薄膜厚度的增加是有一定范围的,当薄膜厚度过大时,薄膜均匀性、致密性及c轴择优取向性显著下降.样品的荧光光致发光(PL)谱表明,Mg的掺入使近紫外发光峰出现了蓝移,恰当膜厚的(Li,Mg):ZnO薄膜发光特性主要以深能级发射(DLE)为主,蓝绿发光峰强度很高.     

(Bi,Yb)4Ti3O12薄膜退火研究

采用溶胶-凝胶旋涂法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地沉积出(Bi,Yb)4Ti3O12[Bi3.4Ybo.6Ti3O12,BYT]铁电薄膜.系统地研究了退火温度对BYT铁电薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能(剩余极化强度)的影响.揭示了退火温度对BYT薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能有着明显的影响,给出了最佳退火温度为700℃左右.     

溶胶-凝胶法制备Co,Cu共掺杂ZnO薄膜 结构及光学特性

采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了纯ZnO薄膜和高浓度Cu掺杂的Co,Cu共掺ZnO(Zn0.90CoxCu0.1-xO,x=0.01,0.03,0.05)薄膜。扫描电镜观察到无论是纯ZnO还是掺杂ZnO薄膜表面都有均匀分布的颗粒,但是在Cu含量较高时均匀性更好。X射线衍射揭示所有样品都具有纤锌矿结构,但是Cu掺杂量的增加使晶格常数略有减小,而晶粒尺寸却略有增大。XPS测试结果表明样品中Co离子的价态为+2价和+3价,Cu离子的价态为+2价和+1价共存。室温光致发光测量在所有样品中均观察到较强的紫外发光峰、蓝光双峰和较弱的绿光发光峰。     

聚类的(α,κ)-匿名数据发布

为更好的抵御背景知识攻击和同质攻击,保护特定的敏感值或全部敏感值,定义了单敏感值(α,κ)-匿名模型和多敏感值(α,κ)-匿名模型,并分别设计了两个聚类算法予以实现,同时分析了算法的正确性和复杂性.对于即包含连续属性又包含分类属性的数据集,给出了数据集的详细映射与处理方法,使数据集中点的距离可以方便的计算,彻底避免了把数据点距离和信息损失混淆的情况.详细的理论分析和大量的实验评估表明算法有较小的信息损失和较快的执行时间.     

(Bi,Yb)4Ti3O12铁电薄膜的制备

采用稀有金属镱元素对钛酸铋进行掺杂,以期获得性能较好的(Bi,Yb)4Ti3O12铁电薄膜.采用溶胶-凝胶旋涂法在p型Si(100)基底上成功地沉积出(Bi34,Yb06)Ti3O12[BYT]铁电薄膜.用X射线衍射法对其结构及其成份进行了表征,用铁电分析仪(RT66A)测试了其铁电性.并就影响BYT薄膜铁电性能的因素进行了分析.     

聚类的(α,κ)-匿名数据发布

为更好的抵御背景知识攻击和同质攻击,保护特定的敏感值或全部敏感值,定义了单敏感值(α,κ)-匿名模型和多敏感值(α,κ)-匿名模型,并分别设计了两个聚类算法予以实现,同时分析了算法的正确性和复杂性.对于即包含连续属性又包含分类属性的数据集,给出了数据集的详细映射与处理方法,使数据集中点的距离可以方便的计算,彻底避免了把...     

