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从WAP的应用看移动因特网的发展 总被引:1,自引:0,他引:1
WAP技术的开发与应用揭开了移动因特网发展的崭新一页,据预测,到2004年亚太地区移动用户数将达到3.7亿,其中移动数据用户将占1.6亿;移动电子商务市场也将于2003年超过固定电子商务市场。移动互联网未来的热点包括企业网的无线应用、与位置相关的服务以及移动电子商务。 相似文献
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短消息业务(SMS,Short Massage Services亦称为短信业务,包括GSM移动通信网的短信业务和CDMA移动通信网的短信业务,两者在技术和业务提供方面十分相似,在本讲中仅介绍GSM短信业务。GSM短信业务隶属于GSM第一阶段(Phase1)所规范的业务。 相似文献
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目前移动网络有GSM,CDMA,PHS等多种制式,网络优化采用路测,CQT拨打测试,OMC数据库,信令监测仪等多种测试手段,但是一直缺少对各类测试数据的存储和分析系统。本文首先讨论各种制式的移动网络的主要优化参数和指标,然后提出网络优化数据分析存储系统的设计方案,对本方案的组成构件进行讨论和分析。 相似文献
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随着移动通信在全球的迅猛发展,人们已不仅满足于用移动电话进行简单的话音通信,而移动多媒体、移动互联网、移动电子商务,则正是第三代移动通信系统(3G)所要向人们提供的新功能。摩托罗拉马克·凯托多(Mark Cataldo)先生的《MExE和多媒体移动因特网》一文所介绍的移动执行环境(MEXE)正是这些新功能的业务基础。该文主要就MEXE的基本原理、业务应用、保密特性等方面进行了介绍,这对理解3G网络如何向用户提供多媒体移动互联网可提供重要的帮助。 相似文献
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介绍了GSM和WCDMA系统中不同制式的终端和不同类型用户标识模块(SIM、USIM、ISIM)之间的兼容关系。主要讨论了WCDMA与GSM系统之间实现国际漫游的两种不同操作模式,分析了不同模式下具体的呼叫信令流程和不同的加密方式。 相似文献
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J. H. Wang S. E. Mohney S. H. Wang U. Chowdhury R. D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2004,33(5):418-421
Four vanadium-based contacts to n-type Al0.6Ga0.4N were compared in this work. Both V/Al/Pd/Au and V/Al/V/Au contacts with optimized layer thicknesses provided lower specific-contact
resistances than did the previously reported V/Al/Pt/Au ohmic contact. Specific contact resistances of the V/Al/Pd/Au (15
nm/85 nm/20 nm/95 nm) and V/Al/V/Au (15 nm/85 nm/20 nm/95 nm) contacts were 3×10−6 Ω·cm2 and 4×10−6 Ω·cm2, respectively. On the other hand, an analogous V/Al/Mo/Au contact never became ohmic, even after it was annealed at 900°C
for 30 sec. Compared to the V/Al/Pd/Au contact, the V/Al/V/Au contact required a less severe annealing condition (30 sec at
700°C instead of 850°C). The V/Al/V/Au contact also provided a smoother surface, with a root-mean-square (RMS) roughness of
39 nm. 相似文献
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利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,获得了电流密度-电压(I-V)回线和极化强度P-V电滞回线。在这三种结构中,Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度Ps及矫顽场Vc之间有三种关系,他们与I-V回线及P-V回线的关系相匹配,这种匹配关系使得以I-V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。 相似文献
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利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDss为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-100Hz单刀双掷(SPDT)关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB. 相似文献
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刘懿 《电信工程技术与标准化》2021,34(7)
基于网络逻辑隔离概念,利用业务随行、Vxlan、SDN等网络新技术进行网络架构规划。在减少基础建设投资的前提下,通过精准逻辑隔离的方式对某科研院所的办公网、科研网和数据中心网络进行整体架构设计。该方式在不能单独组网(传统物理隔离)的条件下实现了网络终端、服务器、试验装置的访问可控和权限可控,可保障科研院所的整体网络运行在相对安全的环境,同时提高网络性能,降低人力成本,并为“智能化科研院所”建设提供相对完善的网络平台。 相似文献
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用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理.用传输线法对比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了分析.结果表明,用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后,比接触电阻最小;在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻,约为4.5×10-6Ω·cm2.这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度,消除了费米能级钉扎效应,从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性. 相似文献
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TiO2/n-Si/p-Si及n-PS/p-PS/Si的光伏特性 总被引:1,自引:0,他引:1
在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅(PS).用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱(SPS)研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性.结果表明TiO2/n-Si/p-Si和n-PS/p-PS/Si的光伏效应比n-Si/p-Si在不同程度上有所提高.在300~600 ℃热处理温度范围内TiO2/n-Si/p-Si的光伏效应随温度的升高而增强,600~800 ℃范围内随温度的升高而降低. 相似文献
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利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDss为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-100Hz单刀双掷(SPDT)关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB. 相似文献
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面向全业务运营的城域传送网的建设 总被引:1,自引:0,他引:1
曾振林 《电信工程技术与标准化》2009,22(8):71-74
本文首先展望了全业务的发展,然后主要阐述为了满足全业务接入需求,城域传送网的建设方案。 相似文献