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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
《通讯世界》2013,(6):11
GSM协会与普华永道合作发布的新报告揭示,创新型移动互联产品和服务将在未来5年彻底改变人们的生活,为此移动通信行业需要继续与政府和主要的行业领域合作。GSM协会(GSMA)日前宣布,随着我们向一个完全互联的世界不断发展,全球范围内移动运营商的数据营收将在2018年之前超过语音营收。移动数据的迅猛发展受到互联设备和机器对机器(M2M)通信需求激增的推动,并  相似文献   

2.
从WAP的应用看移动因特网的发展   总被引:1,自引:0,他引:1  
何小梅 《世界电信》2000,13(8):20-22
WAP技术的开发与应用揭开了移动因特网发展的崭新一页,据预测,到2004年亚太地区移动用户数将达到3.7亿,其中移动数据用户将占1.6亿;移动电子商务市场也将于2003年超过固定电子商务市场。移动互联网未来的热点包括企业网的无线应用、与位置相关的服务以及移动电子商务。  相似文献   

3.
《中国无线通信》1998,4(6):34-34
一个在80年代很有见地之概念,可解决当时逾十个难以兼容的制式,令漫游全球成为可能,但往后GSM的发展.成为移动卫星头号竞敌……  相似文献   

4.
短消息业务(SMS,Short Massage Services亦称为短信业务,包括GSM移动通信网的短信业务和CDMA移动通信网的短信业务,两者在技术和业务提供方面十分相似,在本讲中仅介绍GSM短信业务。GSM短信业务隶属于GSM第一阶段(Phase1)所规范的业务。  相似文献   

5.
目前移动网络有GSM,CDMA,PHS等多种制式,网络优化采用路测,CQT拨打测试,OMC数据库,信令监测仪等多种测试手段,但是一直缺少对各类测试数据的存储和分析系统。本文首先讨论各种制式的移动网络的主要优化参数和指标,然后提出网络优化数据分析存储系统的设计方案,对本方案的组成构件进行讨论和分析。  相似文献   

6.
《中国电子商情》2005,(7M):16-17
移动位置服务(LBS——Location Based Service),是通过电信移动运营商的网络(如GSM网、CDMA网)获取移动终端用户的位置信息(经纬度坐标),在电子地图平台的支持下,为用户提供相应服务的一种增值业务。  相似文献   

7.
《通讯世界》2012,(4):56-57
GSM协会和麦肯锡公司的一份最新报告揭示了移动将如何改变全球教育未来,2020年移动教育市场价值将达700亿美元GSM协会(GSMA)近日宣布,移动具备大大改变教育提供方式,促进全球逾10亿人学习的潜力。GSM协会和麦肯锡公司(Mckinsey & Company)发布的新  相似文献   

8.
《电子产品世界》2000,(2):10-10
据最近的统计,世界固定设备连接因特网的网民约1.6亿,但是移动电话用户已达到3.75亿,超过1倍还多。而且,预计20D3年移动电话用户还将进一步猛增到5.35亿,表明移动因特网电子商务具有巨大潜力。工业分析家预计,未来3年内通过移动手机进行的电子商务将占总市场10O以上,2002~2005年间可上因特网移动电话销量将超过6亿部。移动电话经营者将不断从提供网络内容$1服务增加收入。由于欧洲移动电话制造商领导着世界数字无线电话革命的潮流,巨拥有世界最多的无线移动电话用户,因此,欧洲移动商务(mobi…  相似文献   

9.
随着移动通信在全球的迅猛发展,人们已不仅满足于用移动电话进行简单的话音通信,而移动多媒体、移动互联网、移动电子商务,则正是第三代移动通信系统(3G)所要向人们提供的新功能。摩托罗拉马克·凯托多(Mark Cataldo)先生的《MExE和多媒体移动因特网》一文所介绍的移动执行环境(MEXE)正是这些新功能的业务基础。该文主要就MEXE的基本原理、业务应用、保密特性等方面进行了介绍,这对理解3G网络如何向用户提供多媒体移动互联网可提供重要的帮助。  相似文献   