(Li,Mg)∶ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及特性表征

利用溶胶-凝胶旋涂制膜方法制备了具有良好表面形貌及c轴择优取向性的(Li,Mg)∶ZnO薄膜。重点研究了该法制膜时不同膜厚(Li,Mg)∶ZnO薄膜的结构及光学性质。扫描电子显微镜(SEM)图像及X射线衍射(XRD)图谱分析结果表明随着膜厚的增加,薄膜晶粒尺寸逐渐增大,薄膜的晶化程度及c轴择优取向性增强。但薄膜厚度的增加是有一定范围的,当薄膜厚度过大时,薄膜均匀性、致密性及c轴择优取向性显著下降。样品的荧光光致发光(PL)谱表明,Mg的掺入使近紫外发光峰出现了蓝移,恰当膜厚的(Li,Mg)∶ZnO薄膜发光特性主要以深能级发射(DLE)为主,蓝绿发光峰强度很高。     

采用开放光路FTIR光谱法的1, 3-丁二烯测量研究

为验证利用开放光路傅里叶变换红外光谱法（OP-FTIR）测量工业区环境大气中1,3-丁二烯浓度的可行性,首先在实验室对配置的已知浓度的标准气体进行了测量研究。利用自行搭建的基于Bruker公司IR-Cube光谱仪的开放光路FTIR测量系统对不同浓度的1,3-丁二烯进行了测量,然后结合QASOFT数据库1,3-丁二烯的吸光度信息,利用非线性最小二乘拟合算法（NLLS）对测量光谱进行了浓度反演,并对测量系统作了线性标定。实验结果表明,开放光路FTIR测量系统性能稳定;系统响应快;线性度好,线性相关系数为0.998;系统对于1,3-丁二烯的检测下限约为18.77 mgm-2。实验研究表明,OP-FTIR系统能用于区域环境大气的1,3-丁二烯的监测和研究,开放光路FTIR方法能够作为1,3-丁二烯的一种分析检测技术。     

改善(Pb,Ca)TiO_3薄膜的铁电性能研究

用溶胶-凝胶法和快速退火工艺在LaNiO3/Si(111)基片制备出高度(100)取向生长的钙钛矿相(Pb0.76Ca0.24)TiO3(PCT)薄膜。用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌;测试了薄膜的铁电和介电特性。PCT薄膜的剩余极化强度和矫顽场分别为9.3μC/cm2和64kV/cm,在100kHz薄膜的介电系数和损耗分别为231和0.045。比较了在不同电极制备PCT薄膜的结果,用LaNiO3作底电极,改善了铁电性,降低了矫顽场。     

A new method for calculation of majority carrier compensation in photovoltaics Zhang Rumin(张汝民)1,2*,Liu Dijun(刘迪军)2,3, Su Guobin(苏国斌)3

在对薄膜太阳能电池的研究中,半导体材料通常包含多个杂质/缺陷态的施主和受主掺杂剂。根据局部电中性（LCN）条件,可以确定平衡费米（EF）水平及电子和空穴浓度。但是LCN方程是一个超越方程,不可能得到它的解析解,只能使用图形或数值方法求解。因此,研究者Chin提出了一种可用于多施主和受主半导体的多数载流子补偿估计的简单近似图解法（GM）。通过引入掺杂排位的概念和阶跃函数,近似的浓度和费米能级变得很容易得到。本文分析的图解法,提出了一种新的数值与图形的方法（NGM）,并对NGM与GM计算精度进行了仿真验证。通过数值计算的引入,GM方法的应用进一步得到了扩展。     

YAG:Ce,Yb近红外下转换荧光粉中的离子簇集

通过457 nm和915 nm连续激光器对固相反应法和溶胶-凝胶法制备的YAG:Ce,Yb荧光粉中的Yb3+近红外发光和可见上转换发光能量转移机制进行了研究。两种激发下,溶胶-凝胶法样品的近红外发光猝灭浓度均在5%左右,发光强度变化曲线趋势相近;固相反应法产物,915 nm直接激发猝灭浓度为5%左右,457 nm间接激发猝灭浓度为10%左右,说明固相反应法掺杂离子分布更不均匀。样品中存在来自Yb3+到杂质离子间能量传递和Yb3+-Yb3+离子对的两种上转换发光;固相反应法产物Yb3+-Yb3+离子对协同发光强于溶胶-凝胶法产物,说明Yb3+离子簇集现象较为明显,可能降低此类材料的实际近红外转换效率。