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为了满足VHF频段对高功率放大器小型化的需求,设计并制备了一款基于0.5μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的VHF频段小型化千瓦级功率放大器。通过采用多节微带电容网络和高介电常数的印制电路板(PCB)实现了末级功率放大器匹配电路的小型化;以高通滤波器作为级间匹配电路,在减小电路尺寸的同时,提高了链路增益;采用混合集成工艺,实现了电源调制器、前级驱动功率放大器和末级功率放大器等各单元的小型化高密度集成。测试结果表明,在0.24~0.30 GHz频带内,该功率放大器的工作电压为50 V,工作脉宽为100μs,在占空比10%、输入功率10 dBm的工作条件下,带内输出功率大于1 000 W,功率附加效率约为60%~69%,功率增益大于50 dB,功放体积为46 mm×30 mm×6 mm。 相似文献
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基于两级功率放大器架构,设计了一款平均输出功率为37 dBm(5 W)的高增益Doherty 功率放大器。
该器件通过增加前级驱动功率放大器提高Doherty 功率放大器的增益,采用反向Doherty 功率放大器架构,将λ/4 波
长传输线放置在辅助功放后端,相位补偿线放置在主功放前端,并使主功放输出匹配网络采用双阻抗匹配技术实现
阻抗变换,如此可扩宽功率放大器的工作带宽。连续波测试结果显示:3. 4~3. 6 GHz 工作频段内,饱和输出功率在
44. 5 dBm 以上,功率饱和工作点PAE 在43. 9%以上;在平均输出功率(37 dBm,5 W)工作点,回退量大于7. 5 dB,功
率附加效率PAE 为36. 8%以上,功率增益在31 dB 以上。 相似文献
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设计了一种温度不灵敏的高线性度的射频功率放大器芯片,采用新颖的带温度反馈环路的有源片上自适应偏置电路,该电路降低了温度引起的放大器集电极直流电流分量的变化量,补偿了由温度变化而引起的性能偏差,进而有效提高了放大器的线性度。基于这个温度不灵敏的偏置结构采用InGaP/GaAs HBT工艺设计了一个工作在2110~2170 MHz频段的功率放大器。测试结果表明,该功放在工作频段内的增益大于等于35.3 dB;在中心频率2140 MHz处,1 dB功率压缩点大于33 dBm,功率附加效率在输出功率24.5 dBm时为18%;使用LTE_FDD调制信号,获得邻信道功率比为-47 dBc。在环境温度为-40℃、+25℃和+80℃条件下,功放的增益平坦度较好,增益变化量小于1.5 dB,输出级集电极电流基本不变,有效降低了功放对温度的敏感性。 相似文献
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基于SiC衬底0.25μm GaN HEMT工艺,设计实现了一款C波段、高效率和高线性的单片微波集成电路(MMIC)功率放大器。通过优化电路匹配结构,选择合适的有源器件和恰当的直流偏置条件,实现低视频漏极阻抗;利用后级增益压缩和前级增益扩张对消等手段,实现高功率附加效率和好的线性指标。功率放大器芯片尺寸为2.35 mm×1.40 mm。芯片测试结果表明,在3.7~4.2 GHz频率范围内,漏极电压28 V、末级栅极电压-2.2 V、前级栅极电压-1.8 V和连续波条件下,该功率放大器的小信号增益大于25 dB,大信号增益大于20 dB,饱和输出功率大于39 dBm,在输出功率回退至32 dBm时,功率附加效率大于30%,三阶交调失真小于-37 dBc。 相似文献
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一种饱和功率为21dBm,峰值效率为35%的应用于900MHz RFID阅读器的CMOS线性功率放大器 总被引:1,自引:1,他引:0
本文在CMOS 0.18μm Mixed Signal工艺上实现了工作于900MHz的两级差分线性功率放大器,该功放工作于class AB状态。本文探讨了低压下输出匹配和谐波抑制网络,以提高功放的输出功率及效率,降低输出谐波。测试结果表明,在1.8V的电源电压下,功放在900MHz频率的输出饱和功率达到21.1dBm,输出1dB压缩点的功率为18.4dBm,峰值功率增加效率为35.4%,功率增益为23.3dB,各谐波分量也得到很好的控制。两级功放加上PAD的芯片总面积为1.2×0.55mm2。通过单芯片测试以及基于原型机的测试结果表明,该功放可以满足UHF RFID阅读器的应用。 相似文献
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设计了一款适用于多载波聚合,满足160 MHz LTE信号带宽下适用数字预失真技术(DPD)校正的GaN Doherty功放。测试结果表明,在3.4~3.6 GHz的工作频率范围内,使用脉冲信号测试时,功率放大器的饱和输出功率大于54 dBm,在输出回退功率44.8 dBm时的效率大于40%,平均功率增益为13.5 dB。电路的初始ACPR值为-33 dBc,利用DPD平台对该功率放大器进行校正可将ACPR改善20 dBc左右,达到-51 dBc以下,从而达到系统应用的要求。 相似文献