10.
赵绍刚 《电信快报》2007,(1):5-8,34
介绍了GSM和WCDMA系统中不同制式的终端和不同类型用户标识模块(SIM、USIM、ISIM)之间的兼容关系。主要讨论了WCDMA与GSM系统之间实现国际漫游的两种不同操作模式,分析了不同模式下具体的呼叫信令流程和不同的加密方式。  相似文献   

11.
Four vanadium-based contacts to n-type Al0.6Ga0.4N were compared in this work. Both V/Al/Pd/Au and V/Al/V/Au contacts with optimized layer thicknesses provided lower specific-contact resistances than did the previously reported V/Al/Pt/Au ohmic contact. Specific contact resistances of the V/Al/Pd/Au (15 nm/85 nm/20 nm/95 nm) and V/Al/V/Au (15 nm/85 nm/20 nm/95 nm) contacts were 3×10−6 Ω·cm2 and 4×10−6 Ω·cm2, respectively. On the other hand, an analogous V/Al/Mo/Au contact never became ohmic, even after it was annealed at 900°C for 30 sec. Compared to the V/Al/Pd/Au contact, the V/Al/V/Au contact required a less severe annealing condition (30 sec at 700°C instead of 850°C). The V/Al/V/Au contact also provided a smoother surface, with a root-mean-square (RMS) roughness of 39 nm.  相似文献   

12.
利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,获得了电流密度-电压(I-V)回线和极化强度P-V电滞回线。在这三种结构中,Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度Ps及矫顽场Vc之间有三种关系,他们与I-V回线及P-V回线的关系相匹配,这种匹配关系使得以I-V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。  相似文献   

13.
利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDss为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-100Hz单刀双掷(SPDT)关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB.  相似文献   

14.
基于网络逻辑隔离概念,利用业务随行、Vxlan、SDN等网络新技术进行网络架构规划。在减少基础建设投资的前提下,通过精准逻辑隔离的方式对某科研院所的办公网、科研网和数据中心网络进行整体架构设计。该方式在不能单独组网(传统物理隔离)的条件下实现了网络终端、服务器、试验装置的访问可控和权限可控,可保障科研院所的整体网络运行在相对安全的环境,同时提高网络性能,降低人力成本,并为“智能化科研院所”建设提供相对完善的网络平台。  相似文献   

15.
多媒体通信中基于ABR业务的融入凭证方式的速率控制机制   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种融入基于凭证方式的基于速率的流量控制模型,该模型继承了基于凭证方法的记数机制,通过设定高低缓存门限和调节速率升降因数来控制源端速率。仿真结果表明,这种控制机制不仅能够保证缓存的充分利用,而且能够提高其在减少信元丢失、降低传输时延等方面的性能。  相似文献   

16.
WLAN工程设计     
本文就WLAN工程设计提出了带有普遍意义的概念,包含室内覆盖、室外覆盖、室外(视距内)无线桥接。并就无线侧的规划、优化进行了浅析。  相似文献   

17.
用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理.用传输线法对比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了分析.结果表明,用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后,比接触电阻最小;在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻,约为4.5×10-6Ω·cm2.这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度,消除了费米能级钉扎效应,从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性.  相似文献   

18.
TiO2/n-Si/p-Si及n-PS/p-PS/Si的光伏特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅(PS).用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱(SPS)研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性.结果表明TiO2/n-Si/p-Si和n-PS/p-PS/Si的光伏效应比n-Si/p-Si在不同程度上有所提高.在300~600 ℃热处理温度范围内TiO2/n-Si/p-Si的光伏效应随温度的升高而增强,600~800 ℃范围内随温度的升高而降低.  相似文献   

19.
利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDss为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-100Hz单刀双掷(SPDT)关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB.  相似文献   

20.
面向全业务运营的城域传送网的建设   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文首先展望了全业务的发展,然后主要阐述为了满足全业务接入需求,城域传送网的建设方案。  相似文献   

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